變溫霍爾實(shí)驗(yàn)ppt課件(參考版)
2025-05-09 18:07本頁(yè)面
【正文】 ? (2) 室溫附近：此時(shí)雜質(zhì)已全部電離，載流子濃度基本不變，這時(shí)晶格散射起主要作用，使 μp隨 T的升高而下降，導(dǎo)致 σ隨 T的升高而下降，見(jiàn)圖中（ b）段 . ? (3) 高溫區(qū)：在這區(qū)域中，本征激發(fā)產(chǎn)生的載流子濃度隨溫度升高而指數(shù)地劇增，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò) μp的下降作用，致使 σ隨 T而迅速增加，見(jiàn)圖中（ c）段 . 遷移率 單晶硅中電子遷移率和溫度及雜質(zhì)濃度的關(guān)系（晶格和雜質(zhì)散射） 非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體 謝 謝 。 數(shù)據(jù)分析 數(shù)據(jù)分析 ? 現(xiàn)以 p型半導(dǎo)體為例分析： ? (1) 低溫區(qū)：在低溫區(qū)雜質(zhì)部分電離，雜質(zhì)電離產(chǎn)生的載流子濃度隨溫度升高而增加，而且 μp在低溫下主要取決于雜質(zhì)散射，它也隨溫度升高而增加。 (11)式中分母增大， RH減小，將會(huì)達(dá)到一個(gè)負(fù)的極值。 2() ()( ) ( )pnHpnA p n A p n bRq p n q p n b????? ?????數(shù)據(jù)分析 ? 對(duì)于本征半導(dǎo)體，或是溫度在本征范圍內(nèi)的雜質(zhì)半導(dǎo)體，因 n=p， RH0，隨著溫度的升高， n和 p都會(huì)增大， RH的絕對(duì)值減小。 七、數(shù)據(jù)分析 22 39。 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 數(shù)據(jù)處理 ? 判斷樣品的導(dǎo)電類(lèi)型 . ? 計(jì)算室溫下的霍爾系數(shù)及電導(dǎo)率，并計(jì)算樣品的載流子濃度和霍爾遷移率 . ? 由變溫測(cè)量的數(shù)據(jù)，做出以下幾條隨溫度變化的曲線(xiàn) 1HR T?1T? ?1H T? ? 六、霍爾效應(yīng)中的副效應(yīng) 在霍爾系數(shù)的測(cè)量中，會(huì)伴隨一些由熱磁效應(yīng)、電極不對(duì)稱(chēng)等因素引起的
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