【正文】 由于UPS電源中所使用的電器、電子元件品種較多，時間和篇幅限制就介紹這些，下面主要介紹北京地鐵1號線信號電源系統(tǒng)所涉及的UPS電源柜、智能電源屏、電池組以及UPS、智能電源屏監(jiān)控方面知識進(jìn)行介紹，并以工業(yè)級CDT15KHW 機型為主進(jìn)行簡要介紹和實際操作方法解說，希望對通過這些介紹，給大家在UPS電源、智能電源屏的實際操作中，能得到啟發(fā)和幫助.。反復(fù)調(diào)節(jié)WWW3，讀數(shù)即可符合要求。該表的調(diào)試也十分簡單：導(dǎo)線中的電流為零時，調(diào)節(jié)WW2使DVM的示值為零。 用UGN3501T可以十分方便地組成如下圖所示的電流傳感器(電流表)。UGN350lT是一種目前較常用的三端型線性霍爾元件。由霍爾效應(yīng)的原理知，霍爾電勢的大小取決于：式中，Rh為霍爾常數(shù)，它與半導(dǎo)體材質(zhì)有關(guān)；IC為霍爾元件的偏置電流；B為磁場強度；d為半導(dǎo)體材料的厚度。 由實驗可知，流入激勵電流端的電流I越大、作用在薄片上的磁場強度B越強，霍爾電勢也就越高。 原理簡述如下：激勵電流I從a、b端流入，磁場B由正上方作用于薄片，這時電子e的運動方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力FL的作用，向內(nèi)側(cè)偏移，該側(cè)形成電子的堆積，從而在薄片的c、d方向產(chǎn)生電場E。 霍爾電流傳感器 半導(dǎo)體薄片置于磁感應(yīng)強度為B的磁場中，磁場方向垂直于薄片，如圖所示。sID=25A,VGS=10V,di/dt=100A/181。sVCC=600V1關(guān)斷時間Toff181。15V1開通時間ton181。500漏極漏電流IDSSmAVDS=1000V,VGS=01漏源電壓VDSSVID= 10mA,VGS=01000門源電壓VGS(off)VVDS=5V, ID= 25mA36漏源飽和壓降VDSSVID= 25A,VGS=15V35輸入電容CpFVDS=10V,VGS=0,f=1MHz3000開關(guān)時間上升時間tr181。 IGBT的特點⑴. IGBT的伏安特性與二極管的通態(tài)特性沒有多大差別,即使是阻斷電壓額定值很高的器件,從圖中看出,IGBT的過流能力IF主要由柵壓UG決定,而與正偏壓無關(guān). IF UG UR 0 UF IR IGBT的輸出特性⑵.當(dāng)IGBT的柵極導(dǎo)電溝道充分開啟,其集電極電流的伏安特性(上圖中第一象限)是指數(shù)函數(shù),而VMOS和GTR皆為線性特性,因而在同樣的耐壓額定值下,對于600V等級的器件,IGBT的過流能力是VMOS的20倍左右,是GTR的5倍左右. ⑶.IGBT關(guān)斷過程柵壓UG的下降速率決定于放電電阻RG的大小,所以可以通過改變RG來改變器件通過電流的下降速率.⑷. IGBT具有卓越的高溫通態(tài)特性,在散熱器接近200℃的情況下也能正常工作,特別適合于環(huán)境溫度很高的惡劣工作條件.⑸. IGBT在高溫環(huán)境運行時,關(guān)斷時間會有所增長,這一點值得注意. IGBT的電氣特性為了說明IGBT的具體特性和參數(shù),以日本東芝公司的MG25N2S1型25A/1000V IGBT模塊為例給出特性表如下: 東芝公司MG25N2S1的電氣特性表 (TC=25℃)項 目符 號單位測 試 條 件最 小標(biāo) 準(zhǔn)最 大通態(tài)電流IDA25門極漏電流IGSSnAVGS=177。門極施以正電壓時，MOSFET內(nèi)形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導(dǎo)通。對于P溝道IGBT，其圖形符號中的箭頭方向恰好相反。產(chǎn)品已實現(xiàn)模塊化，根據(jù)封裝型式分為四類：⑴ 單獨IGBT，容量一般為15~600A，600V~1200V；⑵ 半橋IGBT，容量一般為15~100A，600V~1200V；⑶ 全橋IGBT，容量一般為15~50A，600V~1200V；⑷ 三相IGBT，容量一般為15~600A，600V~1200V；IGBT的等效電路如下圖a)所示： a). IGBT等效電路 b). IGBT圖形符號圖中看出IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件，MOSFET為驅(qū)動元件。 