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銅包鋼內(nèi)導(dǎo)體射頻同軸電纜-(參考版)

2024-09-02 12:25本頁(yè)面
  

【正文】 26 李富根 2020117 。 時(shí)域法測(cè)量的電纜結(jié)構(gòu)回波損耗, 它所顯示和反映的是電纜沿電纜線長(zhǎng)度分布的局部特性阻抗的變化,反應(yīng)出電纜均勻性沿線分布的位置和不均勻性的性質(zhì),但不能反映頻率對(duì)不均勻性影響的情況。采用頻域法測(cè)量的電纜結(jié)構(gòu)回波損耗(阻抗均勻性),它測(cè)量反應(yīng)的是電纜的結(jié)構(gòu)回波損耗(阻抗均勻性或電纜結(jié)構(gòu)均勻性)和頻率特性的關(guān)系,反應(yīng)出電纜在各個(gè)頻率下不均勻性的綜合結(jié)果,但不反映不均勻性的位置和性質(zhì)。此外,可選配轉(zhuǎn)移阻抗、屏蔽衰減、耦合衰減測(cè)試裝置。 CTS650A1對(duì)稱數(shù)字通信電纜測(cè)試系統(tǒng),可以測(cè)試的低頻性能有:導(dǎo)體電阻、電阻偏差、電阻不平衡、環(huán)路電阻、工作電容、電容不平 25 衡等。 HP8753ES 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 ,測(cè)試頻率可在 30 KHz~ 6 GHz 測(cè)試 24 顯示相位 ,群延遲 ,駐波比等 ,從 SmithChart(史密斯圓圖 )顯示反射和傳輸參數(shù)等 ,以供分析比較 . HP8753 系列矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 ,具有測(cè)試快速 ,測(cè)試精度高 ,操作簡(jiǎn)便 .并可從頻域變換為時(shí)域 ,直觀電纜內(nèi)部特性 ,確定失配出現(xiàn)的位置和幅值。生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)還可配備 DCM CMSCOAX同軸電纜測(cè)試系統(tǒng)對(duì)產(chǎn)品生產(chǎn)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試。 同軸電纜 ,目前已經(jīng)采用 HP8753D 等測(cè)試儀器測(cè)量電纜的性能。 四 , 銅包鋼導(dǎo)體射頻同軸電纜的性能試驗(yàn) 同軸電纜性能參數(shù)測(cè)試是鑒定 ,考核電纜結(jié)構(gòu)和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)和標(biāo)準(zhǔn)要求的唯一準(zhǔn)繩 ; 測(cè)試方法和測(cè)試儀器正確選用及其先進(jìn)性和準(zhǔn)確性 ,反映一個(gè)國(guó)家或企業(yè)的技朮水平。 護(hù)套的擠出,較多采用半擠壓式。 護(hù)套的外徑尺寸,應(yīng)該嚴(yán)格控制在工藝規(guī)定的結(jié)構(gòu)尺寸范圍內(nèi),超過(guò)工藝規(guī)定的尺寸,將會(huì)影響電纜的裝配。 5,護(hù)套(層) 護(hù)套 又稱為護(hù)層,它是電纜的保護(hù)層,起到保護(hù)電纜免受外界各種環(huán)境因素影響(如防止水氣、有害氣體等侵入),使電纜正常工作的結(jié)構(gòu)層。 組合屏蔽的屏蔽性能 —— 屏蔽衰減 BS受到以下因素的影響: ( 1)復(fù)合箔層縱包搭接寬度,縱包工藝的質(zhì)量,縱包的平整度; ( 2)復(fù)合箔層的基帶厚度及其質(zhì)量; ( 3)外導(dǎo)體編織密度和編織質(zhì)量; ( 4)電纜輔設(shè)、施工質(zhì)量等。雙層編織屏蔽對(duì)模擬信號(hào)傳輸?shù)钠帘问欠浅S行У?,但是?duì)于數(shù)字視頻信號(hào)的傳輸屏蔽,并不是最佳的結(jié)構(gòu)選擇。 組合( Combination)屏蔽(箔+編織)是近年來(lái)發(fā)展的一種屏蔽結(jié)構(gòu)型式,它具有較好的屏蔽性能,在 CATV 電纜和數(shù)字通信電纜上獲得廣泛應(yīng)用,國(guó)內(nèi)有標(biāo)準(zhǔn)將這種屏蔽稱為標(biāo)準(zhǔn)屏蔽。箔層屏蔽通常用來(lái)作為多對(duì)數(shù)據(jù)電纜的單對(duì)電線的屏蔽層,以減小串音。 箔( Foil)屏蔽結(jié)構(gòu)保證了 100%的電纜覆蓋屏蔽。 編織屏蔽,較比箔( Foil)屏蔽有較低的直流( DC)電阻和最小的低頻干擾,適合音頻和射頻( RF)范圍應(yīng)用 。雙層編織屏蔽具有較好的高頻屏蔽性能,能提供對(duì)來(lái)自更高頻率的騷擾或泄漏進(jìn)行防護(hù)(如計(jì)算機(jī)、局域網(wǎng)等),雙層編織屏蔽的轉(zhuǎn)移阻 抗 ZT約為 3~ 6 m ohm/m。