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畢業(yè)論文-一種光伏太陽(yáng)能控制的野外警示裝置的設(shè)計(jì)與制作(參考版)

2025-06-07 20:41本頁(yè)面
  

【正文】 當(dāng)許多個(gè)電池串聯(lián)或并聯(lián)起來(lái)就可以成為有比較大的輸出功率的太陽(yáng)能電池方陣了。 ( 2) 光 — 電直接轉(zhuǎn)換方式該方式是 利用光電效應(yīng),將太陽(yáng)輻射能直接轉(zhuǎn)換成電能,光 — 電轉(zhuǎn)換的基本裝置就是太陽(yáng)能電池。前一個(gè)過(guò)程是光 — 熱轉(zhuǎn)換過(guò)程;后一個(gè)過(guò)程是熱 — 電轉(zhuǎn)換過(guò)程,與普通的火力發(fā)電一樣 .太陽(yáng)能熱發(fā)電的缺點(diǎn)是效率很低而成本很高,估計(jì)它的投資至少要比普通火電站貴 5~ 10 倍 .一座1000MW 的太陽(yáng)能熱電站需要投資 20~ 25 億美元,平均 1kW 的投資為 2021~ 2500 美元。 一、太陽(yáng)能發(fā)電方式 太陽(yáng)能發(fā)電有兩種方式,一種是光 — 熱 — 電轉(zhuǎn)換方式,另一種是光 — 電直接轉(zhuǎn)換方式。 基本原理 太陽(yáng)光照在半導(dǎo)體 PN 結(jié)上,形成新的空穴 電子對(duì),在 PN 結(jié)電場(chǎng)的作用下,空穴由 N 區(qū)流向 P區(qū),電子由 P區(qū)流向 N區(qū),接通電路后就形成電流。 非晶硅電池板:薄膜太陽(yáng)能電池、有機(jī)太陽(yáng)能電池。使用光伏發(fā)電(太陽(yáng)光發(fā)電)通常使用了一個(gè)光伏陣列或數(shù)個(gè)光伏模組與一個(gè)逆變器、電池組與互連線路。 太陽(yáng)能電池 太陽(yáng)電池模板( Photovoltaic Module)、光伏板( Photovoltaic Panel)又稱(chēng)作太陽(yáng)能模組、太陽(yáng)能板,是將許多光伏電池( Photovoltaic Cell,太陽(yáng)能電池)互連并包裝的產(chǎn)物,如此互連的而達(dá)到的發(fā)電規(guī)??商峁┥虡I(yè)大樓、住宅使用。 15腳背光正極, 16 腳背光負(fù)極。 第 7~ 14腳: D0~ D7 為 8位雙向數(shù)據(jù)端。 第 5 腳: RW 為讀寫(xiě)信號(hào)線,高電平 (1)時(shí)進(jìn)行讀 圖 36 管腳 操作,低電平 (0)時(shí)進(jìn)行寫(xiě)操作。 ⑶特性 或 5V 工作電壓,對(duì)比度可調(diào) 內(nèi)含復(fù)位電路 提供各種控制命令 ,如:清屏、字符閃爍、光標(biāo)閃爍、顯示移位等多種功能 有 80 字節(jié)顯示數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 DDRAM 內(nèi)建有 192 個(gè) 5X7點(diǎn)陣的字型的字 符發(fā)生器 CGROM 8個(gè)可由用戶(hù)自定義的 5X7 的字符發(fā)生器 CGRAM 第三章 設(shè)計(jì)相關(guān)硬件介紹及設(shè)計(jì) 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 20 1602 采用標(biāo)準(zhǔn)的 16 腳接口,其中: 第 1 腳: VSS 為電源地 第 2 腳: VCC 接 5V電源正極 第 3 腳: V0 為液晶顯示器對(duì)比度調(diào)整端,接正電源時(shí)對(duì)比度最弱,接地電源時(shí)對(duì)比度最高(對(duì)比度過(guò)高時(shí)會(huì) 產(chǎn)生“鬼影”,使用時(shí)可以通過(guò)一個(gè) 10K 的電位器調(diào)整對(duì)比度)。 第 15~ 16 腳:空腳或背燈電源。 第 6 腳: E(或 EN)端為使能 (enable)端 ,高電平( 1)時(shí)讀取信息,負(fù)跳變時(shí)執(zhí)行指令。 