新型硅雪崩漂移探測器及其能量分辨率研究(參考版)
2024-10-15 16:53本頁面
【正文】 。 ? 理論計算表明 ADD在較低能量范圍比 SDD能量分辨率好，能量較高時比 SDD稍差但接近。 11010010 100 1000Energy (keV)Energy Resolution [%]PMTPINAPDSDDADDSiPM結(jié) 論 ? 我們提出的新型正面入射結(jié)構(gòu) ADD兼有 SDD和APD的優(yōu)點，且制作工藝簡單（單面工藝）。 ? 譜峰的總展寬主要受系統(tǒng)的電子學(xué)噪聲、探測器漏電流以及載流子統(tǒng)計漲落等影響。 (b)空穴電流分布模擬 北師大新器件實驗室ADD制作流程 P well was opened, boron ions implantation was performed SiO2 was grown by therma
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