【正文】 讀狀態(tài)口 TEST AL， 02H JZ TEST2 OUT DPORT， AL 。讀狀態(tài)口 TEST AL， 01H JZ TEST1 IN AL， DPORT 。起始地址為 2022H，則末地址為 ________ 20 ROM 存儲器有哪些主要性能指標(biāo)？ 1 4 27FFH 虛擬存儲器與 Cache的區(qū)別主要表現(xiàn)在哪幾方面？ 微機接口技術(shù)概述 接口及接口的功能 接口 是指 CPU與主存儲器、外部設(shè)備之間，或兩個主機之間進行連接的邏輯電路，是 CPU與外界進行信息交換的通道 接口的功能： （ 1）數(shù)據(jù)緩沖與鎖存功能 （ 2）地址譯碼和設(shè)備選擇功能 （ 3）接收并執(zhí)行 CPU命令，控制和監(jiān)測外設(shè)的功能 （ 4）數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換功能 （ 5）信號轉(zhuǎn)換功能 （ 6）中斷或 DMA管理功能 （ 7）可編程功能 接口的類型 按接口使用的功能特征分類： 專用接口 通用接口 按數(shù)據(jù)傳送方式分類： 并行接口 串行接口 按輸入 /輸出的信號類型分類： 數(shù)字接口 模擬接口 按使用的靈活性分類： 可編程接口 不可編程接口 CPU與外設(shè)交換的信息類型 CPU I/O裝置 控制信息 狀態(tài)信息 數(shù)據(jù)信息 控制信息 狀態(tài)信息 數(shù)據(jù)信息 數(shù)字量 模擬量 開關(guān)量 接口電路的一般結(jié)構(gòu) 外 部 設(shè) 備 控制信息 狀態(tài)信息 數(shù)據(jù)信息 CB AB DB 接口電路 總線 驅(qū)動 地址 譯碼 控制 邏輯 數(shù)據(jù) 寄存器 狀態(tài) 寄存器 控制 寄存器 CPU I/O端口的編址方法 I/O獨立編址方式 存儲器映像編址方式 接口技術(shù)的現(xiàn)狀及發(fā)展 基于現(xiàn)代化集成技術(shù)及計算機技術(shù)的發(fā)展，目前的接口幾乎都是中、大規(guī)模甚至超大規(guī)模集成芯片，并且是可編程的，具有較好的通用性，可以實現(xiàn)實時、多任務(wù)、并行操作 接口技術(shù)的發(fā)展趨勢： ① 向大規(guī)模和超大規(guī)模、超高速芯片方向發(fā)展 ② 向智能化、系列化和一體化方向發(fā)展 ③ 隨著多媒體、超媒體技術(shù)的出現(xiàn)，相應(yīng)的接口器件也會不斷涌現(xiàn) 輸入 /輸出控制方式 程序控制方式 無條件傳送方式（同步傳送方式） 在外設(shè)或控制過程的各種動作的 時間是固定的、且已知 的情況下， CPU可以直接與外設(shè)傳遞數(shù)據(jù)而 不必預(yù)先檢查外設(shè)的狀態(tài) 。 16K 4位 RD WE A13 A0 … 字、位擴展 地 址 譯 碼 器 Y3 Y2 Y1 Y0 B A A15 A14 D7 … D4 D3 … D0 WE CE RD P0 16K 4位 WE CE RD P1 16K 4位 WE CE RD P2 16K 4位 WE CE RD P3 16K 4位 分析：用 16K 4位的存儲器芯片組成 64K 8位的存儲器，需多少片這樣的芯片？如何連接？ 分析： 64K 16K =4 (片 /組 ) 字?jǐn)U展： 8位 4位 =2 (片 ) 位擴展： 64K 8位 16K 4位 = 8 (片 ) 存儲器容量擴展 8088CPU與存儲器的連接 典型 CPU與存儲器的連接 BHE 8088 A19~A0 D7~D0 存儲體 D7~D0 A19~A0 A19~A0 地址鎖存器 8086CPU與存儲器的連接 AB DB DB BHE 8086 A19~A0 D7~D0 D15~D8 奇 地址存儲體 D15~D8 SEL A19~A1 偶 地址存儲體 D7~D0 SEL A19~A1 A19~A1 