基于雙ram技術(shù)的led顯示屏控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)(參考版)
2025-06-09 16:49本頁面
【正文】 // [5] Ramtron VRS51L3074[EB/OL].:[6] [M].清華大學(xué)出版社，2008.[7] 靳桅,鄔芝權(quán),[J].現(xiàn)代電子技術(shù)，2007.7。本系統(tǒng)仍有改進(jìn)的空間，譬如以雙RAM組織顯示數(shù)據(jù)后直接用兩個(gè)RAM來存放不同的數(shù)據(jù)，控制顯示數(shù)據(jù)直接輸出，提高輸出速率。雙RAM技術(shù)大大提高了垂直移動(dòng)時(shí)的存儲器使用效率，所有的數(shù)據(jù)塊都是按靜態(tài)顯示方式組織數(shù)據(jù)，所以每一塊RAM的顯示數(shù)據(jù)效率都是100%，雙RAM的效率為50%，本文顯示數(shù)據(jù)存放在一塊FLASH中，效率也為50%，相比動(dòng)態(tài)顯示組織方式，降低了垂直移動(dòng)時(shí)顯示數(shù)據(jù)存儲器的占用，提高存儲效率。 //清SPI發(fā)送或接收完成標(biāo)志return SPDR。SPSR=SPSRamp。0x80。SPDR= Wr_Rd_Data。 RCK=0； //產(chǎn)生74HC595輸出鎖存信號EN=0。 }SCK=0。p++) //產(chǎn)生錯(cuò)位的模擬脈沖 { SCK=0。if(i=7)for(p=0。region_recod=0。 SPI_write_read (ram_point amp。 SPI_write_read(((ram_point amp。 SPI_write_read(((ram_point amp。if(region_recod=Sw){ ram_point=ram_begin_addr+block_addr1。 //送入單元板 } } EN=1； //換行時(shí)暫關(guān)閉 P2=（（P2amp。 //等待發(fā)送(接收)完成 LED_SCK=0。 //啟動(dòng)數(shù)據(jù)傳輸出 while((SPISTATUS amp。j64。board_iunit_board_num。line++){ SPISIZE=0x0f。 for(line=0。 SCK=1。pi。unit_board_num=Dw/64。 SPI_write_read (ram_point amp。 //3字節(jié)24位地址 SPI_write_read(((ram_point amp。 //向串行FLASH發(fā)讀命令，0x03為讀控制字 SPI_write_read(((ram_point amp。 //此變量記錄顯示數(shù)據(jù)已進(jìn)入哪一區(qū)ram_point=ram_begin_addr+block_addr+region_addr1。 /所在區(qū)的相對塊的相對地址 i=YL/Sw。block_addr=YL/(Bw*Sw) * (Sw*Dw)。 unsigned char line, unit_board_num, board_i。3 程序設(shè)計(jì)針對圖3所示控制電路，按照數(shù)據(jù)輸出控制流程，編寫了一段程序，隨機(jī)顯示一屏信息，顯示數(shù)據(jù)已按順序存儲在串行FLASH中。當(dāng)顯示信息比較大時(shí)，動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)組織使用的存儲器比較大，利用率低，而采用雙RAM技術(shù)正好解決這個(gè)問題。此電路有這樣幾個(gè)特點(diǎn)：顯示數(shù)據(jù)從串行FLASH輸出后，不經(jīng)單片機(jī)的處理，直接以“DMA”方式輸出到移位寄存器74LS164，同時(shí)實(shí)現(xiàn)串并轉(zhuǎn)換，節(jié)省數(shù)據(jù)處理時(shí)間，提高顯示效率；在每場數(shù)據(jù)輸出之前，通過信息在顯示區(qū)域中的地址計(jì)算數(shù)據(jù)選擇位數(shù)， 端口模擬個(gè)脈沖輸出到串行FLASH，移出位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)產(chǎn)生
畢業(yè)設(shè)計(jì)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1