第 4 腳: RS 為寄存器選擇,高電平 1 時(shí)選擇數(shù)據(jù)寄存器、低電平 0 時(shí)選擇指令寄存器。 目前市面上字符液晶絕大多數(shù)是基于 HD44780液晶芯片的,控制原理是完全相同的,因此基于 HD44780 寫(xiě)的控制程序可以很方便地應(yīng)用于市面上大部分的字符型液晶。它由若干個(gè) 5X7 或者 5X11 等點(diǎn)陣字符位組成,每個(gè)點(diǎn)陣字符位都可以顯示一個(gè)字符,每位之間有一個(gè)點(diǎn)距的間隔,每行之間也有間隔,起到了字符間距和行間距的作用,正因?yàn)槿绱怂运荒芎芎玫仫@示圖形(用自定義 CGRAM,顯示效果也不好)。( 16 列 2行) 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 一種光伏太陽(yáng)能控制的野外警示裝置的設(shè)計(jì)與制作 19 注:為了表 示的方便 ,后文皆以 1表示高電平, 0 表示低電平。 ( 2)這種話筒沒(méi)有型號(hào)之分,相同引腳數(shù)的話筒可以代替,只是存在性能上的差別。一聲控電路前置放大級(jí)中駐極體話筒的源極輸 出和漏極輸出的兩種不同的接法,最后要說(shuō)明一點(diǎn),不管是源極輸出或漏極輸出,駐極體話筒必須提供直流電壓才能工作,因?yàn)樗鼉?nèi)部裝有場(chǎng)效應(yīng)管。 2k。一般可在 2. 2~ 5. 1k間選用。漏極輸出有電壓增益,因而話筒靈敏度比源極輸出時(shí)要高,但電路動(dòng)態(tài)范圍略小。漏極 D與電源正極間接一漏極電阻 RD,信號(hào)由漏極 D經(jīng)電容 C輸出。漏極輸出類(lèi)似晶體三極管的共發(fā)射極放入。源極輸出的輸出阻抗小于 2k, 電路比較穩(wěn)定,動(dòng)態(tài)范圍大。源極 S與地之間接一電阻 Rs來(lái)提供源極電壓,信號(hào)由源極經(jīng)電容 C 輸出。需用三根引出線。 駐極體話筒與電路的接法有兩種: 源極輸出與漏極輸出。這樣,駐極體話筒的輸出線便有三根。接二極管的目的是在場(chǎng)效應(yīng)管受強(qiáng)信號(hào)沖擊時(shí)起保護(hù)作用。普通場(chǎng)效應(yīng)管有源極 (S)、柵極 (G)和漏極 (D)三個(gè)極。所以在話筒內(nèi)接入一只結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管來(lái)進(jìn)行阻抗變換。因而它的輸出阻抗值很高 (Xc= 1/2~tfc),約幾十兆歐以上。當(dāng)駐極體膜片遇到聲波振動(dòng)時(shí),引起電容兩端的電場(chǎng)發(fā)生變化,從而產(chǎn)生了隨聲波變化而變化的交變電壓。膜片 的另一面與金屬極板之間用薄的絕緣襯圈隔離開(kāi)。然后再經(jīng)過(guò)高壓電場(chǎng)駐極后,兩面分別駐有異性電荷。 聲電轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵元件是駐極體振動(dòng)膜。 駐極體話筒 駐極體話筒具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、電聲性能好、價(jià)格低的特點(diǎn),廣泛用于盒式錄音機(jī)、無(wú)線話筒及聲控等電路中。額定功率是指光敏電阻用于某種線路中所允許消耗的 功率 ,當(dāng)溫度升高時(shí),其消耗的功率就降低。光敏電阻的光電效應(yīng)受 溫度 影響較大,部分光敏電阻在低溫下的光電靈敏較高,而在高溫下的靈敏度則較低。伏安特性曲線用來(lái)描述光敏電阻的外加電壓與光電流的關(guān)系,對(duì)于光敏 器件 來(lái)說(shuō),其光電流隨外加電壓的增大而增大。在大多數(shù)情況下,該特性為非線性。從光敏電阻的光照特性曲線可以看出,隨著的光照強(qiáng)度的增加,光敏電阻的阻值開(kāi)始迅速下降。 ( 5)光照特性。 光譜 響應(yīng)又稱(chēng)光譜靈敏度,是指光敏電阻在不同波長(zhǎng)的單色光照射下的靈敏度。靈敏度是指光敏電阻不受光照射時(shí)的電阻值(暗電阻)與受光照射時(shí)的電阻值(亮電阻)的相對(duì)變化值。