【正文】 （如果保存文件的后綴名為 .c、 .h或 .asm，源文件中的關(guān)鍵字符將彩色加亮顯示 ） 。先選擇工具條中的 File，然后選擇下拉菜單中的 New File，將打開(kāi)一個(gè)編輯窗口。改變工具配置或配置 C51編譯器時(shí)，選擇工具條中的 Project，然后選擇下拉菜單中 Tool Chain Integration， 就可以選擇和設(shè)置匯編器、編譯器和鏈接器。 其次，是配置項(xiàng)目。在對(duì)話框中先選擇一個(gè)用來(lái)保存項(xiàng)目的目錄，然后輸入項(xiàng)目名稱(chēng)，單擊 Save（保存）按鈕。打開(kāi) IDE， 在 IDE視窗左邊的項(xiàng)目窗口中，右鍵單 擊 New Project（ 新項(xiàng)目）在彈出的對(duì)菜單中選擇 Save project New Project。 以下介紹如何在 Silicon IDE編程環(huán)境中創(chuàng)建項(xiàng)目、生成程序目標(biāo)代碼和下載程序到目標(biāo)硬件系統(tǒng)。 用于集成其它編譯器或開(kāi)發(fā)工具。 具有設(shè)置斷點(diǎn)、觀察點(diǎn)、單步等功能。 程序的主要特點(diǎn)包括： 。 第五章 系統(tǒng)程序調(diào)試 32 5 系統(tǒng)程序調(diào)試 程序 的調(diào)試環(huán)境是 IDE。介紹了總的軟件流程圖及各部分軟件程序是如何實(shí)現(xiàn)的。 圖 根據(jù)多項(xiàng)式擬合的步驟，可以畫(huà)出多項(xiàng)式擬合的流程圖如圖 。消元主要采用初等變換可以將法方程組化簡(jiǎn)為上三角陣，代回法方程組，就可得到法方程組的解。 由曲線 擬合的特點(diǎn)可知法方程組是線性方程組，故本次設(shè)計(jì)解法方程組采用高斯消元法。注意到此時(shí) () kk xx? ? ，多項(xiàng)式系數(shù) 01, , , ma a a 滿(mǎn)足下面的線性方程組： 其中： 西安工業(yè)大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 29 然后只要調(diào)用解線性方程的函數(shù)程序即可。其算法如下：已知數(shù)據(jù)對(duì)( , )( 1, 2 , , )jjx y j n? 。端口為低電平表示有鍵按下 。按鍵判斷的流程圖如下圖 。 外接按鍵程序 外接按鍵有增加鍵、減少鍵和確認(rèn)鍵。為了減少這些方面的負(fù)擔(dān)，數(shù)據(jù)格式化功能為用戶(hù)提供了一種能對(duì)數(shù)據(jù)寄存器 DAC0H和 DAC0L中的數(shù)據(jù)格式編程的手段。 西安工業(yè)大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 27 表 電壓基準(zhǔn)的電氣特性 在某些情況下，對(duì) DAC0進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須對(duì)輸入數(shù) 據(jù)移位，以正確調(diào)整 DAC輸入寄存器中的數(shù)據(jù)。為了給 DAC0提供偏置，必須將 REF0CN寄存器 中的偏置使能位（ BIASE）置 1。向 DAC0EN寫(xiě) 1允許 DAC0工作，向DAC0EN寫(xiě) 0則禁止 DAC0。DAC0 控制寄存器（ DAC0CN）提供允許 /禁止 DAC0 和改變輸入數(shù)據(jù)格式的手段。在寫(xiě) DAC0H 寄存器時(shí)數(shù)據(jù)被鎖存到 DAC0，所以如果需要 12位分辨率，應(yīng)在寫(xiě)入 DAC0L 之后寫(xiě) DAC0H。每個(gè) DAC的輸出擺幅均為 0V 到VREF1LSB，對(duì)應(yīng)的輸入碼范圍是 0x000 到 0xFFF。 mmm=Flash_007_read(0x8000)。 Flash_007_write(0x8000,33)。 while(1) { C8051f007_init()。 } void Flash_007_write(unsigned int addr,unsigned char dat) { 西安工業(yè)大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 26 XBYTE[addr]=dat。 m2=CBYTE[m1]。 PSCTL=FLASH_ERASE_OFF。 //禁止擦除，但允許寫(xiě) } /******************************************************************** 函數(shù)名： void Flash_erase_sector(unsigned int m1) * 功能描述： flash扇區(qū)擦除 * 輸入： unsigned int m1為扇區(qū)地址 * 返回： *******************************************************************/ void Flash_erase_sector(unsigned int m1) { PSCTL=FLASH_ERASE_ON。 } /******************************************************************** 函數(shù)名： void Flash_007_init(void) * 功能描述： c8051f007flash初始化 * 輸入： * 返回： ********************************************************************/ void Flash_007_init(void) { FLSCL=0x86。 PRT2CF=0xff。 PRT0CF=0xff。 //端口初始化，自由 IO口，推挽、弱上拉允許 XBR1=0。 void C8051f007_init(void) { OSCICN=0xe4。 void Flash_007_write(unsigned int addr,unsigned char dat)。 void Flash_007_init(void)。 g． 清除 PSWE 以禁止 FLASH 寫(xiě) 。當(dāng) FLASCL值被設(shè)置為 1111b 時(shí)，寫(xiě) /擦除操作被禁止。 4 位預(yù)分頻值 FLASCL 決定用于寫(xiě)/擦除操作的時(shí)間。 （寫(xiě) 入的字節(jié)數(shù)可以是一個(gè)字節(jié)到整個(gè)扇區(qū)之間的任何值）。 f． 向剛擦除的扇區(qū)中所希望的地址寫(xiě)入數(shù)據(jù)字節(jié)。 d． 向待擦除扇區(qū)內(nèi)的任何一個(gè)地址寫(xiě)入一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)。 b． 置位 PSEE（ ）允許 FLASH扇區(qū)擦除。在用軟件清除 PSEE位之前將一直允許擦除操作。將程序存儲(chǔ)擦除允許位 PSEE（ ）和 PSWE（ ）設(shè)置為邏輯 ‘ 1’ 后，用 MOVX命令寫(xiě)一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)到扇區(qū)內(nèi)的任何地址將擦除整個(gè) 512字節(jié)的扇區(qū)。 