A0 BHE 地址鎖存器 典型 CPU與存儲器的連接 80286CPU與存儲器的連接 AB DB DB BHE 80286 A23~A0 D7~D0 D15~D8 奇 地址存儲體 D15~D8 SEL A23~A1 偶 地址存儲體 D7~D0 SEL A23~A1 A23~A1 A0 BHE 地址鎖存器 典型 CPU與存儲器的連接 32位 CPU與存儲器的連接 典型 CPU與存儲器的連接 30線 SIMM SIMM 和 DIMM 單列直插式存儲器 (SIMM)和雙列直插式存儲器（ DIMM）是把內(nèi)存儲器芯片焊接在條形印刷電路板上制成的，俗稱內(nèi)存條。 16K 4位 WE CE RD P139。 系統(tǒng)復(fù)位時自動進入實模式 ， 并可以從一種模式切換到另一種模式 （ 7） 系統(tǒng)使用 64位的外部數(shù)據(jù)總線 ， 提高了數(shù)據(jù)傳輸速度；采用 PCI局部總線；系統(tǒng)內(nèi)部還增強了錯誤檢測與報告 、 支持多重處理等功能 Pentium系列微處理的內(nèi)部結(jié)構(gòu) Pentium系列微處理 習(xí)題與思考 簡述 8086CPU中 BIU和 EU的功能 Pentium微處理器的數(shù)據(jù) Cache和指令 Cache各有 何作用？ 填空 ? 決定 8086/8088工作方式的引腳是 ________ ? 8086的 1個總線周期包括 ________________4個時鐘周期 ? 物理地址＝ ______地址 16＋ _______地址 T T T T4 基 偏移 名詞解釋 指令周期、總線周期、時鐘周期 MN/MX 判斷對錯 √ ( ) 當(dāng) CPU執(zhí)行 OUT 25H， AL指令時，其引腳 M/IO=0， RD=1， WR=0， A7~A0組合為 00100101B 存儲器概述 存儲器的分類 按在系統(tǒng)中的作用分類 內(nèi)存 (主存儲器或主存 ) / 外存 (輔助存儲器或輔存 ) 按存儲介質(zhì)類 半導(dǎo)體存儲器 / 磁存儲器 / 光存儲器 按存儲器的存取方式分類 只讀存儲器 / 隨機存取存儲器 / 順序存取存儲器 / 直接存取存儲器 按存儲信息的可保存性分類 易失性存儲器 / 非易失性存儲器 存儲器的主要性能指標(biāo) 微型計算機系統(tǒng)存儲器的性能指標(biāo)很多，如存儲容量、存取速度、存儲器的可靠性、功耗、價格、性能價格比及電源種類等，最重要的性能指標(biāo)是存儲容量和存取速度 存儲器容量 存儲容量是指存儲器可以容納的二進制信息的總量 存取速度 存取時間 ：從 CPU發(fā)出有效的存儲器地址到讀出或 寫入數(shù)據(jù)完畢所經(jīng)歷的時間 存儲周期 ：連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器讀／寫操作 所需的最小時間間隔 主存儲器的基本結(jié)構(gòu) 存儲控制邏輯 地址寄存器 地址譯碼器 存儲體 … 讀寫驅(qū)動器 數(shù)據(jù)寄存器 … 控制總線 地址總線 （ n 位） 數(shù)據(jù)總線 （ m 位） 半導(dǎo)體存儲器 半導(dǎo)體存儲器 隨機存取存儲器 （ RAM） 只讀存儲器（ ROM） 雙極型 RAM MOS型 RAM 掩 模 ROM 可編程 ROM（ PROM） 可擦除可編程 ROM（ EPROM） 電可擦除可編程 ROM（ E2PROM） 靜態(tài) RAM（ SRAM） 動態(tài) RAM（ DRAM） 隨機存取存儲器 RAM SRAM的基本存儲電路 基本存儲電路是指存儲一位二進制數(shù)的電路，又稱單元電路，是組成存儲器的基礎(chǔ)和核心 靜態(tài) RAM（ SRAM） T5 T6 T1 T2 T3 T4 Vcc B A 字線 位 線 D D 位 線 SRAM的結(jié)構(gòu) 靜態(tài) RAM（ SRAM） ? 存儲體 ? 地址譯碼器 ? 