【正文】 s Shaanxi province pass through a stop on the ancient Silk Road, Gansu39。 還要感謝指導(dǎo)我做實(shí)驗(yàn)的 王進(jìn)師兄 ，在 他 的幫助下搜集文獻(xiàn)資料，并且詳細(xì)講解了實(shí)驗(yàn)的操作和實(shí)驗(yàn)儀器工作原理、反應(yīng)原理，幫助我理清論文寫作思路，以及在整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程中對我的關(guān)心和照顧。 本論文是在曹劍瑜 老師 的悉心指導(dǎo)下 進(jìn)行 的。 常州大學(xué)本科生畢業(yè)論文 第 22 頁 共 25 頁 參 考 文 獻(xiàn) [1]任文才 , 高力波 , 馬來鵬 , 成會明 . 石墨烯的化學(xué)氣相沉積法制備 [J]. 新型炭材料 , 2022, 26: 7180. [2]李帥 . 石墨烯及其復(fù)合材料的制備及性能研究 [D]: [碩士學(xué)位論文 ]. 天津 : 天津大學(xué) , 2022. [3]胡耀娟 , 金娟 , 張卉 , 吳萍 , 蔡稱心 . 石墨烯的制備、功能化及在化學(xué)中的應(yīng)用 [J]. 物理化學(xué)學(xué)報(bào) , 2022, 26(8): 20732086. [4] Novoselov K S, Geim A K, Morozov S V, et al, Electric field effect in atomically thin carbon films[J]. Science, 2022, 306(5696): 666669. [5]Deng D, Pan X, Zhang H, et al, Freestanding graphene by thermal splitting of silicon carbide granules[J]. Adv. Mater, 2022, 22(19): 21682171. [6]徐如人 , 龐文琴 . 無機(jī)合成與制備化學(xué) [M ]. 北京 : 高等教育出版社 , 2022: 257262. 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[24]Wang X, Zhi L J, M252。 （ 2） 通過 XRD 表征 材料的結(jié)構(gòu)， 采用充放電、循環(huán)伏安等電化學(xué)方法 ，評價(jià)了 復(fù)合 物的電化學(xué)性能 ，并考察了 制備條件和熱處理方式等對復(fù)合 物性能 的影響。 這表明材料中制得的是鈷單質(zhì)，并未得到預(yù)期的鈷的氧化物，原因是在高溫煅燒過程中，雙氰胺在 500600 ℃ 時(shí)會生成 C3N4， C3N4在 700800 ℃ 時(shí)會分解而具有還原性，鈷氧化物因此被還原為金屬鈷。s1) 對各組制得的復(fù)合材料進(jìn)行 XRD 測試，結(jié)果見圖 。g1。圖中出現(xiàn)了氧化還原峰，氧化峰電位為 V，還原峰電位為 V，該材料具有較好的電化學(xué)可逆性。g1) 圖 (b)是 Co/ Co 的 CV 圖，掃描速度為 50 mVg1。g1。 I (A/g)Poten tial ( V) 圖 (b) Co/ DCDA 在 6 M KOH 溶液中的 CV 圖 (掃速 10 mV由圖 (b)以及公式 2 可計(jì)算出該電極材料放電容量為 Fs 1。g1) 孔徑 (nm) 含氮石墨烯 /鈷 常州大學(xué)本科生畢業(yè)論文 第 19 頁 共 25 頁 40 80 120 160 200Potential (V)t ( s) 圖 (a) Co/ DCDA 在 6 M KOH 溶液中的充放電曲線 (電流密度 1 Ag1) 微孔比表面積 (m2 樣品 總比表面積(m2g1。g1。從孔徑分布圖看，復(fù)合材料的微孔孔徑集中分布在接近 2 nm，呈現(xiàn)較好的均一性。g1，介孔很少， 90 %以上的比表面積為微孔所提供，復(fù)合材料總的孔體積為 cm3s1) 圖 (c)和圖 (d)是 Co/ Co 的吸附脫附等溫線和孔徑分布圖。g1。圖中出現(xiàn)了明顯的氧化還原峰，氧化峰電位為 V，還原峰電位為 V，該材料具有較好的電化學(xué)可逆性。g1) 圖 (b)是 Co/ Co 的 CV 圖，掃描速度為 50 mV與第一組和第二組材料的放電容量相比，該材料的放電容量較小。由圖 (a)以及公式 1 可計(jì)算得出該電極材料的放電容量為 48 Fs1) 圖 (a)是由實(shí)驗(yàn) D 制備的材料 Co/ Co 的充放電曲線圖，電流密度為 1 Ag1。圖中出現(xiàn)了氧化還原峰，氧化峰電位為 V，還原峰電位為 V，該材料電化學(xué)可逆性 較好 。g1) 圖 (b)是 Co/GrmDHB800PVP 的 CV 圖，掃描速度為 50 mV與前兩組材料的放電容量相比， Co/GrmDHB800PVP 的 放電容量 要 小 得 多。由圖 (a)以及公式 1 可計(jì)算出該電極材料的放電容量 僅 為 17 Fs1) 圖 (a)是由實(shí)驗(yàn) C 制備的材料 Co/GrmDHB800PVP 的充放電曲線圖，電流密度為 1 Ag1。圖中出現(xiàn)了氧化還原峰，氧化峰電位 V，還原峰電位為 V，該材料的電化學(xué)可逆性 較差 。g1) 圖 (b)是 Co/GrmDHB800 的 CV 圖，掃描速度為 50 mVg1。g1。 6420246I (A/g)Poten tial (V) 圖 (b) Co/GrmDHB1000 在 6 M KOH 溶液中的 CV 圖 (掃速 50 mVg1； ? 為掃描速率，單位 mV由圖 (b)以及公式 2 可計(jì)算出 該 電極材料的放電 容量為 Fs1。 常州大學(xué)本科生畢業(yè)論文 第 14 頁 共 25 頁 0 50 100 150 200 2500 .00 .10 .20 .30 .4Potential (V)t (s ) 圖 (a) Co/GrmDHB1000 在 6 M KOH 溶液中的充放電曲線 (電流密度 2 Ag1； t? 為放電時(shí)間，單位 s； m 為活性物質(zhì)質(zhì)量，單位 g； V? 為電勢差，單位 V； I 為電流密度，單位 A由圖 (a)以及公式 1[35]可計(jì)算得出該電極材料的放電容量為 155 F 3 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù) 圖 (a)是由實(shí)驗(yàn) A 制備的材料 Co/GrmDHB1000 的充放電曲線圖，電流密度為 2 A電位范圍為 V， 電流密度 1 A電解質(zhì)溶液為 6 mol 材料充放電測試： 用一個(gè)可調(diào)的恒電流源，由一個(gè)工作電極、一個(gè)對電極和一個(gè) 參比電極 組成的三電極電解池，用線路連接電位儀和記錄儀，便可以描繪出發(fā)生電極反應(yīng)時(shí)電位隨時(shí)間變化的曲線。s1。L1的 KOH 溶液。采用三電極體系，工作電極為 制備的復(fù)合材料 電極 ， 參比電極為飽和甘汞電極 (SCE)，對電極為鉑 片 電極。因此一次三角波掃描，完成一個(gè)還原和氧化過程的循環(huán)，故該法稱為 循環(huán)伏安 (CV)。樣品的比表面積通過 BET(BrunauerEmmettTeller)法計(jì)算得到；介孔孔徑分布曲線由BJH(BarrettJoynerHalenda)法計(jì)算得到。測試儀器為 Micromeritics 公司的 A