【正文】 在滿足工藝生產(chǎn)前提下，選用先進、高效性能的。系統(tǒng)的抗干擾措施該系統(tǒng)從軟件與硬件兩個方面來增強抗干擾措施，主要手段有：(1)外部輸入信號與控制系統(tǒng)信號不共地；(2)有的外部輸入信號輸入到單片機內(nèi)部之前都經(jīng)過嚴(yán)格的光耦電路加以隔離；(3)優(yōu)化PCB布線結(jié)構(gòu)，減少過孔，以降低寄生電容雜散電感的影響；(4)保證整個系統(tǒng)可靠接地；(5)外部信號采用屏蔽電纜線傳輸；(6)軟件上增加軟件濾波、看門口定時器與軟件陷阱等措施，保證軟件在出現(xiàn)死機、跑飛等故障時能夠自我恢復(fù)；(7)系統(tǒng)重要保護如限位保護均從軟件與硬件上加以雙重保護，以提高其可靠性。主循環(huán)程序不斷檢測系統(tǒng)的運行狀態(tài)，如果滿足復(fù)位條件便發(fā)出指令轉(zhuǎn)入復(fù)位子程序，迅速將電池板轉(zhuǎn)到適當(dāng)?shù)奈恢煤蟠龣C以等待新的指令；校驗子程序?qū)ο到y(tǒng)重新進行校驗，并將新的位置檢驗值存儲到單片機內(nèi)部自帶的E2PROM中作為新的位置基準(zhǔn)，他可以用來消除系統(tǒng)的累積誤差，同時也方便了系統(tǒng)的安裝與調(diào)試；系統(tǒng)通常運行在自動跟蹤狀態(tài)，單片機時刻檢測太陽與電池板實際位置間的差值并結(jié)合啟動條件發(fā)出相應(yīng)的PWM脈沖，來控制電機轉(zhuǎn)動；此外主循環(huán)程序還不斷檢測當(dāng)前太陽與電池板的位置，將位置信息通過數(shù)據(jù)總線與RS 232分別送到液晶顯示與PC機監(jiān)控軟件系統(tǒng)中，并將有關(guān)位置參數(shù)及時存到單片機的E2PROM中。控制單元軟件設(shè)計軟件是該控制系統(tǒng)的核心，除一些保護自鎖功能通過硬件實現(xiàn)外，大部分功能均通過軟件來實現(xiàn)，整個軟件采用C語言模塊化編程方式，易于系統(tǒng)的移植與集成。 (5)系統(tǒng)的保護功能主要包括大風(fēng)保護、電網(wǎng)掉電保護、振動過大保護、限位開關(guān)與接近開關(guān)保護組成，單片機檢測到保護信號產(chǎn)生時，便發(fā)出指令將系統(tǒng)停放在安全的位置上，確保整個系統(tǒng)不受損壞?？刂茊卧布O(shè)計由于采用了單片機作為主控制單元，大部分工作都由單片機在軟件中實現(xiàn)，從而簡化了控制電路的硬件設(shè)計，簡要說明主要控制部分的實現(xiàn)過程。系統(tǒng)功能說明如下：單片機循環(huán)檢測光伏陣列的位置，并將其與計算出的此時本地太陽的高度角與方位角進行比較來確定光伏陣列是否跟蹤上太陽的位置，如果沒有且啟動信號滿足啟動條件，單片機就發(fā)出指令驅(qū)動電機轉(zhuǎn)動；保護信號是保證系統(tǒng)在外界以及其他非人為因素情況下所執(zhí)行的一種操作指令，以確保系統(tǒng)不受損壞，從而提高了整個系統(tǒng)的可靠性。自動太陽跟蹤器的控制方式主要有微處理器控制、PLC控制、DSP控制與模擬電路控制4種形式，根據(jù)以上原理，本項目選擇性價比較高的PIC16F877A單片機為控制核心，系統(tǒng)實現(xiàn)的具體原理框圖如圖所示：整個控制器主要由控制單元與驅(qū)動執(zhí)行機構(gòu)2部分組成。太陽赤緯角與時角可以由本地時間確定，而對確定的地點，本地的緯度角也是確定，因此只要輸入當(dāng)?shù)叵嚓P(guān)地理位置與時間信息就可以確定此時此刻的太陽位置。 該系統(tǒng)時刻檢測太陽與光伏陣列的位置并將其輸入到控制單元，控制單元對這2個信號進行比較并產(chǎn)生相應(yīng)的輸出信號來驅(qū)動旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，使太陽光時刻垂直入射到光伏陣列的表面上。本項目伺服系統(tǒng)以PIC16F877A單片機為控制核心，設(shè)計了一種自動跟蹤太陽高度角與方位角轉(zhuǎn)動的自動太陽跟蹤器，該系統(tǒng)跟蹤準(zhǔn)確、能耗低、可靠性高、系統(tǒng)性能穩(wěn)定，發(fā)電效率提高35％以上。為了最大程度地利用太陽能，高效能的太陽能電池和先進的太陽發(fā)電自動光源跟蹤系統(tǒng)（追日系統(tǒng)）必不可少。