讀寫控制電路 ? I/O電路 典型 SRAM芯片 靜態(tài) RAM Intel 2114引腳圖 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS GND Vcc A7 A8 A9 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 WE 18 17 16 15 14 13 12 11 10 2114 靜態(tài) RAM Intel 6116引腳圖 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND Vcc A8 A9 WE OE A10 CS D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 6116 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 靜態(tài) RAM（ SRAM） 動態(tài) RAM（ DRAM） 單管 DRAM基本存儲電路 刷新放大器 T 行選擇線 列選擇線 C 數(shù)據(jù)輸入 /輸出線 典型 DRAM芯片 Intel 2164引腳圖 NC Din WE RAS A0 A1 A2 Vcc Vss CAS Dout A6 A3 A4 A5 A7 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 2164 DRAM的刷新方式 周期性地對動態(tài)存儲器進行讀出、放大、再寫回 動態(tài) RAM（ DRAM） 只讀存儲器 ROM 掩膜只讀存儲 ROM 掩模式 ROM在制造時設(shè)計掩模版，用其來控制存儲內(nèi)容，在出廠時已完全固定下來，用戶使用時無法更改 D2 D1 D0 Vcc D3 單元 0（ 0101） 字 地 址 譯 碼 器 字線 1 字線 2 字線 3 字線 4 單元 1（ 1101） 單元 2（ 1010） 單元 3（ 0100） A1 A0 可編程只讀存儲器 PROM PROM存儲矩陣內(nèi)所有字線與位線的交叉處均連接有二極管或三級管，即出廠時，存儲單元的內(nèi)容是全“ 1”（或全“ 0”），使用時，用戶根據(jù)自己的需要，將某些位的內(nèi)容改寫（燒斷熔絲）即可，但只能改寫一次 PROM基本存儲電路 字線 Vcc 位線 熔絲 可擦除可編程只讀存儲器 EPROM SiO2 浮柵 P+ P+ D S N襯底 + + + + EPROM基本存儲電路 EPROM芯片的頂部有一個圓形的石英窗口，通過紫外線的照射可將片內(nèi)所有存儲信息擦除，根據(jù)需要可利用 EPROM的專用編程器對其編程寫入，寫入后的信息可長久保持， EPROM芯片可反復(fù)使用 電可擦除可編程 只讀存儲器 E2PROM E2PROM是一種可用電擦除和編程的只讀存儲器，既可以像 RAM一樣隨機地進行在線改寫，又可以像 ROM一樣在掉電的情況下非易失地保存數(shù)據(jù)，其擦寫次數(shù)可達 1萬次以上，數(shù)據(jù)可保存 10年以上，可作為系統(tǒng)中可靠保存數(shù)據(jù)的存儲器，故 E2PROM比 EPROM具有更大的優(yōu)越性 快擦除讀寫存儲器 Flash Memory Flash Memory兼有 ROM和 RAM的性能和高密度性，具有可靠的非易失性、快速電擦除性，其制造成本低、功耗低、可重復(fù)使用，可以擦寫百萬次以上 自編程序，用于工業(yè)控制或電器中 PROM 用于產(chǎn)品試制階段試編程序 EPROM IC卡上存儲信息 E2PROM 固態(tài)盤、 IC卡 Flash Memory 固化程序、微程序控制器 ROM 主存儲器 DRAM Cache SRAM 應(yīng) 用 存儲器 半導(dǎo)體存儲器接口 存儲器芯片與 CPU連接時 必須注意的問題 CPU總線的負載能力 CPU時序與存儲器芯片存取速度之間的匹配 存儲器的地址分配 存儲器的選址 （ 1）線選法 （ 2）部分譯碼法 （ 3）