太陽電池工藝培訓(xùn)資料(參考版)
2025-01-20 00:13本頁面
【正文】 ? 原理 ： 利用太陽能電池的光譜特性，溫度特性，輸出特性等，通過 相關(guān)參數(shù)的測定和計算，來表達電池的電性能情況。 印刷工藝流程： 印刷背電極 → 烘干 →印刷背電場 → 烘干 →印刷正面柵線 燒結(jié)工藝流程： 印刷完硅片 → 烘干 →升溫 → 降溫共晶 → 冷卻 印刷和燒結(jié) ? 燒結(jié)完電池片外觀 ： 單晶硅電池片 多晶硅電池片 ?絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)發(fā)展趨勢 ，利用高精密網(wǎng)版把細柵線做到 100u以下。 原理 ： 銀漿，鋁漿印刷過的硅片，通過烘干有機溶劑完全揮發(fā)，膜 層收縮成為固狀物緊密粘附在硅片上，可視為金屬電極材料層 和硅片接觸在一起。（ mcSi 多晶硅） ? 原理 ： PECVD是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電 離，在局部形成等離子體，而等離子化學(xué)活性很強，很容易發(fā) 生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜 。 HF + SiO2 → H2SiF6 + H2O 去 PSG發(fā)展方向： 相對來講，二次清洗是比較簡單的工藝，之后的發(fā)展應(yīng)該會 如同 RENA的設(shè)備一樣，集成濕法刻蝕設(shè)備，從而縮減流程。 常見刻蝕不良現(xiàn)象 改善方案： 夾緊環(huán)氧板或者在不影響刻蝕效果的情況下調(diào)整氣體流量、功率和刻蝕時間； 刻蝕線過寬 去 PSG（二次清洗） 目的 ： 去除硅片表面的 PSi玻璃層（ PSG） ,為加鍍減反射膜做準備。 Si + HNO3 → SiO2 + NOx ↑ + H2O SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O 激光去邊： 利用激光束的高能量使硅熔化，在硅片背表面劃槽， 用來隔斷 N層和 P層，以達到分離的目的。 原理 ： 干法刻蝕（等離子刻蝕）： 等離子刻蝕是采用高頻輝光放電反應(yīng)， 使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，這些活性粒子與需要被刻蝕區(qū)域 的 Si/SiO2發(fā)生反應(yīng)，形成揮發(fā)
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