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正文內(nèi)容

數(shù)字電路復(fù)習(xí)筆記(參考版)

2025-04-20 01:44本頁(yè)面
  

【正文】 編碼:用二進(jìn)制數(shù)碼表示各個(gè)量化電平的過(guò)程。量化:采樣值電平歸化到與其接近的離散點(diǎn)評(píng)上。 A/D轉(zhuǎn)換器A/D轉(zhuǎn)換過(guò)程:采樣、保持、量化、編碼采樣:將時(shí)間上連續(xù)變化的信號(hào)轉(zhuǎn)換為時(shí)間上離散的信號(hào)。:①比例系數(shù)誤差:運(yùn)放的實(shí)際轉(zhuǎn)換特性曲線斜率與理想特性曲線斜率的偏差②失調(diào)誤差:運(yùn)算放大器的零點(diǎn)漂移造成(輸出特性曲線整體偏移),與輸入無(wú)關(guān)③非線性誤差:一種沒(méi)有規(guī)律的誤差。D/A轉(zhuǎn)換器的主要技術(shù)指標(biāo)::模擬輸出電壓可能被分隔的等級(jí)數(shù)。圖113 倒T型電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器原理圖與權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)相比,開(kāi)關(guān)決定了是接入運(yùn)放的同相輸入端還是反相輸入端。D/A轉(zhuǎn)換器的主要電路形式(主要是解碼網(wǎng)絡(luò)的形式不同)圖112 權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器原理圖開(kāi)關(guān)決定輸入是高電平還是地,而電阻阻值的大小呈2倍遞增,構(gòu)成位權(quán),保證對(duì)應(yīng)的電流呈遞減,運(yùn)放作為比例求和電路。從某種程度上說(shuō),數(shù)模轉(zhuǎn)換,就是將二進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換成十進(jìn)制數(shù)。 D/A轉(zhuǎn)換器D/A轉(zhuǎn)換器一般由數(shù)碼緩沖寄存器、模擬電子開(kāi)關(guān)、參考電壓、解碼網(wǎng)絡(luò)和求和電路構(gòu)成。4位ROM,畫存儲(chǔ)矩陣連線圖圖106 例10—1 ROM存儲(chǔ)矩陣連線圖Chapter11 數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換模擬量:時(shí)間、數(shù)值都是連續(xù)的。 ROM圖10—3 ROM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖圖10—4 二極管ROM電路對(duì)這種電路的理解,一定先要聯(lián)系之前學(xué)過(guò)的分立元件邏輯門電路,主要是二極管構(gòu)成的與門和非門。(2)字?jǐn)U展:地址位的擴(kuò)展,數(shù)據(jù)總線不變,地址線并聯(lián),增加的地址線用地址譯碼器實(shí)現(xiàn)片選控制信號(hào)的選擇。RAM讀操作的時(shí)序:(1)欲讀出單元的地址加到存儲(chǔ)器的地址輸入端;(2)加入有效的選片信號(hào)CS;(3)在線上加高電平,經(jīng)過(guò)一段延時(shí)后,所選擇單元的內(nèi)容出現(xiàn)在I/O端;(4)讓選片信號(hào)CS無(wú)效,I/O端呈高阻態(tài),本次讀出過(guò)程結(jié)束。5. 片選控制:受到RAM集成度的影響,存儲(chǔ)系統(tǒng)一般是由多片RAM組成,同一時(shí)刻,CPU只能訪問(wèn)某些RAM,因此就要通過(guò)片選控制選擇存儲(chǔ)器的使用狀態(tài)。如果是讀,則被選中單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)經(jīng)數(shù)據(jù)線、輸入/輸出線傳送給CPU;如果是寫,則CPU將數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)輸入/輸出線、數(shù)據(jù)線存入被選中單元。:址譯碼器的作用,是將寄存器地址所對(duì)應(yīng)的二進(jìn)制數(shù)譯成有效的行選信號(hào)和列選信號(hào),從而選中該存儲(chǔ)單元。 RAMRAM的結(jié)構(gòu):存儲(chǔ)矩陣、地址譯碼器、讀寫控制器、輸入/輸出控制、片選控制等幾部分圖10—1 RAM的結(jié)構(gòu)示意框圖:RAM的核心部分是一個(gè)寄存器矩陣,用來(lái)存儲(chǔ)信息,稱為存儲(chǔ)矩陣。它包含有SRAM(static靜態(tài))和DRAM(dynamic 動(dòng)態(tài))兩種類型,前者用觸發(fā)器記憶數(shù)據(jù),后者靠MOS管柵極電容存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。RAM是一種時(shí)序邏輯電路,具有記憶功能。根據(jù)數(shù)據(jù)寫入方式的不同,ROM又可分成固定ROM和可編程ROM(Progrmmable Read Only Memory,PROM)。其他形式的多諧振蕩器:Chapter10 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和可編程器件半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)特別是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的重要組成部件,它可分為RAM和ROM兩大類,絕大多數(shù)屬于MOS工藝制成的大規(guī)模數(shù)字集成電路。 用555定時(shí)器構(gòu)成的多諧振蕩器多諧振蕩器是指一種能夠產(chǎn)生矩形脈沖信號(hào)的電路,產(chǎn)生的脈沖信號(hào)具有較為陡峭的矩形脈沖信號(hào)的上升沿和下降沿。,而與外界的觸發(fā)信號(hào)脈沖寬度和幅度無(wú)關(guān)(輸出脈沖寬度就是暫穩(wěn)態(tài)維持時(shí)間,也就是定時(shí)電容的充電時(shí)間。,輸出進(jìn)入暫穩(wěn)態(tài),暫穩(wěn)態(tài)與穩(wěn)態(tài)一定是反相的。 用555定時(shí)器構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器:電路達(dá)到穩(wěn)定后,只有一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)的觸發(fā)器。,輸出信號(hào)電壓的轉(zhuǎn)換具有突變性(輸出波形接近于理想的矩形脈沖信號(hào))。施密特觸發(fā)器分為兩種,同相型和異相型,同相型指輸入電平由低到高的過(guò)程中,輸出是低電平,而異相型卻是高電平,即根據(jù)輸入的初始狀態(tài)與輸出的狀態(tài)判斷同相或異相。對(duì)電路的分析關(guān)鍵還是在于對(duì)基本RS觸發(fā)器的分析。移位寄存器的作用Chapter9 555定時(shí)器及多諧振蕩器 555定時(shí)器 555定時(shí)器的結(jié)構(gòu)及工作原理555定時(shí)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu):。對(duì)于只有兩態(tài)輸出的寄存器,一般用D觸發(fā)器作為其基本單元,對(duì)于有三態(tài)輸出的寄存器,則由三態(tài)或門構(gòu)成。鎖存器僅用于存儲(chǔ)二進(jìn)制代碼,在CP信號(hào)作用下,其存儲(chǔ)數(shù)碼的存儲(chǔ)時(shí)間是一個(gè)時(shí)鐘脈沖周期。僅有并行輸入、輸出數(shù)據(jù)功能的寄存器習(xí)慣稱為鎖存器;具有串行輸入、輸出數(shù)據(jù)功能的,或者同時(shí)具有串行和并行輸入、輸出數(shù)據(jù)功能的寄存器稱為移位寄存器。分頻表示變化頻率是原脈沖的N分之一,也即周期是原脈沖的N倍。集成計(jì)數(shù)器芯片
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