【摘要】天津冶金職業(yè)技術(shù)學(xué)院2020——2020學(xué)年第(二)學(xué)期期末考試《電力電子技術(shù)》試卷B班級(jí):電氣,電子專業(yè)姓名--------------------------------------------------------------------------------------
2024-10-27 21:44
【摘要】天津冶金職業(yè)技術(shù)學(xué)院2020——2020學(xué)年第(二)學(xué)期期末考試《電力電子技術(shù)》試卷A班級(jí):電氣,電子專業(yè)姓名--------------------------------------------------------------------------------------
2024-10-25 15:48
【摘要】天津冶金職業(yè)技術(shù)學(xué)院2022——2022學(xué)年第(二)學(xué)期期末考試《電力電子技術(shù)》試卷A班級(jí):電氣,電子專業(yè)姓名-題號(hào)一二三四五合計(jì)得分一、填空(每空1分,36分)1、請(qǐng)?jiān)谡_的空格內(nèi)標(biāo)出
2025-01-10 22:09
2024-10-22 13:09
【摘要】專業(yè)班級(jí):姓名:學(xué)號(hào):…………………………密………………………………封………………………………線…………………………河南理工大學(xué)萬(wàn)方科技學(xué)院2008-2009學(xué)年第一學(xué)期專業(yè)班級(jí):姓名:
2025-06-03 07:18
【摘要】《電力電子技術(shù)》試卷第1頁(yè)(共2頁(yè))河南理工大學(xué)萬(wàn)方科技學(xué)院2022-2022學(xué)年第一學(xué)期《電力電子技術(shù)》試卷(A卷)考試方式:閉卷本試卷考試分?jǐn)?shù)占學(xué)生總評(píng)成績(jī)的70%一、填空題(本題30分,每空2分)1、全控型電力電子器件中,開關(guān)速
【摘要】電力電子技術(shù)B卷答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)一、填空(每空1分,36分)1、請(qǐng)?jiān)谡_的空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率、觸發(fā)
2025-01-11 20:13
【摘要】1一、填空題(共20小題,每題1分,共20分)1、在PWM整流電路的控制方法中,如果引入了交流電流反饋稱為________。2、對(duì)用晶閘管組成的整流電路常用的控制方式是________。3、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中,晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于__
2025-01-09 17:18
【摘要】裝訂線專業(yè)班級(jí):
2025-07-17 01:09
【摘要】1《電力電子技術(shù)》期末標(biāo)準(zhǔn)試卷(A)(2022—2022學(xué)年第上學(xué)期)題號(hào)一二三四五總分得分一、填空題(每小空1分,共13分)1.正弦脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)運(yùn)用于電壓型逆變電路中,當(dāng)改變__
2025-01-10 23:16
2025-01-10 22:08
【摘要】電力電子技術(shù)試題(第五章)一、填空題1、整流是把電變換為電的過(guò)程;逆變是把電變換為電的過(guò)程。1、交流、直流;直流、交流。2、逆變電路分為逆變電路和逆變電路兩種。2、有源、無(wú)源。3、逆變角β與控制角α之間的關(guān)系為。3、α=π-β4、逆變
【摘要】電力電子技術(shù)試題(第二章)一、填空題1、觸發(fā)電路送出的觸發(fā)脈沖信號(hào)必須與晶閘管陽(yáng)極電壓,保證在管子陽(yáng)極電壓每個(gè)正半周內(nèi)以相同的被觸發(fā),才能得到穩(wěn)定的直流電壓。1、同步、時(shí)刻。2、晶體管觸發(fā)電路的同步電壓一般有同步電壓和電壓。2、正弦波、鋸齒波。3、正弦波觸發(fā)電路的同步移相一般都是采用
2025-06-03 07:23
【摘要】....電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過(guò)電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無(wú)摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可
2025-06-26 20:09