【摘要】中國(guó)第三大城市600年悠久歷史11,900平方公里土地1000萬(wàn)人口中國(guó)北方最大的工商業(yè)城市-天津交通運(yùn)輸四通八達(dá)?9條高速?6條國(guó)道公路104北京天津開(kāi)發(fā)區(qū)天津津唐京沈津薊津保津晉京滬京福京津塘
2025-05-07 04:02
【摘要】 重慶西永微電子工業(yè)園景觀規(guī)劃設(shè)計(jì) 摘要:在高技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi),創(chuàng)新環(huán)境,以科學(xué)文化氣氛,以激勵(lì)科技人員的創(chuàng)造思維和企業(yè)家的創(chuàng)業(yè)精神。規(guī)劃高檔次的居住社區(qū)及商業(yè)設(shè)施。將微電子工業(yè)園建成一座環(huán)...
2025-01-14 22:13
【摘要】微電子工業(yè)園建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告1微電子工業(yè)園建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告微電子工業(yè)園建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告2目錄1總論.......................................1基本情況...........................................................................
2025-05-17 01:00
【摘要】電工電子技術(shù)歡迎學(xué)習(xí)歡迎學(xué)習(xí)電工電子技術(shù)第第1章章電路分析基礎(chǔ)電路分析基礎(chǔ)第第2章章正弦交流電路正弦交流電路第第3章章三相交流電路三相交流電路第第4章章磁路與變壓器磁路與變壓器第第5章章異步電動(dòng)機(jī)及其控制異步電動(dòng)機(jī)及其控制電工電子技術(shù)理解電流、電壓參考方向的問(wèn)理解電流、電壓參考方向的問(wèn)題;掌握基爾霍夫定律及其具體
2025-01-18 04:23
【摘要】重慶XX電子工業(yè)園建設(shè)情況的調(diào)研報(bào)告重慶作為西部唯一的直轄市,近年來(lái)的經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展有目共睹。但信息產(chǎn)業(yè)一直是工業(yè)發(fā)展中的一條短腿,影響著全市工業(yè)整體水平的提升和5444戰(zhàn)略任務(wù)的完成。市委市政府高瞻遠(yuǎn)矚,在分析國(guó)內(nèi)外經(jīng)濟(jì)發(fā)展趨勢(shì),結(jié)合我市比較優(yōu)勢(shì)后,作出了在沙坪壩西部新城規(guī)劃建設(shè)重慶西永微電子工業(yè)園(以下簡(jiǎn)稱“微電子園”)的重大戰(zhàn)略決策。
2025-07-17 19:04
【摘要】××有限公司××汽車(chē)電子工業(yè)園建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告二〇一三年四月十二日目錄第一章總論................................
2024-12-05 12:17
【摘要】PN結(jié)的開(kāi)關(guān)特性PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,可?dāng)作開(kāi)關(guān)使用。理想開(kāi)關(guān)的特性直流特性:“開(kāi)”態(tài)時(shí)電壓為0,“關(guān)”態(tài)時(shí)電流為0。瞬態(tài)特性:打開(kāi)的瞬間應(yīng)立即出現(xiàn)穩(wěn)態(tài)電流,關(guān)斷的瞬間電流應(yīng)立即消失。本節(jié)將討論實(shí)際PN結(jié)的開(kāi)
2025-05-02 02:11
【摘要】集成電路制造工藝?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過(guò)程封裝測(cè)試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過(guò)程:設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過(guò)程框架From吉利久
2025-05-05 18:06
【摘要】.新建電子工業(yè)園項(xiàng)目可行性研究報(bào)告第一章項(xiàng)目總論 第二章項(xiàng)目背景和發(fā)展概況 第三章市場(chǎng)分析與建設(shè)規(guī)?! 〉谒恼陆ㄔO(shè)條件與廠址選擇 第五章工廠技術(shù)方案 第六章環(huán)境保護(hù)與勞動(dòng)安全 第七章企業(yè)組織和勞動(dòng)定員 第八章項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度安排 第九章投資估算與資金籌措
2025-05-13 07:12
【摘要】厚聲電子工業(yè)有限公司制程流程圖編制:(Ms.)LiuAiPing審核:(Mr.)ZhaoWuYan日期:UNIROYALELECTRONICSINDUSTRYCO.,LTD.ProcessFlow-ChartsPreparedby:Ap
2024-10-06 17:33
【摘要】北京大學(xué)大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)3.1半導(dǎo)體集成電路概述集成電路(IntegratedCircuit,IC)芯片(Chip,Die)硅片(Wafer)集成電路的成品率:Y=硅片上好的芯片數(shù)硅片上總的芯片數(shù)100%成品率的檢測(cè),決定工藝的穩(wěn)定性,成品率對(duì)集成電路廠家很重要集成電路發(fā)展的原動(dòng)力:不斷提高的性能
2025-01-09 13:30
【摘要】當(dāng)在p-n結(jié)外加一電壓,將會(huì)打亂電子和空穴的擴(kuò)散及漂移電流間的均衡.如中間圖所示,在正向偏壓時(shí),外加的偏壓降低跨過(guò)耗盡區(qū)的靜電電勢(shì).與擴(kuò)散電流相比,漂移電流降低了.由p端到n端的空穴擴(kuò)散電流和n端到p端的電子擴(kuò)散電流增加了.因此,少數(shù)載流子注入的現(xiàn)象發(fā)生,亦即電子注入p端,
2025-05-02 01:58
【摘要】短溝道效應(yīng)當(dāng)MOSFET的溝道長(zhǎng)度L↓時(shí),分立器件:集成電路:??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短,將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現(xiàn)象在短溝道MOSFET中變得嚴(yán)重起來(lái),這一系
2025-05-02 00:54
【摘要】電子工業(yè)園建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告電子工業(yè)園建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告電子工業(yè)園建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告目錄1總論.........................................................................................1基本情況................................
2025-05-02 08:44
【摘要】第十章微電子工藝實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1.熱氧化生長(zhǎng)二氧化硅:主要內(nèi)容包括熱氧化工藝,二氧化硅膜的腐蝕,二氧化硅膜厚度測(cè)量等。2.熱擴(kuò)散對(duì)硅片進(jìn)行摻雜:主要內(nèi)容包括熱擴(kuò)散工藝,二氧化硅膜的腐蝕,方塊電阻的測(cè)量等。3.在硅片上蒸發(fā)鋁圖形:主要內(nèi)容包括光刻工藝,蒸發(fā)工藝,剝離法(lift-off)圖形化工藝等。
2025-05-02 01:06