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正文內(nèi)容

開(kāi)關(guān)電源培訓(xùn)資料ppt課件(參考版)

2025-01-13 19:35本頁(yè)面
  

【正文】 由于 LED電源工作環(huán)境的溫度一般都較高 ,所以適當(dāng)?shù)倪x擇電解電容對(duì)于電源的壽命就顯得極為重要。開(kāi)關(guān)電源的 MTBF,在很大程度上是由其內(nèi)部的電解電容器MTBF值所決定的。 43 電源的壽命 影響開(kāi)關(guān)電源壽命的因素很多,如負(fù)載大小、振動(dòng)和周邊的工作環(huán)境 (如電網(wǎng)環(huán)境、溫度、自然環(huán)境等)。即: MTBF=1/λ 通常作可靠性實(shí)驗(yàn)的時(shí)間都很長(zhǎng),可以用加速老化實(shí)驗(yàn)的方法來(lái)減少實(shí)驗(yàn)時(shí)間,從而盡快暴露設(shè)計(jì)中的問(wèn)題。例如正在運(yùn)行中的 100只開(kāi)關(guān)電源,一年之內(nèi)出了 2次故障,則每個(gè)電源的故障率為 /年。 所謂“可靠性”,就是產(chǎn)品在規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi)完成規(guī)定功能的能力;反之,產(chǎn)品或其一部分不能或?qū)⒉荒芡瓿梢?guī)定的功能是出故障。同時(shí)也規(guī)定產(chǎn)品在總的使用階段累計(jì)工作時(shí)間與故障次數(shù)的比值為 MTBF。具體來(lái)說(shuō),是指相鄰兩次故障之間的平均工作時(shí)間,也稱為平均故障間隔。單位為“小時(shí)”。 MTBF,即平均無(wú)故障時(shí)間,英文全稱是“ Mean Time Between Failure”。 42 電源可靠性指標(biāo)及測(cè)試 可靠性的衡量是失效率或是平均無(wú)故障時(shí)間 MTBF,兩者互為倒數(shù)。按照元器件類型和降額曲線分別進(jìn)行溫度、電壓、功率的降額設(shè)計(jì)。正確選用元器件的類型是首要的,這需要設(shè)計(jì)者對(duì)每種器件的類型有足夠的認(rèn)識(shí)。也就是要考慮元器件參數(shù)的公差、漂移以及隨環(huán)境條件的變化等因素。在保證設(shè)計(jì)功能和指標(biāo)的前提下盡可能以最簡(jiǎn)單的線路和最少量的元器件來(lái)實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì),減少元器件數(shù)量的同時(shí)也要壓縮品種數(shù)可規(guī)格。電路設(shè)計(jì)中盡量多利用標(biāo)準(zhǔn)化的電路或是經(jīng)過(guò)考驗(yàn)可靠性高的電路,并且應(yīng)盡量采用成熟的技術(shù)。為了取得高可靠性,必須從設(shè)計(jì)階段就開(kāi)始考慮可靠性的問(wèn)題。據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示:引起設(shè)備不可靠的原因設(shè)計(jì)錯(cuò)誤約占 1/3,元器件質(zhì)量約占 1/3,制造、操作和維護(hù)約占 1/3。 b、 輸出滿載 。 效率 η =(Po/Pi) 100%( Pi—— 電量測(cè)量?jī)x上顯示的輸入功率)。 c、 開(kāi)啟所有設(shè)備 , 記錄輸入功率數(shù)值及各輸出電壓 、 電流值 。 測(cè)試方框圖 測(cè)試方法 a、 先如圖布置好測(cè)試電路 。 測(cè)試條件 a、 輸入電壓一般為額定值 。 d、 用接地電阻測(cè)試儀測(cè)量出電源的接地電阻值 。 b、 用絕緣電阻測(cè)試儀測(cè)試電源輸入 、 輸出及大地三者之間的絕緣電阻值 。 