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正文內(nèi)容

太陽能電池及相關(guān)技術(shù)簡介(參考版)

2025-05-16 10:49本頁面
  

【正文】 3. 化學(xué)氣相沉積法( CVD)就是將襯底加熱到適當(dāng)溫度,然后通以反應(yīng)氣體(如 SiH2Cl SiH3Cl、 SiCl SiH4等),在一定保護氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在襯底表面。 制備方法 ? 目前制備多晶硅薄膜電池多采用 等離子化學(xué)氣相沉積法( PECVD)、液相外延法( LPPE)、化學(xué)氣相沉積法( CVD)和區(qū)熔再結(jié)晶法( ZMR)、等離子噴涂法( PSM)、疊層法、固相結(jié)晶法( SPC) . 1. 等離子增強化學(xué)氣相沉積法是利用PEVCD技術(shù)在非襯底上制備晶粒較小多晶硅薄膜的一種方法。 襯底選擇 ? 非硅襯底 : 可以大幅度降低成本,但是所獲得的多晶硅薄膜晶粒小,工藝
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