實驗2四探針法測量半導體電阻率和薄層電阻(參考版)
2024-12-26 13:57本頁面
【正文】 實驗參考資料 。 ⑶ 復旦大學，孫恒慧、包宗明主編： 半導體物理實驗 ，高等教育出版 社， 1985。 實驗注意問題 School of Microelectronics Xidian University 1．分析電阻率誤差的來源，指出和 的區(qū)別及條件各是什么 ? 2. 為什么要用四探針進行測量， 如果只用兩根探針既作電流探針又作電壓探 針， 這樣是否能夠對樣品進行較為準確的測量 ? 為什么 ? 實驗思考題 School of Microelectronics Xidian University ⑴ 孫以材編著： 半導體測試技術 ，冶金工業(yè)出版社 1984。 4. 半導體材料的電阻率受溫度的影響十分敏感，因此，必須在樣品達到熱平 衡情況下進行測量并記錄測量溫度。 2. 對高阻材料及光敏材料，由于光電導及光壓效應會嚴重影響電阻率的測 量，這時測量應在暗室進行。 4. 計算擴散情況不同的樣品的薄層電阻。 3. 單晶斷面電阻率不均勻度 E的計算公式為： 式中 ρmax 為所測五個點中電阻率的最大值， ρmin為所測點中電阻率的最小 值， ρ為斷面 。 實驗操作步驟 School of Microelectronics Xidian University 1. 對所給樣品測量五個不同的點，計算 (修正 )當 I=1mA時的電阻率 ρ。 6. 用千分尺及讀數顯微鏡測量樣品的幾何尺寸以及探針離開樣品邊緣的最近 距離， 決定是否進行修正。扳動 K1和 K2，測量并記錄反向的電流值和 V23。 注意：操作過程中保持樣品的清潔，不要用手觸摸樣品表面。 2. 按標準電池電位修正公式計算該溫度下的電位差，由此校好電位差計。 5. 參考附錄二，用冷熱探針法判斷半導體材料的導電類型 (選作 )。 3. 對單面擴散和雙面擴散的樣品， 分別測量其薄層電阻 R。 實驗原理 School of Microelectronics Xidian University 1. 對所給的各種樣品分別測量其電阻率。 恒流源的輸出電流要穩(wěn)定且可調， 能提供從微安級到幾十毫安的電流。 對四探針頭
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