外加電壓與暗電流之比稱(chēng)為暗電阻,常用 “0LX” 表示。 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 一種光伏太陽(yáng)能控制的野外警示裝置的設(shè)計(jì)與制作 17 ( 2) 暗電流 、暗電阻。 光敏 電阻 性能參數(shù) 如下 光敏電阻的主要參數(shù)是: ( 1) 光電流 、亮電阻。這些制作材料具有在特定 波長(zhǎng) 的光照射下,其阻值迅速減小的特性。 XTA L2:振蕩器反相放大器的輸出端。 在 flash 編程期間, EA 也接受 12 伏 VPP 電壓。為使能從 0000H— FFFFH 的外部程序存儲(chǔ)器讀取指令, EA 端必須保持低電平(接地)。當(dāng) AT89C52 從外部程序存儲(chǔ)器執(zhí)行外部代碼時(shí), PSEN 在每個(gè)機(jī)器周期被激活兩次,而在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器時(shí), PSEN 將不被激活。這個(gè) ALE 使能標(biāo)志位的設(shè)置對(duì)微控制器處于外部執(zhí)行模式下無(wú)效。這一位置“ 1”, ALE 僅在執(zhí)行 MOVX 或 MOVC 指令時(shí)有效。然而,特別強(qiáng)調(diào),在每次訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), ALE 脈沖將會(huì)跳過(guò)。在 Flash 編程時(shí),此引腳( PROG)也使用作編程輸入脈沖。晶 振工作時(shí), RST 腳持續(xù) 2 個(gè)機(jī)器周期以高電平將使用單片機(jī)復(fù)位。 引腳號(hào) 第二功能 RXD(串行輸入) TXD(串行輸出) INT0(外部中斷 0) INT1(外部中斷 1) T0(定時(shí)器 0 外部輸入) T1(定時(shí)器 1 外部輸入) WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通) RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通) 第三章 設(shè)計(jì)相關(guān)硬件介紹及設(shè)計(jì) 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 16 在 Flash 編程和校驗(yàn)時(shí), P3 口也接收一些控制信號(hào)。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸 出電流 ILL。 P3口: P3 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口, P3 輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流) 4個(gè) TTL 邏輯電平。在使用 8位地址訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), P2 口輸出 P2 鎖存器的內(nèi)容。 在訪問(wèn)外部好曾許存儲(chǔ)器或用 16 位地址讀取外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), P2 口送出高 8位地址。對(duì) P2 口寫(xiě)“ 1”時(shí),通過(guò)內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。 此外,與 AT89C51 不同之處是, 和 還可分別作為定時(shí) /計(jì)數(shù)器 2 的外部計(jì)數(shù)輸入( )和輸出( ),具體如下表所示 : 引腳號(hào) 功能特性 P1 .0 T2(定時(shí)/計(jì)數(shù)器2外部計(jì)數(shù)脈沖輸入),時(shí)鐘輸入 P1 .1 T2EX定時(shí)/計(jì)數(shù)2捕獲/重裝載觸發(fā)和方向控制 表 3 .4 和 的第二功能 在 Flash 編程和校驗(yàn)時(shí), P1 口接收低 8位地址字節(jié)。 