然而它也存在著間歇性、光照方向和強度隨時間不斷變化的問題, 這就對太陽能的收集和利用提出了更高的要求。組件測試：測試的目的是對電池的輸出功率進行標(biāo)定，測試其輸出特性，確定組件的質(zhì)量等級。焊接接線盒：在組件背面引線處焊接一個盒子，以利于電池與其他設(shè)備或電池間的連接。邊框和玻璃組件的縫隙用硅酮樹脂填充。修邊：層壓時EVA熔化后由于壓力而向外延伸固化形成毛邊，所以層壓完畢應(yīng)將其切除。我們使用快速固化EVA時，層壓循環(huán)時間約為25分鐘。組件層壓：將敷設(shè)好的電池放入層壓機內(nèi)，通過抽真空將組件內(nèi)的空氣抽出，然后加熱使EVA熔化將電池、玻璃和背板粘接在一起；最后冷卻取出組件。敷設(shè)時保證電池串與玻璃等材料的相對位置，調(diào)整好電池間的距離，為層壓打好基礎(chǔ)。多出的焊帶在背面焊接時與后面的電池片的背面電極相連，將焊接好的電池串按正反順序排放到放有EVA的鋼化玻璃上。焊接用的熱源為一個紅外燈（利用紅外線的熱效應(yīng)）。以提高電池的利用率，做出質(zhì)量合格的電池組件。一、工藝流程電池檢測→自動焊接→敷設(shè)→層壓→去毛邊（去邊、清洗）→裝邊框（涂膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠）→焊接接線盒→高壓測試→組件測試→外觀檢驗→包裝入庫。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證，而且還增強了電池的抗擊強度。預(yù)燒結(jié)階段目的是使?jié){料中的高分子粘合劑分解、燃燒掉，此階段溫度慢慢上升；燒結(jié)階段中燒結(jié)體內(nèi)完成各種物理化學(xué)反應(yīng)，形成電阻膜結(jié)構(gòu)，使其真正具有電阻特性，該階段溫度達(dá)到峰值；降溫冷卻階段，玻璃冷卻硬化并凝固，使電阻膜結(jié)構(gòu)固定地粘附于基片上。當(dāng)銀電極和晶體硅在溫度達(dá)到共晶溫度時，晶體硅原子以一定的比例融入到熔融的銀電極材料中去，從而形成上下電極的歐姆接觸，提高電池片的開路電壓和填充因子兩個關(guān)鍵參數(shù)，使其具有電阻特性，以提高電池片的轉(zhuǎn)換效率。由于漿料的粘性作用使印跡固著在一定范圍內(nèi)，印刷中刮板始終與絲網(wǎng)印版和基片呈線性接觸，接觸線隨刮刀移動而移動，從而完成印刷行程。其工作原理為：利用絲網(wǎng)圖形部分網(wǎng)孔透過漿料，用刮刀在絲網(wǎng)的漿料部位施加一定壓力，同時朝絲網(wǎng)另一端移動。制造電極的方法很多，而絲網(wǎng)印刷是目前制作太陽能電池電極最普遍的一種生產(chǎn)工藝。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當(dāng)?shù)奶岣?。一般情況下，使用這種等離子增強型化學(xué)氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。PECVD即等離子增強型化學(xué)氣相沉積。六、鍍減反射膜拋光硅表面的反射率為35%，為了減少表面反射，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，需要沉積一層氮化硅減反射膜。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸與二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。P2O5與Si反應(yīng)又生成SiO2和磷原子，這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱之為磷硅玻璃。五、去磷硅玻璃該工藝用于太陽能電池片生產(chǎn)制造過程中，通過化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸，以去除擴散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。因為正是PN結(jié)的形成，才使電子和空穴在流動后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導(dǎo)線將電流引出，就是直流電。這種方法制出的PN結(jié)均勻性好，方塊電阻的不均勻性小于百分之十，少子壽命可大于10ms。