絕緣柵雙極晶體管（IGBT） 絕緣柵雙極晶體管簡稱IGBT,是由N MOS(場效應(yīng)晶體管)和GTR （功率晶體管）技術(shù)結(jié)合而成的復(fù)合器件,是二十世紀(jì)八十年代出現(xiàn)的新型復(fù)合器件,在電機控制、中頻、開關(guān)電源和UPS電源，以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域備受青睞。但考慮到目前國內(nèi)外對普通晶閘管制造和應(yīng)用技術(shù)的成熟程度，在實際應(yīng)用中更多采用兩個反向并聯(lián)的普通晶閘管（應(yīng)用方便制造商早已提供兩個普通晶閘管做在一起的模塊）代替雙向晶閘管作靜態(tài)開關(guān)，雖然其控制線路稍為復(fù)雜，但其可靠性更高，更受用戶歡迎。 靜態(tài)開關(guān) 靜態(tài)開關(guān)是一種雙向交流電子開關(guān)元件的簡稱，其實質(zhì)就是一種雙向晶閘管（又稱雙向可控硅），它的電氣圖形如下圖所示： 門極（G） 門極（G2） A K AK2 KA2 門極（G1） 雙向晶閘管 兩個普通晶閘管反并聯(lián)圖中A為雙向晶閘管的陽極，K為雙向晶閘管的陰極，G為雙向晶閘管的門極（又稱控制極）；A1為正向普通晶閘管1的陽極，K1為正向普通晶閘管1的陰極，G1為正向普通晶閘管1的門極；A2為反向普通晶閘管2的陽極，K2為反向普通晶閘管2的陰極，G2為反向普通晶閘管2的門極。電原理圖如下圖示：電源濾波器電原理圖在現(xiàn)代UPS不論小容量還是大容量等級的UPS電源為了避免電網(wǎng)諧波對UPS的電磁干擾和UPS產(chǎn)生的諧波對住處技術(shù)設(shè)備（負(fù)載）的電磁干擾，無一例外地在UPS的電源輸入端加裝濾波器，我們稱之為輸入電源濾波器，在UPS輸出端加裝濾波器，我們稱之為輸出濾波器。在UPS中用它來降低輸入電壓和限制電路啟動電流的作用，其單位為亨（H）、毫亨（mH），普通電抗器其電抗值一般為毫亨（mH）數(shù)量級。 降壓變壓器，變壓器的次級電壓比初級電壓低的變壓器。 升壓變壓器，變壓器的次級電壓比初級電壓高的變壓器。 離變壓器，變壓器的初、次級電壓相同的變壓器。 電流互感器 用于交流電流表的測量附件，接法如下圖所示： 圖中看出，交流電源線就是電流互感器初級線圈，測量線圈為互感器的次級線圈，按國家標(biāo)準(zhǔn)，電流互感器在不同電流檔次的次級電流均選用5A，如50A/5A、100A/5A等等。如下圖示： 頻率表用于測量電源的頻率的儀表,UPS在逆變狀態(tài)下的頻率測量是UPS電源性能的一項重要指標(biāo),有的用戶要求除了在液晶顯示屏顯示電源的頻率外,還要求用指針式頻率表實時檢測電源的頻率,頻率表在電路中的接法,如下圖所示:、電流互感器：用作直流電流表的測量附件，接法如下圖:國家標(biāo)準(zhǔn)分流器在不同電流檔均選用75mV，例如50A/75mV、100A/75mV等等，即不同擋次的電流通過分流器在分流器上產(chǎn)生的電壓壓降均定為75mV。s。如果低壓配電系統(tǒng)輸出端沒有設(shè)置C級以下防雷系統(tǒng)、機房離低壓配電輸出較遠(yuǎn)或雷擊易發(fā)地區(qū)等環(huán)境建議選擇該配件。其中熱雙金屬脫扣器，用于小信號過電流范圍，電磁式瞬時脫扣器是用于高倍過電流和短路電流范圍。3) 其額定工作電流在2A≤In≤63A范圍（有的產(chǎn)品其額定電流可以到125A）,斷路器首先是用作電纜和電線的短路和過載保護(hù)，它承擔(dān)防止電器設(shè)備發(fā)熱過高的保護(hù)任務(wù)，也能切實防止因絕緣故障引起過高的接觸電壓而出現(xiàn)危險的人體電流。2) 磁保護(hù)器的選擇: 根據(jù)磁保護(hù)器的設(shè)計, 一般磁保護(hù)元件在額定輸出電流的310倍時開始動作, 其產(chǎn)生保護(hù)動作的時間也是由輸出電流的倍數(shù)決定,這個動作時間與輸出電流的倍數(shù)的關(guān)系,不同品牌的斷路器是不同的, 選用時應(yīng)給于充分的考慮。此時若指定使用可自動再起動的設(shè)備，則發(fā)生危險的可能性很大。216。一些被稱為“循環(huán)自動跳閘”的斷路器在故障期間不能強行保持接通狀態(tài)，但如果傳動器一直處在“接通”的位置，則它們將周期性地接通和斷開。 自動跳閘：一個自動跳閘的斷路器在故障期間不會一直保持閉合，因為開關(guān)裝置不會因強行保持傳動器接通而失效。安全管理部門要求這些電器在發(fā)生掉電時必須切斷電源，以避免電源恢復(fù)時電器突然重新啟動的危險。 低壓跳閘：這是斷路器中一個獨立的電壓敏感元件，如果電壓降到預(yù)定值以下，它將使主接點開路。遙控跳閘是復(fù)式控制的一個例子，通常被稱為“繼電器跳閘”。 復(fù)式控制（遙控跳閘或繼電器跳閘）：復(fù)式控