32k字節(jié)的 FLASH存儲(chǔ)器是以 512字節(jié)的扇區(qū)為單位組織的。只有擦除操作能將 FLASH中的數(shù)據(jù)位置 ‘ 1’ 。 在 對(duì) FLASH存儲(chǔ)器寫(xiě)入之前，必須將程序存儲(chǔ)寫(xiě)允許位 PSWE（ ）設(shè)置為邏輯‘ 1’ ，以允許 FLASH寫(xiě)操作，在用軟件清除 PSWE位之前將一直允許寫(xiě)操作。這是對(duì)未初始化器件的唯一的編程方法。 _nop_()。 C8051f007_init()。k++) { 。j++) { for(k=0。i++) { for(j=0。 for(i=0。 西安工業(yè)大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 23 unsigned char j。i++) { 。 for(i=1。 return(temp_onebyte)。 _nop_()。 _nop_()。 //主機(jī)釋放總線 _nop_()。 } else 西安工業(yè)大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 22 { temp_onebyte=temp_onebyte|0x80。 //延時(shí)大于 15us小于 60us temp_onebyte=1。 //延時(shí)大于 1us小于 15us,啟動(dòng)有效 DQ_18b20=1。 _nop_()。 _nop_()。i++) { DQ_18b20=0。 for(i=0。 } /******************************************************************** 函數(shù)名： unsigned char Read_onebyte_18b20(void) * 功能描述：在讀命令后讀取 18b20的 8位數(shù)據(jù) * 入口參數(shù)：無(wú) * 返回：無(wú)符號(hào)字節(jié)型溫度數(shù)據(jù) ********************************************************************/ unsigned char Read_onebyte_18b20(void) { unsigned char temp_onebyte=0。 //合并為 temp Reset_18b20()。 //讀出溫度低 8位 temp_h=Read_onebyte_18b20()。 Write_18b20(RD_SCR_18b20)。 Reset_18b20()。 西安工業(yè)大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 21 unsigned char temp_h。 } Delay_6us(1)。 //恢復(fù)高電平 _nop_()。 Delay_6us(10)。 //啟動(dòng)寫(xiě)操作 DQ_18b20=m1amp。 _nop_()。i++) { DQ_18b20=0。 for(i=0。 //高電平 80us(大于 60us)，準(zhǔn)備接受存在脈沖 Delay_6us(50)。 //低電平 720us(大于 480us小于 960us)，提供復(fù)位脈沖 DQ_18b20=1。 DQ_18b20=0。 //延時(shí)大于 750ms，等待轉(zhuǎn)換結(jié)束 } /******************************************************************** 函數(shù)名： RESET_18b20(void) * 功能描述：復(fù)位 18b20 * 入口參數(shù)： * 返回： ********************************************************************/ void Reset_18b20(void) { DQ_18b20=1。 //跳過(guò) Rom檢測(cè) Write_18b20(CONV_T_18b20)。 //返回溫度值 } /******************************************************************** 函數(shù)名： Start_18b20(void) * 功能描述：?jiǎn)?dòng) 18b20 * 入口參數(shù)：無(wú) * 返回：無(wú) ********************************************************************/ void Start_18b20(void) { Reset_18b20()。 //啟動(dòng) 18B20 temp=Read_18b20()。 } /******************************************************************** 函數(shù)名： Ds18b20(void) * 功能描述：?jiǎn)纹?18b20的 12位溫度采集子程序，無(wú) ROM訪問(wèn)，無(wú)高低溫預(yù) 警 * 入口參數(shù)：無(wú) * 返回： 12位溫度值 ********************************************************************/ unsigned int Ds18b20(void) { unsigned int temp。 PRT2CF=0xff。 PRT0CF=0xff。 //端口初始化，自由 IO口，推挽、弱上拉允許 XBR1=0。 /******************************************************************** 18b20常量定義 ********************************************************************/ define SKIP_18b20 0xcc //跳過(guò) ROM監(jiān)測(cè) define WR_SCR_18b20 0x4e //寫(xiě) 1820暫存器 define RD_SCR_18b20 0xbe //讀 1820暫存器 define CONV_T_18b20 0x44 //啟動(dòng) 1820溫度變換 /****************************************************************** CPU初始化 *******************************************************************/ void C8051f007_init(void) { OSCICN=0xe4。 void Delay_6us(unsigned char m1)。 unsigned char Read_onebyte_18b20(void)。 void Write_18b20(unsigned char m1 )。 void Start_18b20(void)。 程序流程圖 及其調(diào)試程序 由上述分析，結(jié)合本系統(tǒng)需要，確定程序的流程圖如圖 圖 溫度測(cè)量程序流程圖 西安工業(yè)大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 18 調(diào)試 程序如下： include // SFR declarations include /*************