P1口: P1 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位是雙向 I/O 口, P1的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流) 4個(gè) TTL 邏輯電平。 在 flash 編程時(shí), P0 口也用來(lái)接受指令字節(jié):在程序效驗(yàn)時(shí),輸出指令字節(jié)。當(dāng)訪問(wèn)外部程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), P0 口 也被作為低 8位地址 /數(shù)據(jù)復(fù)用。作為輸出口,每位能驅(qū)動(dòng) 8個(gè)TTL邏輯電平。定時(shí) /計(jì)數(shù)器 2 的控制和狀態(tài)位位于T2CON(參見(jiàn)表 3) T2MOD(參見(jiàn)表 4),寄存器對(duì)( RCAO2H、RCAP2L)是定時(shí)器 2 在 16 位捕獲方式或 16 位自動(dòng)重裝載 方 式 下 的 捕 獲 / 自 動(dòng) 重 裝 載 寄 存 器 。 不應(yīng)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入未定義的單元,由于這些單元在將來(lái)的產(chǎn)品中可能賦予新的功能,在這種情況下,復(fù)位后這些單元數(shù)值總是 “0” 。 并非所有的地址都被定義,從 80H— FFH 共 128 個(gè)字節(jié)只有一部分被定義,還有相當(dāng) 一部分沒(méi)有定義。 圖 31 AT89C52 外部引腳圖 單片機(jī)的主要功能特性 兼容 MCS51 指令系統(tǒng) 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 一種光伏太陽(yáng)能控制的野外警示裝置的設(shè)計(jì)與制作 13 8kB 可 反復(fù) 擦寫(xiě) (大于 1000 次) Flash ROM; 32 個(gè)雙向 I/O 口; 256x8bit 內(nèi)部 RAM; 第三章 設(shè)計(jì)相關(guān)硬件介紹及設(shè)計(jì) 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 3 個(gè) 16 位可編 程定 時(shí) /計(jì)數(shù)器 中斷; 時(shí)鐘頻率 024MHz; 2 個(gè)串行中斷,可編程 UART 串行通道; 2 個(gè)外部中斷源,共 8個(gè)中斷源; 2 個(gè)讀寫(xiě)中斷口線, 3級(jí)加密位; 低功耗空閑和掉電模式,軟件設(shè)置睡眠和 喚醒 功能; 1有 PDIP、 PQFP、 TQFP 及 PLCC 等幾種封裝形式,以適應(yīng)不同產(chǎn)品的需求。其將通用的微處理器和 Flash 存儲(chǔ)器結(jié)合在一起,特別是可反復(fù)擦寫(xiě)的 Flash 存儲(chǔ)器可有效地降低開(kāi)發(fā)成本。清晰圖見(jiàn)附錄 C P101P112P123P134P145P156P167P178RESET9RXD/P3010TXD/P3111INT0/P3212INT1/P3313T0/P3414T1/P3515RD/P3717X118X219GND20P2021P2122P2223P2324P2425P2526P2627P2728PSEN29ALE30EA/VPP31P0732P0633P0534P0435P0336P0237P0138P0039VCC40WR/P36162U4AT89C512C620pF2C520pF2Y112MHz2C710uF/16V 2R810K2S1VCCVCCVCC復(fù)位電路時(shí)鐘電路121J2CON21 21J3CON21R111223344551JDQ1SRD05VSLC1D51N4007VCC1Q18550Vin1GND2Vout31U278054R11光敏電阻4Q380504RP9電位器4R1210K1C4330uf1R711223344
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