開關(guān)電源常用元器件(參考版)
2024-12-11 09:17本頁面
【正文】 IGBT的 主要參數(shù) 43 IGBT的主要寄生參數(shù) 44 IGBT 45 IGBT和 MOSFET 。 ? 最大集電極電流 —— 包括額定直流電流IC和 1ms脈寬最大電流 ICP 。 ③ 由于存在寄生的反并二極管，因此無反向阻斷能力，不能承受反壓。 35 MOSFET的主要寄生參數(shù) 36 MOSFET 動態(tài)參數(shù) – 極間電容 ? 輸入電容： Ciss ? 輸出電容： Coss ? 反饋電容： Crss oi s sCo s sCr s sCD SVCG SCD SCDG DCGrG( a ) ( b )圖 2 . 3 1 功 率 M O S F E T 極 間 電 容 與 的 關(guān) 系（ a ） 等 效 電 路 （ b ） 電 容 變 化 關(guān) 系D SVGDr s sGDDSo s sGDGSis sCCCCCCCC?????37 MOSFET 幾點說明： ① 電力 MOSFET開關(guān)速度取決于柵極驅(qū)動電阻 RG與柵極輸入電容 Ciss的充放電時間。 34 MOSFET 靜態(tài)參數(shù) – 正向通態(tài)電阻 Ron – 漏極電壓 UDS – 漏極電流 ID、最大漏極電流 IDM – 漏極擊穿電壓 UBDS : 1500V – 柵極開啟電壓 UGSth – 柵源擊穿電壓 UBGS :一般為 177。 – 正的電阻溫度特性（負(fù)的電流溫度特性），易并聯(lián)均流。 導(dǎo)通、關(guān)斷條件 ?導(dǎo)通條件：柵極加正電壓 ?關(guān)斷條件：柵極電壓為零或加負(fù)電壓（ 5V） 33 MOSFET ? 優(yōu)點 – 電流增益大，驅(qū)動功率小，驅(qū)動電路簡單 。 —— 通常是其雪崩擊穿電壓 UB的 2/3 —— 使用時，往往按照電路中電力二極管可能承受的反向最高峰值電壓的兩倍來選定。 正向壓降 UF ：指在規(guī)定的溫度下流過某一指定的穩(wěn)態(tài)電流時對應(yīng)的正向壓降 。 浪涌電流 IFSM ：指電力二極管所能承受的最大的連續(xù)一個或幾個工頻周期的過電流。 25 二極管 最高工作結(jié)溫 TJM ：指在 PN結(jié)不致?lián)p壞的前提下， PN結(jié)所能承受的最高平均結(jié)溫。 —— 性能上可分為快速恢復(fù)和超快速恢復(fù)兩個等級。 快恢復(fù)二極管 (FRED)： trr很短的二極管（ trr =幾十 ~幾百 ns）。 10%) ☆ 耐電壓： (5s) ☆ 絕緣電阻： ≥50 000MΩ,CR≤ (20℃ ,1min) ≥15 000s, CR≤(20℃ ,1min) ☆ 損耗角正切： ≤10 ０ .0001（ 1kHz,20℃ ） 19 電容的高頻模型 無極性 有極性 ESR 20 電容 XC ESR δ θ Z 損耗因數(shù)DF=ESR/Xc 損耗正切角 tan δ 等效串聯(lián)電阻 ESR 功率因數(shù) cos θ 如果紋波有要求， DF值應(yīng)大于 67% 21 開關(guān)電源技術(shù)（二） 二極管 DIODE 22 二極管 二極管的封裝 23 二極管 反向恢復(fù)時間： trr= td+ tf 恢復(fù)特性的軟度：下降時間與延遲時間的比值 tf /td，或稱恢復(fù)系數(shù)，用 Sr表示 24 二極管 二極管的主要類型 : 整流二極管（ Rectifier Diode）： trr 5us，一般用于開關(guān)頻率 1kHz以下的整流電路（低頻、大容量）。 %,%, %, %, %,1%,5%） ? 最大電壓（封裝） ? 溫度系數(shù) （ 5PPM； 10PPM； 15PPM； 25PPM； 50PPM） ? 額定功率（封裝、降額） 15 開關(guān)電源技術(shù)（二） 電容 Capacitor 16 電容 高壓陶瓷電容 貼片陶瓷電容 瓷片電容 CBB電容 鉭電解電容 鋁電解電容 滌綸電容 獨石電容
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