【摘要】第1章電力電子器件填空題:________狀態(tài)。,電力電子器件功率損耗主要為________,而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí),功率損耗主要為________。,一般由________、________、________三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過沖,往往需添加________。,電力電子器件可分為___
2024-10-27 21:45
【摘要】好文檔盡在阿燈免費(fèi)目錄第1章電力電子器件 1第2章整流電路 4第3章直流斬波電路 20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路 26第5章逆變電路 31第6章PWM控制技術(shù) 35第7章軟開關(guān)技術(shù) 40第8章組合變流電路 42第1章電力電子器件
2025-06-21 13:42
【摘要】電力電子技術(shù)必做習(xí)題解答第1章1.1.把一個(gè)晶閘管與燈泡串聯(lián),加上交流電壓,如圖1-37所示問:(1)開關(guān)S閉合前燈泡亮不亮?(2)開關(guān)S閉合后燈泡亮不亮?(3)開關(guān)S閉合一段時(shí)間后再打開,斷開開關(guān)后燈泡亮不亮?原因是什么?答:(1)不亮;(2)亮;(3)不亮,出現(xiàn)電壓負(fù)半周后晶閘管關(guān)斷。2.2.在夏天工作正常的晶閘管裝置到冬天變得不可靠,可能是什么現(xiàn)象和原因?冬天
2025-06-21 13:36
【摘要】........目錄第1章電力電子器件 1第2章整流電路 4第3章直流斬波電路 20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路 26第5章逆變電路 31第6章PWM控制技術(shù) 35第7章
2025-06-24 23:43
【摘要】第2章電力電子器件3.圖1-43中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值I1、I2、I3。圖1-43晶閘管導(dǎo)電波形解:a)Id1==()ImI1==Imb)Id2==()ImI2==c)
【摘要】電力電子技術(shù)習(xí)題集標(biāo)*的習(xí)題是課本上沒有的,作為習(xí)題的擴(kuò)展習(xí)題一*試說明什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)及其作用。答:當(dāng)PN結(jié)通過正向大電流時(shí),大量空穴被注入基區(qū)(通常是N型材料),基區(qū)的空穴濃度(少子)大幅度增加,這些載流子來不及和基區(qū)的電子中和就到達(dá)負(fù)極。為了維持基區(qū)半導(dǎo)體的電中性,基區(qū)的多子(電子)濃度也要相應(yīng)大幅度增加。這就意味著,在大注入的條件下原始基片的電阻率實(shí)際上大大
2025-06-30 16:13
【摘要】....電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可
2025-06-26 20:09
【摘要】電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)2011一、選擇題(每小題10分,共20分)1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差?????A???度。A、180°,?B、60°,?c、360°,?D、120°2、α為?
2025-06-03 07:08
【摘要】第1章電力電子器件1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正向陽極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)?;颍簎AK0且uGK0。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷,可利用外加電壓和
2025-06-21 13:41
【摘要】第一章復(fù)習(xí)題?答:當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí),僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能導(dǎo)通。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:(1)維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。(2)若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,只能利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下,即降到維持電流以下,便可使
【摘要】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-20 07:00
【摘要】1電力電子技術(shù)練習(xí)題一、填空題_______,決定發(fā)熱的因素是流過該管的電流_______。(GTO),在導(dǎo)通后處于________狀態(tài)。為使它關(guān)斷,所需加的反向門極電流要達(dá)到陽極電流的________。,雙向晶閘管常采用________和________兩種觸發(fā)方式。,其輸出電壓的脈動(dòng)頻率是________,
2024-11-11 05:28
【摘要】《電力電子技術(shù)》(??频诙?習(xí)題解答第1章思考題與習(xí)題?導(dǎo)通后流過晶閘管的電流和負(fù)載上的電壓由什么決定?答:晶閘管的導(dǎo)通條件是:晶閘管陽極和陽極間施加正向電壓,并在門極和陽極間施加正向觸發(fā)電壓和電流(或脈沖)。導(dǎo)通后流過晶閘管的電流由負(fù)載阻抗決定,負(fù)載上電壓由輸入陽極電壓UA決定。? 如何實(shí)現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時(shí)其兩端的電壓大小由什么決定?答:晶閘管的關(guān)
2025-03-28 06:06
【摘要】電力電子技術(shù)習(xí)題集習(xí)題一1.試說明什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)及其作用。2.晶閘管正常導(dǎo)通的條件是什么,導(dǎo)通后流過的電流由什么決定?晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷的條件是什么,如何實(shí)現(xiàn)?3.有時(shí)晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通后,觸發(fā)脈沖結(jié)束后它又關(guān)斷了,是何原因?4.圖1-30中的陰影部分表示流過晶閘管的電流波形,其最大值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值、有效值。如不考慮安全裕量,額定電流100A
2025-06-03 00:05
【摘要】《電力電子技術(shù)》習(xí)題及解答龍巖學(xué)院物機(jī)學(xué)院第1章思考題與習(xí)題?導(dǎo)通后流過晶閘管的電流和負(fù)載上的電壓由什么決定?答:晶閘管的導(dǎo)通條件是:晶閘管陽極和陽極間施加正向電壓,并在門極和陽極間施加正向觸發(fā)電壓和電流(或脈沖)。導(dǎo)通后流過晶閘管的電流由負(fù)載阻抗決定,負(fù)載上電壓由輸入陽極電壓UA決定。? 如何實(shí)現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時(shí)其兩端的電壓大小由什么決定?
2025-08-14 05:53