把P型硅片放在管式擴散爐的石英容器內(nèi)，在850900攝氏度高溫下使用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器，通過三氯氧磷和硅片進行反應(yīng)，得到磷原子。管式擴散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。去除硅片表面損傷層是太陽電池制造的第一道常規(guī)工序，主要是通過化學(xué)腐蝕，硅片化學(xué)腐蝕的主要目的是消除切片帶來的表面損傷，同時也能起到一定的絨面效果，從而減少光反射。二、表面制絨首先用堿（或酸）腐蝕硅片，以去除硅片表面機械損傷。在進行少子壽命和電阻率檢測之前，需要先對硅片的對角線、微裂紋進行檢測，并自動剔除破損硅片。該組設(shè)備分自動上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個檢測模塊。一、硅片檢測硅片是太陽能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對來料硅片進行檢測。④提高切割速度，實現(xiàn)自動化切割。②斷面完整性好，消除拉絲、刀痕和微裂紋。本項目采用多線切割工藝。切片工藝技術(shù)直接關(guān)系到硅片的質(zhì)量和成品率。因此，硅片的切割，即通常所說的切片，是整個硅片加工的重要工序。這一流程也包括了太陽能電池制造階段硅片的表面處理工序，在連續(xù)生產(chǎn)中可以歸并。同時坩堝工作臺緩慢下降，使凝固好的硅錠離開加熱區(qū)，維持固液界面有一個比較穩(wěn)定的溫度梯度，在這個過程中，要求工作臺下降非常平穩(wěn)，以保證獲得平面前沿定向凝固。工藝特點：工作臺通冷卻水，上置一個熱開關(guān)，坩堝則位于熱開關(guān)上。本項目生產(chǎn)所用結(jié)晶爐是采用熱交換與布里曼相結(jié)合的技術(shù)。布里曼法則是在硅料熔化后，將坩堝或加熱元件移動使結(jié)晶好的晶體離開加熱區(qū)，而液硅仍然處于加熱區(qū)，這樣在結(jié)晶過程中液固界面形成比較穩(wěn)定的溫度梯度，有利于晶體的生長。在實際生產(chǎn)中，太陽能電池多晶硅錠的定向凝固生長方法主要有澆鑄法、熱交換法（H EM）、布里曼（B ridgem an）法、電磁鑄錠法，其中熱交換法與布里曼法通常結(jié)合在一起。通常在熱過冷及自由凝固的情況下會形成等軸晶，其特點是晶粒細(xì)，機械物理性能各向同性。爐內(nèi)的傳熱、傳質(zhì)、流體力學(xué)、化學(xué)反應(yīng)等過程都直接影響到單晶的生長及生長成的單晶的質(zhì)量，拉晶過程中可直接控制的參數(shù)有溫度場、籽晶的晶向、坩堝和生長成的單晶的旋轉(zhuǎn)及提升速率，爐內(nèi)保護氣體的種類、流向、流速、壓力等。本項目采用中國電子科技集團公司第四十八研究所研發(fā)的擁有先進技術(shù)的CZ900A型單晶爐，是一種軟軸提拉型單晶爐，在惰性氣體（氬氣）的保護環(huán)境中，以石墨電阻加熱器，將多晶硅材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶棒的設(shè)備。目前國內(nèi)太陽電池單晶硅硅片生產(chǎn)廠家大多采用這種技術(shù)。目前航天領(lǐng)域用的太陽電池所用硅片主要用這種方式生長。本項目確定生產(chǎn)單晶硅錠、多晶硅錠及硅片（WAFER）。第二節(jié) 單晶硅錠、多晶硅錠及硅片（WAFER）工藝技術(shù)方案目前世界太陽能電池產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，在所有安裝的太陽能電池中，超過90% 以上的是晶體硅太陽能電池，因此位于產(chǎn)業(yè)鏈前端的硅錠及硅片的生產(chǎn)對整個太陽能電池產(chǎn)業(yè)有著很重要的作用。五、基礎(chǔ)設(shè)施條件重點實施了污水處理廠、水廠、變電站、路橋、熱力、綠化、雨污泵站、土方回填等“十大工程”建設(shè)，完善了基礎(chǔ)設(shè)施配套體系，基本實現(xiàn)道路、供電、供排水、通訊等“七通一平”，配套十分方便。東營港、廣利港、飛機場和規(guī)劃建設(shè)中的黃東大鐵路、環(huán)渤海高速路和均近在遲遲，距濟南、青島、天津、北京分別為5小時的路程。