電路和電路元ppt課件(參考版)
2025-05-07 07:13本頁面
【正文】 飽和漏極電流 IDSS — 耗盡型 MOS管參數(shù)。 特性曲線和主要參數(shù) 1. 特性曲線 輸出特性： ()D D S G Si f U U?? 常 數(shù)轉(zhuǎn)移特性： ()D G S D Si f U U?? 常 數(shù)uD S/ VOiD/ m A1 02 01234可 變 電 阻 區(qū)線 性 放 大 區(qū)UG S= 2 VUG S= 1 VUG S= 0 VUG S= 1 VuG S/ VOiD/ m A 221UG S ( o f f )UD S= 1 0 VID S S耗盡型 NMOS管的特性曲線 uG SOiDUG S ( t h )UG S ( t h )uG SiDO增強(qiáng)型 MOS管的轉(zhuǎn)移特性 NMOS管 PMOS管 2. 主要參數(shù) 夾斷電壓 UGS(off) — 耗盡型 MOS管參數(shù)。 UGS控制 ID— 電壓控制型器件。 ◆ 增強(qiáng)型 NMOS管結(jié)構(gòu) 在二氧化硅絕緣層中摻入少量正離子，尚未形成導(dǎo)電溝道 , 只有加入足夠大的 UGS時(shí)才形成導(dǎo)電溝道。 IC與 UCE基本無關(guān)。 β IB△ UC E+△ IB△ IC△ UB E+rb eB CErb=200Ω IE單位 mA。 電壓控制電壓源（ VCVS） 電壓控制電流源（ VCCS） 電流控制電壓源（ CCVS） 電流控制電流源（ CCCS） 四種類型： 四種受控源符號： +U2= μ U1+U1I2= g U1+U1+U2= γ I1I1I2= β I1I1VCVS VCCS CCVS CCCS 2．晶體管的簡化小信號模型 晶體管工作在放大區(qū)，即 : BEC+△ UB E+△ UC E△ IB△ IC BE之間，工作在輸入特性 的近似線性區(qū)，用電阻 rbe模擬。 2 uCE/V O iC/mA 4 6 8 2 4 6 8 100μA IB=0 飽和區(qū) 截止區(qū) 放大區(qū) 80μA 60μA 40μA 20μA 放大區(qū)： IC=βIB 特點(diǎn)：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，有放大作用 ——用于放大電路。 ☆ 輸出特性曲線： iB=f (uBE)|UCE=常數(shù) iC=f (uCE)|iB=常數(shù) B E C － + uBE － + uCE iC iB 80 40 UCE1V uBE/V O iB/μA 2 uCE/V O iC/mA 4 6 8 2 4 6 8 100μA IB=0 飽和區(qū) 截止區(qū) 放大區(qū) 80μA 60μA 40μA 20μA 截止區(qū)： IB=0 曲線一下區(qū)域 特點(diǎn)：集電結(jié)、發(fā)射結(jié)均反向偏置，無放大作用， IC=ICEO≈0 ，集電極與發(fā)射極相當(dāng)于斷開的開關(guān) ——用于開關(guān)電路。 N N P E B C IC + UBB + UCC IB IE RB RC ☆電流放大作用： 小的基極電流變化量 → 大的集電極電流變化量，具有電流放大作用，電流控制作用 —— 電流控制型器件。 進(jìn)入基區(qū)的電子載流子少量與基區(qū)空穴復(fù)合 ， 電源 UBB向基區(qū)補(bǔ)充空穴 →基極電流 IB。 1. 基本結(jié)構(gòu)和符號 NPN型 P N N C E B 集電結(jié) 發(fā)射結(jié) 發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū) B E C PNP型 B E C P N C E B 集電結(jié) 發(fā)射結(jié) 發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū) P 1. 基本結(jié)構(gòu)和符號 ●兩個(gè) PN結(jié)：發(fā)射結(jié)、集電結(jié) ●三個(gè)電極：發(fā)射極 E、基極 B、集電極 C ● 三個(gè)區(qū)：發(fā)射區(qū) — 雜質(zhì)濃度高 （ 多數(shù)載流子最多 ） 集電區(qū) — 雜質(zhì)濃度高 ,比發(fā)射區(qū)稍低 基 區(qū) — 雜質(zhì)濃度相對很低 2. 電流放大作用 ? 條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。 2. 光電二極管 工作在反向偏置狀態(tài)，光照射后反向?qū)?，?dǎo)通電流與光照強(qiáng)度相關(guān)。當(dāng)反向電壓加到某一定值時(shí)，反向電流急增，產(chǎn)生反向擊穿 不至于損壞的最大電流 穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)。 caII2I1R3 k Ω+Us 2Us 1+D2bD13 V1 2 V 進(jìn)入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流 由一個(gè) PN結(jié)組成，反向擊穿后在一定的電流范圍內(nèi)端電壓基本不變，為穩(wěn)定電壓。 D1一旦導(dǎo)通， Uab=,Va=－ 3+=－ ， D2處于反向截止?fàn)顟B(tài)。 例 1 設(shè)右圖中二極管導(dǎo)通時(shí)的正向壓降為 ，試分析 DD2的工作情況并求 I值。 二極管特性曲線 理想二極管：導(dǎo)通時(shí)正向壓降為零，截止時(shí)反向電流為零的二極管。 二極管的工作點(diǎn)和理想特性 二極管的工作點(diǎn) R+UDID+UsD靜態(tài)電阻： 直流電路中二極管的兩端電壓與斷電流的比值： DDDURI?動(dòng)態(tài)電阻 DDDdUrdI?UD=US－ RID UD US ID Q N O M US R iD uD 二極管自身的特性曲線與電路約束關(guān)系曲線的交點(diǎn)稱為二極管的工作點(diǎn) Q（ UD ,ID） . 練習(xí)：在上面的電路圖中，US=、 R=2V、二極管的導(dǎo) 通電壓取 ，求工作點(diǎn) Q. 解： UD=, ID=()/2=2A 二極管的理想特性 考慮正向?qū)▔航? 忽略正向?qū)▔航? OuDiDUO NOuDiD二極管電路的分析方法 分析關(guān)鍵：判斷二極管是否導(dǎo)通。 (3) 反向電流 IR： 二極管未擊穿時(shí)的反向電流，值越小，單向?qū)щ娦栽胶?。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管
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