【正文】 BeO為劇毒材料，且不易排除，容易積存于人體內(nèi)， PbO及 Sb2O3則屬高毒性材料。),抗激光損傷 (□□□ 強 , □□ 中 , □ 弱 ) 應(yīng)力 (T 張應(yīng)力 .C 壓應(yīng)力 ),抗潮性 (1優(yōu) ,2中 ,3差 ) 材料 熔點/℃ 蒸發(fā)溫度/℃ 蒸發(fā)方法 密度 (g/cm3) 折射率 透明區(qū)/μ m 牢固度 Al2O3 2020 2100 B(W),E ( m,40℃) ( m,40℃) H,□□□ ,1 AlOxNy RE,RS ( m) ( m) H,1 AlF3 900 B ( m) S,T,小 Bi2O3 860 1400 R(Pt),RS ( m) (9μ m) FH,1 BiF3 727 300 B(C) E (1μ m) (10μ m) M,C,1 64 材料 熔點/℃ 蒸發(fā)溫度/℃ 蒸發(fā)方法 密度 (g/cm3) 折射率 透明區(qū)/μ m 牢固度 BaF2 1280 700 B (1μ m) (8μ m)(10μ m) M,T小 ,2 CaF2 1360 1280 B(W,Ta,Mo) ( m) FH,T小 ,1 CeF3 1460 1350 B(W),E ( m,300℃) FH,T大 ,1 CdS 1750 800 B(Pt,Ta) ( m,30℃) S,C,2 CdTe 1041 450 B(Mo) (1μ m) (10μ m) H,□ ,C,2 CeO2 1950 1600 B(W),E ( m,30℃) ( m,250℃) H,C,1 CdSe 1350 700 B(W) (1μ m) M,□ ,2 CsBr 636 400 B(W,Mo) ( m) ( m) S,3 CsI 626 500 B ( m) S,3 Cr2O3 2275 1900 B(W),E ( m) FH,1 C(金剛石 ) 3700 2601 E (4μ m) H,1 Dy2O3 2340 1400 E ( m,350℃) ( m,350℃) FH,1 Eu2O3 2050 E ( m,350℃) FH,1 Fe2O3 1565 E ( m) M,1 Ge 959 1600 B(C) E (2μ m,30℃) H,□ ,T大 ,1 65 材料 熔點/℃ 蒸發(fā)溫度 /℃ 蒸發(fā)方法 密度 (g/cm3) 折射率 透明區(qū) /μ m 牢固度 GaAs 1238 850 E (5μ m) M,2 Gd2O3 2340 2200 RS,E ( m) FH,1 HfO2 2812 2700 E,RS ( m,250℃) ( m)(8μ m) M,□□□ ,1 Ho2O3 2365 E ( m,350℃) FH,1 InAs 943 雙源 S,1 InSb 535 雙源 S In2O3 1565 R(W),E ( m) H,1 LiF 870 870 B(Mo,Ta) ( m) S,□□□ ,T小 ,3 LaF3 1490 1490 B(W,Mo) ( m,30℃) ( m,300℃) FH,□□□,T大 ,1 La2O3 2250 1500 B(W),E ( m) ( m) 2 H,1 MgF2 1266 1540 B(W,Ta,Mo) ( m) H,□□□ ,T大 ,1 MgO 2800 2600 B(W,Ta),E ( m,50℃) H,□□ ,C大 ,3 NaF 992 988 B(Mo) ( m) S,□□ ,3 Na3AlF6 1000 1000 B(Mo,Ta) ( m) S,□ ,T小 ,3 Nb2O5 1530 1600 E ( m) H,□□ ,1 66 材料 熔點/℃ 蒸發(fā)溫度/℃ 蒸發(fā)方法 密度 (g/cm3) 折射率 透明區(qū)/μ m 牢固度 Nd2O3 1900 1900 B(W,Mo),E ( m,30℃) ( m,260℃) H,1 NdF3 1410 1400 B(Ta,Mo) ( m,300℃) M,2 PbTe 971 850 B(Ta) (5μ m) 30 S,□ ,1 PbCl2 501 B(Pt,Mo) ( m) (10μ m) 14 M,T小 ,3 PbF2 822 850 B(W,Pt) ( m,30℃) ( m,30℃) 20 S,□ ,T,2 Pr6O11 2125 2100 B(W),E ( m) FH,1 Sc2O3 2300 E ( m) FH,1 Se 1430 437 B(W,Ta,Mo) (2μ m) FH,3 Sb2O3 656 400 B(Ta,Pt) ( m) ( m) S,C小 ,1 Sb2S3 550 370 B(Ta,Mo) ( m) S,2 SnO2 1127 B(W),E ( m) H,T小 ,1 Si 1420 1500 E,S (3μ m) FH,□ ,C大 ,1 SiO 1700 1300 B(Ta,Mo,W) ( m,30℃) H,□□ ,C,1 67 材料 熔點 /℃ 蒸發(fā)溫度 /℃ 蒸發(fā)方法 密度 (g/cm3) 折射率 透明區(qū) /μ m 牢固度 SiO2 1700 1600 E ( m) H,□□□ ,C小 ,1 Si3N4 RS ( m) H,1 SrF2 1190 B(W,Mo) ( m) M,2 SmF3 B,E ( m) FH,2 Sm2O3 2350 E ( m,300℃) FH,1 Te 452 550 B(Ta) (6μ m) FH,3 TiO2 1850 2022 RE,RS ( m,30℃) ( m,220℃) H,□□ ,1 Ta2O5 1800 2100 RE,RS ( m,250℃) FH,□□ ,1 ThF4 1110 1100 B(Ta,Mo) ( m,35℃) (10μ m) M,□□□ ,T小 ,1 YbF3 1157 E ( m) (10μ m) M,2 Y2O3 2410 2400 E ( m,250℃) H,□ ,1 ZnO 1975 1100 B(W,Mo) ( m) S,1 ZnS 1900 1100 B(Ta,Mo) ( m) ( m) 14 M,□ ,C,1 ZnSe 1530 950 B(Ta,Mo) ( m) ( m) 15 S,2 68 材料 熔點/℃ 蒸發(fā)溫度 /℃ 蒸發(fā)方法 密度 (g/cm3) 折射率 透明區(qū) /μ m 牢固度 ZrO2 2715 2700 E ( m,30℃) ( m,200℃) H,□ ,T大 ,1 H1(ZrO2+TiO2) E ( m) H,1 H2(Pr6O11+TiO2) E ( m) H,1 H4(La2O3+TiO2) E ( m,300℃) H,1 M1(Pr6O11+Al2O3) E ( m,300℃) H,1 69 １ .3：毒性 前面講的物理氣相沉積法（ PVD)在真空中所用的鍍膜材料不如化學(xué)實驗所用的材料具有毒性，但仍有幾點必須注意。M中等 。RS:反應(yīng)濺射 2: 折射率后括號內(nèi)數(shù)字為波長或基板溫度 3: 硬度 (H 極硬 。E:電子束 R:反應(yīng)蒸發(fā) 。 此外，氣相混合膜法還可用來制備折射率非均勻膜。 用共濺法制備的 TiO2SiO2和 CeO2SiO2膜，折射率均勻，重復(fù)性達(dá) 177。若使用的波域不寬，則可用對成膜堆來組成所需要的折射率。兩者皆可用電子槍來蒸鍍，而 Ge亦可