實(shí)驗(yàn)三單級低頻放大電路(參考版)
2025-05-19 07:11本頁面
【正文】 (P621) 實(shí)驗(yàn)中使用 1/4W色環(huán)電阻 （ 2）電位器 a b c b端是滑動(dòng)端 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) （ 3）電解電容 電解電容質(zhì)量的判別方法 13 電解電容分類參數(shù) P14 電解電容質(zhì)量在使用中正極接電路高電位。等。 按額定功率劃分 ：分為 1/8W、 1/4W、 1W 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) （ 7）測量交流參數(shù)的注意事項(xiàng) ① 必須接直流穩(wěn)壓電源，使放大器工作； ② 輸入端必須接交流信號源；輸入信號的幅度以測量為準(zhǔn)； （重要） ③ 輸出波形不能失真， 所以測量過程中，要使用示波器監(jiān)視輸出波形。 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) （ 5）通頻帶測量 fL 下限截止頻率 fH 上限截止頻率 fbw通頻帶 （ fbw=fHfL ） 中頻放大倍數(shù) mA?當(dāng)輸入信號幅度保持不變時(shí)，測量 VO的變化可代替 Av的變化 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) （ 6） vo與 vi相位差的測量 用示波器可以測量兩個(gè)信號之間的相位差。 測量方法： 調(diào)節(jié) RW和輸入信號， 增加輸入信號幅度，用示波器監(jiān)視輸出信號。 測峰值 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) (2)Ri的測量 ?使用間接法進(jìn)行測量 第一步 測量 vs 第二步 測量 vi 測量 Ri用的標(biāo)準(zhǔn)電阻 第三步 計(jì)算 Ri isii vvvR??電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) 測量 Ri的儀器連接線 1 + vi + + T + 測量 vs(Vs) 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) 測量 Ri的儀器連接線 2 + vi + + T + 測量 vi(Vi) 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) (3)Ro的測量 第一步 測量 vo 第二步 測量 voo 第三步 計(jì)算 Ro Loooo RvvR )1( ??電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) 測量 Ro的儀器連接線 1 測量 vo（ Vo） + vi + + T + 為什么測交流參數(shù) 時(shí)要加直流電？ 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) 測量 Ro的儀器連接線 2 測量 voo（ Voo） + vi + + T + 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) （ 4） Vomax、 Vimax的測量 Vo增大時(shí)會失真 。 靜態(tài)工作點(diǎn)為最佳狀態(tài) 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) (1)Av的測量 使用毫伏表測量 vo和 vi的有效值 ，然后計(jì)算出 Av。 調(diào)節(jié) RW和輸入信號，使放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)為最佳狀態(tài)（即當(dāng)輸入信號幅度增大時(shí)，輸出波形同時(shí)出現(xiàn)飽和與截止失真）。 混入交流信 號 時(shí)的圖像 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) (3)電路調(diào)整（調(diào)整靜態(tài)工作點(diǎn)） 按照指標(biāo)進(jìn)行直流參數(shù)的調(diào)整 用于調(diào)節(jié) 靜態(tài)工作點(diǎn) 一般是按照 ICQ的值 調(diào)節(jié)放大器 RW,使集電極電壓達(dá)到指定值。 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) 例：使用示波器測量放大器的 VCEQ VCQ VEQ VCEQ=VCQVEQ 間接法 直接測出 VCEQ 直接法 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) 另外： 測量直流參數(shù)時(shí)，應(yīng)斷開交流信號。 電流值通過計(jì)算得到 abbaab RVVI??例 1：使用示波器測量放 大器的 ICQ 、 IEQ 。 間接法：示波器測量兩點(diǎn)對地電位，取差值為兩點(diǎn)電壓值。 否則，將對測量產(chǎn)生干擾，并直接影響測量結(jié)果。 一般只用測 ICQ 、 VCEQ來描述 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) (1)測量儀器使用時(shí)的注意事項(xiàng)： 一般使用示波器、萬用表測量 1）應(yīng)考慮 測量儀器 的內(nèi)阻（輸入阻抗）對側(cè)量電路的影響 萬用表 MF47電壓檔的內(nèi)阻 —— 直流檔： 20kΩ/V 交流檔： 4kΩ/V 示波器的內(nèi)阻： 1MΩ 本次實(shí)驗(yàn)使用示波器測量。 III． VCC對 Q點(diǎn)的影響 iC u CE O M N Q i C u CE O M N Q i C u CE O M N Q Q 2 Q 1 R b2 R b R b1 R b Q 1 Q 1 Q 2 Q 2 Rc1 R c R c2 R c U CC1 U CC U CC2 U CC ( a ) R b 變化對 Q 點(diǎn)的影響 ( b) Rc 變化對 Q 點(diǎn)的影響 ( c ) U CC 變化對 Q 點(diǎn)的影響 電路參數(shù)對 Q 點(diǎn)的影響 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn) 實(shí)
黨政相關(guān)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1