【正文】 （ 6） 最大漏極功耗 PDM PDM= UDS ID，與雙極型三極管的 PCM相當(dāng)。 （ 4）輸入電阻 RGS 結(jié)型場效應(yīng)管， RGS大于 107Ω， MOS場效應(yīng)管 , RGS可達(dá) 109～ 1015Ω。 （ 2）夾斷電壓 UP UP 是 MOS耗盡型和結(jié)型 FET的參數(shù)，當(dāng) uGS=UP時(shí) ,漏極電流為零。（請大家自學(xué)） 模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 例題 :電路如圖 1所示， T的輸出特性如圖 2所示，分析當(dāng) uI＝ 4V、8V、 12V三種情況下場效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。 g 漏極s+N襯底P 襯底源極 d柵極bN++++ ++++++ + + sbgd模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 N溝道耗盡型 MOSFET的 特性曲線 輸出特性曲線 轉(zhuǎn)移特性曲線 － 5 － 4 － 3 － 2 － 1 024681012uDS= 常數(shù)uG S / ViD / m AUG S ( o f f )ID S S02 4 6 8 10 12 14 16－ 2 V－ 1 V－ 3 VuGS= 2 V1 V24681012uDS/V( a ) ( b )iD / m A0 V模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 P溝道 MOSFET P溝道 MOSFET的工作原理與 N溝道 MOSFET完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。所以當(dāng)uGS=0時(shí)，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層，形成了溝道。 當(dāng) uGS＜ 0時(shí)，溝道變窄，iD減小。 1(mA)DSu= 6V= 3VuuGS (V)1D624i43= 5V(mA)243iDGS210V(V)△ u GSi△DGSu△i△D模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 MOSFET 特點(diǎn)： 當(dāng) uGS=0時(shí)，就有溝道，加入 uDS， 就有 iD。 在轉(zhuǎn)移特性曲線上， gm為的曲線的斜率。 可變電阻區(qū) 恒流區(qū) 截止區(qū) iD受 uGS控制 模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 ② 轉(zhuǎn)移特性曲線 ： iD=f(uGS)?uDS=const 可根據(jù)輸出特性曲線作出 轉(zhuǎn)移特性曲線 。 （ c）夾斷區(qū)（截止區(qū)）。 （恒流區(qū)） s二氧化硅P 襯底gDDV+Nd+bNVGGid二氧化硅NisdNVb++DDdVP 襯底GG g二氧化硅N+P 襯底d+dDDVs+二氧化硅N NbiGGVg模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 （ 3）特性曲線 四個(gè)區(qū)： （ a）可變電阻區(qū)（預(yù)夾斷前）。 （可變電阻區(qū)） （ c）當(dāng) uds增加到使 ugd=UT時(shí)， 溝道靠漏區(qū)夾斷，稱為 預(yù)夾斷 。 （設(shè) UT=2V， uGS=4V） （ a） uds=0時(shí)， id=0。 uGS 越大，溝道越寬，在相同的漏源電壓 uDS作用下，漏極電流 ID越大。 ① 柵源電壓 uGS的控制作用 s二氧化硅P 襯底gDDV+Nd+bNVGGid模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 定義： 開啟電壓（ UT） ——剛剛產(chǎn)生溝道所需的 柵源電壓 UGS,也記為 UGS(th)。 （ 2）工作原理 當(dāng) uGS=0V時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的 二極管，在d、 s之間加上電壓也不會形成電流，即管子截止。 分為： 增強(qiáng)型 ? N溝道、 P溝道 耗盡型 ? N溝道、 P溝道 MOS管 （ 1） 結(jié)構(gòu) 4個(gè)電極：漏極 D， 源極 S，柵極 G和 襯底 B。這如同雙極型三極管有 NPN型和 PNP型一樣。 u= 3VDSGSuGS= 1VuuuGS(mA)= 2VDiGS= 0V可變電阻區(qū) 恒流區(qū) 截止區(qū) 擊穿區(qū) 模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 （ 2）轉(zhuǎn)移特性曲線： iD=f（ uGS ） │uDS=常數(shù) 可根據(jù)輸出特性曲線作出 移特性曲線 。 （ c）夾斷區(qū)（截止區(qū)）。 Ngds+p +pdiVDDdsNgdi+p p+VDDDDp+ p+sidgVdDDp+ p+模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 結(jié)型場效應(yīng)管工作原理動畫演示 模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 （ 1）輸出特性曲線： iD=f（ uDS ） │uGS=常數(shù) 結(jié)型場效應(yīng)三極管的特性曲線 sgVdDDdiGGVp+ p+u= 3VDSGSuGS= 1VuuuGS(mA)= 2VDiGS= 0VuGS=0V uGS=1V 設(shè)： UT= 3V iD受 uGS控制 模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 四個(gè)區(qū)： 恒流區(qū)的特點(diǎn)： △ iD /△ uGS = gm ≈常數(shù) 即： △ iD = gm △ uGS （放大原理） （ a）可變電阻區(qū)（預(yù)夾斷前）。 ④ uDS再 ↑，預(yù)夾斷點(diǎn)下移。 預(yù)夾斷前， uDS↑→iD ↑。 ② uDS↑→iD ↑ →靠近漏極處 的耗盡層加寬，溝道變窄，呈楔形分布。 Ngds+pVGG+ppsd+gGGNV+pNGGg+sdpVp +模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 （ 2）漏源電壓對溝道的控制作用 在漏源間加電壓 uDS ，令 uGS =0 由于 uGS =0，所以導(dǎo)電溝道最寬。 ③ 當(dāng) │uGS│↑到一定值時(shí) ，溝道會完全合攏。三個(gè)電極： g：柵極 d：漏極 s：源極 符號： p++pd漏極源極 s柵極 gNgsdN溝道 gdsP溝道 兩個(gè)高摻雜 P區(qū)接在一起 模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 2. 結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理 （ 1）柵源電壓對溝道的控制作用 在柵源間加 負(fù)電壓 uGS ，令uDS =0 ① 當(dāng) uGS=0時(shí)，為平衡 PN結(jié)，導(dǎo)電溝道最寬。 FET因其 制造工藝簡單 ， 功耗小 ， 溫度特性好 ， 輸入電阻極高 等優(yōu)點(diǎn) ， 得到了廣泛應(yīng)用 。A 由三極管的極限參數(shù)確定安全工作區(qū) 安 全 工 作 區(qū) 過 損 耗 區(qū) PCM曲線 IC / mA UCE /V ICEO ICM U(BR)CEO 模擬電子技術(shù)第一章 上頁 首頁 下頁 半導(dǎo)體三極管的型號 第二位： A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位： X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開關(guān)管 用字母表示材料 用字母表示器件的種