萬元生產(chǎn)總值能耗、二氧化硫和化學(xué)需氧量排放繼續(xù)下降。經(jīng)濟總量邁上新臺階。地?zé)豳Y源主要分布在渤海灣南新戶、太平、義和、孤島、五號樁地區(qū)及廣饒、利津部分地區(qū)，地?zé)岙惓^(qū)1150平方公里，1010立方米，1015千焦耳，108噸。沿海淺層鹵水儲量2億多立方米，深層鹽礦、鹵水資源主要分布在東營凹陷地帶，推算儲量達(dá)1000多億噸。礦產(chǎn)資源主要有石油、天然氣、鹵水、煤、地?zé)?、粘土、貝殼等。黃河是境內(nèi)主要客水水源，多年平均徑流量為358億立方米，年際間豐枯變化較大，近幾年年均引水量10億立方米左右，基本滿足了區(qū)域工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)用水和生態(tài)用水需要。水資源，多集中在夏季，大部分排入海洋，利用率較低。其中耕地、園地、林地、%；居民點、%；，%。近海在黃河及其它河流作用下，含鹽度低，含氧量高，有機質(zhì)多，餌料豐富，適宜多種魚蝦類索餌、繁殖、洄游。東營海域為半封閉型，大部岸段的潮汐屬不規(guī)則半日潮，每日2次，~2米，大潮多發(fā)生于3~4月和7~11月，潮位最高超過5米。海水溫度、鹽度受大陸氣候和黃河徑流的影響較大。沿岸海底較為平坦，%，%。“0”。以黃河為分界線，黃河以南屬淮河流域，有小清河及其支流淄河、陽河、泥河子、預(yù)備河，支脈河及其支流小河子、武家大溝、廣蒲河、五干排，廣利河及其支流溢洪河、東營河、老廣蒲河、五六干合排、六干排，永豐河及其支流三排溝，張鎮(zhèn)河、小島河20條河流；黃河以北屬海河流域，有潮河及其支流褚官河、太平河，馬新河，沾利河，草橋溝，草橋溝東干流，挑河，神仙溝及其支流新衛(wèi)東河10條河流。比多年平均值少17%,屬枯水枯沙年份。1999年后，黃河水利委員會加大對沿黃地區(qū)引水的管理力度，斷流現(xiàn)象趨緩，2000~2007年實現(xiàn)不斷流。據(jù)利津水文站1950~2001年實測資料，(1964年)，(1997年)；最大流量為10400立方米每秒(1958年7月)，最小流量為斷流干河；，最大21億噸(1958年)，(1997年)。河流黃河?xùn)|營段上起濱州界，自西南向東北貫穿東營市全境，在墾利縣東北部注入渤海，全長138公里。黃河穿境而過，背河方向近河高、遠(yuǎn)河低，背河自然比降為1/7000，河灘地高于背河地2~4米，形成“地上懸河”。地勢沿黃河走向自西南向東北傾斜。地形、地貌及地質(zhì)東營市地處華北坳陷區(qū)之濟陽坳陷東端，地層自老至新有太古界泰山巖群，古生界寒武系、奧陶系、石炭系和二疊系，中生界侏羅系、白堊系，新生界第三系、第四系；缺失元古界，古生界上奧陶統(tǒng)、志留系、泥盆系、下古炭統(tǒng)及中生界三疊系?！?，無霜期長達(dá)206天，≥10℃的積溫約4300℃，可滿足農(nóng)作物的兩年三熟。主要氣象災(zāi)害有霜凍、干熱風(fēng)、大風(fēng)、冰雹、干旱、澇災(zāi)、風(fēng)暴潮災(zāi)等。二、自然條件氣候條件東營市地處中緯度，背陸面海，受亞歐大陸和西太平洋共同影響，屬暖溫帶大陸性季風(fēng)氣候，氣候溫和，四季分明。東、北臨渤海。07 ′～119176。55′～38176。良好的基礎(chǔ)，可保證項目的順利實施、有效運轉(zhuǎn)；項目的廠址選擇充分考慮企業(yè)的實際能力和長遠(yuǎn)發(fā)展，做到了統(tǒng)籌兼顧、經(jīng)濟合理、優(yōu)化配置、節(jié)省資源。綜合分析廠址方案，認(rèn)為具有以下優(yōu)勢：符合規(guī)劃：本工程廠址位于XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX符合開發(fā)區(qū)的規(guī)劃要求。二、產(chǎn)品方案太陽能級晶體硅片規(guī)格：厚度200微米，邊長125mm及以上的準(zhǔn)方形片或方形片產(chǎn)量：年產(chǎn)硅片約100 MW質(zhì)量指標(biāo)：型號電阻率(Ω㎝)厚度(m)尺寸(mm)氧含量碳含量TV(m)TTV(m)P180200125*125及以上準(zhǔn)方形11018 /㎝351016 /cm32030晶體硅太陽能電池片規(guī)格：125*125mm及以上產(chǎn)量：年產(chǎn)晶體硅太陽能電池片25 MW電池組件規(guī)格：單晶125系列 單晶