判定:保護(hù)連接導(dǎo)體的電壓降不應(yīng)超過(guò) 。 判定:根據(jù)電壓降計(jì)算出的保護(hù)連接導(dǎo)體電阻不應(yīng)超過(guò) 。 b、 接地電阻測(cè)試適用于 Ⅰ 類保護(hù)設(shè)備 。 耐壓 測(cè)試儀 被測(cè) 電源 36 絕緣阻抗 定義: 絕緣阻抗是通過(guò)在被測(cè)兩極(輸入、輸出或大地)之間,施加 500VDC或 1000VDC 電壓計(jì)算出來(lái)的電阻值;接地電阻是在電源接地端子與接地元器件之間,通過(guò)施加一規(guī)定大小的電流來(lái)測(cè)量到的電阻值。 f、 從測(cè)試儀處提供電源工作電壓 , 并把電壓提高到電源輸入電壓最大值 , 觀察此時(shí)測(cè)試儀的泄漏電流值 , 即為電源的泄漏電流值 。 d、 啟動(dòng)測(cè)試鈕 , 慢慢提升試驗(yàn)電壓 , 如無(wú)異常情況或超漏 , 一直提升到所要求的試驗(yàn)電壓 , 然后保持一分鐘 , 并記錄漏電流值 , 即可復(fù)位測(cè)試儀 , 把耐壓儀輸出回復(fù)到 0, 然后開(kāi)始另一組測(cè)試 , 如有不合格情況 ( 如:擊穿超漏 , 爬電等 ) 應(yīng)立即予以改正 。 b、 把耐壓測(cè)試儀開(kāi)啟 , ( 輸出處于關(guān)閉 ) 預(yù)置相應(yīng)的漏電流值和 90S的測(cè)試時(shí)間 。 b、 某一被測(cè)極應(yīng)全部短接 。 35 抗電強(qiáng)度 定義: 抗電強(qiáng)度 , 是為了符合安全要求 , 在電源輸入與輸出 , 輸入與大地 , 輸出與大地之間施加所要求的電壓進(jìn)行絕緣性能的測(cè)試 。 c、 把輸出正負(fù)極短路 ( 應(yīng)在靠近輸出端子處短路 , 短路時(shí)間依規(guī)格要求 ) , 然后再斷開(kāi) , 電源應(yīng)輸出正常 。 測(cè)試方法 a、 先布置好測(cè)試電路 。 c、 此時(shí)達(dá)到條件下的輸出電流即為輸出限流值 。 測(cè)試方框圖 測(cè)試方法 a、 如圖連接好測(cè)試裝置 。 測(cè)試條件 a、 輸入電壓為額定值 。 c、 合上開(kāi)關(guān) K, 再慢慢調(diào)高直流電源的電壓直到另一路輸出關(guān)斷 ( 如果只有被測(cè)一路則可用示波器觀察開(kāi)關(guān)MOS管的 VDS波形 , 輸出過(guò)壓之后 , 其 VDS波形即關(guān)斷或跳躍 ) , 此時(shí)的直流電源電壓值即為輸出過(guò)壓點(diǎn) 。 a、 如圖 2布置好測(cè)試電路 。 c、 用螺絲刀調(diào)節(jié)并上的電位器 , 使輸出電壓慢慢升高 , 直到電源的輸出突然關(guān)斷或限壓 ( 不再升高 ) , 此時(shí)的輸出的電壓值即為輸出過(guò)壓點(diǎn) 。 a、 如圖 1布置好測(cè)試電路 。 b、 電源輸入電壓為額定值 。 被 測(cè) 電 源 負(fù)載 電壓可調(diào)電源 V V 32 保護(hù)電路 (輸出過(guò)壓保護(hù) ) 定義: 即當(dāng)電源的輸出電壓由于內(nèi)部或外部的原因增高到某一規(guī)定范圍內(nèi)的值時(shí) , 電源的輸出即自行關(guān)斷或不能夠再升高 。 d、 然后調(diào)低輸入電壓直到電源關(guān)斷輸出 , 此時(shí)的輸入電壓即為輸入欠壓點(diǎn) 。 b、 在相應(yīng)的負(fù)載條件下讓電源正常工作 , 慢慢調(diào)高供電電源的電壓 , 直到電源輸出關(guān)斷 , 此時(shí)的輸入電壓值即為輸入過(guò)壓點(diǎn) 。 測(cè)試條件 a、 電源輸出為半載或按產(chǎn)品規(guī)格要求 。 測(cè)試方框圖 測(cè)試方法 將數(shù)字示波器設(shè)置到相應(yīng)狀
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