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太陽(yáng)能電池:基本理論與工藝(參考版)

2025-05-06 04:45本頁(yè)面
  

【正文】 )ox i derea r c on tactfi n ge r i nv e r t ed p y ra m i d sS i O2an t i refl ec t i onc oa ti ng效率: % LFC (laser fired contact) 背面全部 SiO2鈍化 激光燒結(jié)接觸點(diǎn) 德國(guó) Fraunhofer ISE 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 180 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 181 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 182 厚度的影響 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 183 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 184 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 185 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 186 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 187 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 188 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 189 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 190 方塊電阻 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 191 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 192 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 193 半導(dǎo)體基本概念(二) ? 減反射薄膜原理與制備技術(shù) , 化學(xué)氣相沉積的原理 , 陷光效率的原理與實(shí)現(xiàn) 。 )o x id er e a r c o n t a c tf in g e r in v e r t e d p y r a m i d sp+p+p+d o u b l e l a y e ra n t ir e f l e c t io nc o a t i n g效率為 % PERL (passivated emitter, rear locallydiffused) cell structure. P型襯底 全硼背場(chǎng) 到金子塔 雙肩反射層 背面氧化層鈍化 發(fā)射結(jié)重?fù)? 趙建華 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 178 全硼背場(chǎng) N型襯底 PERT (passivated emitter, rear totallydiffused) 太陽(yáng)電池 n+nn s i li c o n t h i n o x id e ( ~ 2 0 0 197。 凡是實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)提出的問題,都是我們研究的對(duì)象。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 146 新技術(shù)的突破 ?實(shí)驗(yàn)研究: ? 提高效率 +1% ? 進(jìn)一步降低成本 1%, 10%, 50% 薄膜、薄、多晶硅、顆粒帶硅等等。 ?表征分析, ? 太陽(yáng)能電池研究過程中,遇到的技術(shù)和科學(xué)問題,必須進(jìn)行測(cè)試和理論分析。提高電池效率,降低太陽(yáng)能電池成本。但是隨著電池效率的升高和電池厚度變薄,降低背面復(fù)合也是非常必要的。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 136 柵線 ?收集電流。 ?摻雜濃度偏高,有利于降低電阻損耗,傳輸光生載流子。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 133 擴(kuò)散層 (ntype) ?擴(kuò)散層:負(fù)極 ?基底:正極 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 134 擴(kuò)散層厚度 (1微米 ) ?大量的太陽(yáng)光是在擴(kuò)散層被吸收的,這一層比較薄,使得更多的光生載流子在一個(gè)擴(kuò)散長(zhǎng)度范圍內(nèi)產(chǎn)生,從而被 pn結(jié)收集。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 132 電阻率 (~1歐姆厘米 ) ?高的摻雜濃度,可以產(chǎn)生高的開路電壓,并降低電池串聯(lián)電阻。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 131 電池厚度 (100500微米 ) ?具有陷光和良好表面反射層的電池,其厚度100微米,就可以了。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 126 串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻的分辨 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 127 影響量子效率的因素 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 128 電池結(jié)構(gòu)與效率 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 129 ?對(duì)于一個(gè)單結(jié)太陽(yáng)能電池,假如表面反射、載流子收集、以及串并聯(lián)電阻,都得到優(yōu)化,他的理論最高效率: 25% 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 130 材料選擇 (一般是硅 ) ?原料豐富 ?工藝成熟 ?禁帶寬度略低, ?間接禁帶半導(dǎo)體,光吸收系數(shù)小,但通過陷光結(jié)構(gòu)可以克服。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 115 降低表面與界面復(fù)合 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 116 背場(chǎng)電池 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 117 背表面復(fù)合速率對(duì)電池參數(shù)的影響 表面復(fù)合 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 118 串聯(lián)電阻 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 119 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 120 薄層電阻 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 121 發(fā)射層電阻 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 122 接觸電阻 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 123 柵線設(shè)計(jì) 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 124 串聯(lián)電阻的來(lái)源與影響 發(fā)射區(qū) 基區(qū) 接觸電阻 降低填充因子,特別大的串聯(lián)電阻還降低短路電流。小的并聯(lián)電阻提供了光生電流的另一個(gè)通道,而不再通過負(fù)載。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 111 電荷收集 電池的量子效率可以作為評(píng)價(jià)光生載流子復(fù)合效應(yīng)的手段。 ? 在局域高復(fù)合區(qū)(未被鈍化的表面或者多晶器件的晶界),載流子必須產(chǎn)生于近結(jié)的地方而不是近復(fù)合區(qū);在局域較為輕的復(fù)合區(qū)(鈍化的表面),載流子可以產(chǎn)生于近復(fù)合區(qū),可以不被復(fù)合而擴(kuò)散到結(jié)的區(qū)域。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念(一) 109 為了更有限地收集 pn結(jié)的光生載流
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