一般單層編織屏蔽電纜的轉(zhuǎn)移阻抗 ZT,在 30MHz 頻率下約為 100 m ohm/m 以上。單層編織屏蔽,編織密度在 80~ 95%時(shí),能對(duì)低阻抗騷擾源提供防護(hù)。編織屏蔽,可以是單層、雙層及多層屏蔽。但是,由于經(jīng)由斜包線的電感形成線圈作用, 它只能應(yīng)用于音頻頻率范圍的電纜作屏蔽, 如麥克風(fēng)電纜、音頻電纜和彈簧繩(線)等電線的屏蔽層,射頻電纜一般不采用斜包屏蔽結(jié)構(gòu)型式。作為通訊應(yīng)用的電纜屏蔽層結(jié)構(gòu)型式有:斜包( Spiral)、編織( Braid)、箔( Foil)、組合( Combination)屏蔽(箔+編織)等。 成軸后的絕緣線芯,應(yīng)該保持表面清潔、干凈,避免任何影響絕緣質(zhì)量的不當(dāng)行為。 20 擠出后的絕緣線芯,經(jīng)過(guò)緩慢冷卻后并未完全定型,還會(huì)有一定的收縮,因而在絕緣外徑的控制上應(yīng)稍稍大于標(biāo)準(zhǔn)所要求的值,具體數(shù)值應(yīng)視電纜的外徑大小和絕緣厚度、周圍的環(huán)境溫度等因素而定。 3,絕緣線芯收線和成軸 擠出后的絕緣線芯的收線和成軸,應(yīng)該注意以下方面: 避免收線張力周期性的緊或松的現(xiàn)象,防止收線出現(xiàn)周期性的不均勻性。要求內(nèi)導(dǎo)體不伸出絕緣截面或伸出部分越短越好。 冷卻水槽溫度,一般設(shè)定為 70~ 90℃→ 50~70℃→ 30~ 50℃→室溫(空氣自然冷卻),具體的溫度設(shè)定要根據(jù)電纜絕緣線徑的大小、絕緣層的厚度、擠出速 度等因素調(diào)整。 聚乙稀絕緣擠出的冷卻水槽,應(yīng)分段放置不同溫度的水,使絕緣逐漸降溫定型。驟然冷卻聚乙稀絕緣,會(huì)在擠包絕緣層組織內(nèi)部產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力,殘留的內(nèi)應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致電纜使用過(guò)程中產(chǎn)生龜裂和絕緣的收縮。 聚乙?。?PE)是一種 結(jié)晶 性高聚物。 實(shí)芯絕緣結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn) : 結(jié)構(gòu)穩(wěn)定 、 電氣強(qiáng)度高 、 熱阻小 、絕緣不易受潮氣影響 、 它適于經(jīng)常承受彎曲的場(chǎng)合使用 。低密度聚乙稀材料, 它具有損耗低 、 耐電強(qiáng)度優(yōu)秀 、 良好的使用壽命等一系列優(yōu)點(diǎn) ,因而 得到最廣泛的應(yīng)用 。因此,銅包鋼導(dǎo)體預(yù)熱后應(yīng)經(jīng)過(guò)調(diào)直導(dǎo)輪再進(jìn)入擠出模具,保證電纜導(dǎo)體的同心度和穩(wěn)定性。銅包鋼內(nèi)導(dǎo)體預(yù)熱,還可除去導(dǎo)體表面的潮氣、油污,使得絕緣擠出時(shí)減少或避免潮氣、油污遇到高溫絕緣時(shí)揮發(fā)形成氣泡。 銅包鋼內(nèi)導(dǎo)體應(yīng)該進(jìn)行預(yù)熱,預(yù)熱溫度為 100~ 120℃左右。銅包鋼導(dǎo)體放線張力要均勻、適當(dāng),避免過(guò)緊或過(guò)松;特別要避免放線張力周期性的緊或松的現(xiàn)象,防止放線出現(xiàn)周期性的不均勻性。 三,銅包鋼導(dǎo)體射頻同軸電纜的制造工藝要求 1,銅包鋼導(dǎo) 體 銅包鋼 導(dǎo)體 的線徑公差要?。ā?77。 國(guó)際 電工委員會(huì) IEC 46A提出的同軸電纜的轉(zhuǎn)移阻抗與屏蔽衰減之間的轉(zhuǎn)換公式為: BS =- 20 log ZT C /( Z1 Z2) 1/2 2π f(√ε 1-ε 2) 17 式中: ZT—— 電纜的轉(zhuǎn)移阻抗, ohm/m; C—— 自由空 間的光速, 3 108m/s; Z1—— 一次系統(tǒng)的特性阻抗, ohm(電纜的標(biāo)稱額定阻抗); Z2—— 二次系統(tǒng)的特性阻抗, ohm: F—— 測(cè)量頻率, Hz; ε 1—— 一次系統(tǒng)的介電常數(shù)(電纜絕緣的等效介電常數(shù)); ε 2—— 二次系統(tǒng)的介電常數(shù),(由于電纜和周圍環(huán)境間充滿空氣,空氣的ε 2= 1)。 屏蔽衰減的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是以一米為測(cè)試長(zhǎng)度。屏蔽系數(shù) S 值越小,則屏蔽 衰減 BS 就越大,電纜的屏蔽性能就越好。用屏蔽衰減來(lái)表示電纜的屏蔽性能,是一個(gè)來(lái)得更為直接、直觀的參數(shù)。 屏蔽衰減 BS 是 表示電纜屏蔽效率的一個(gè)參數(shù),屏蔽衰減值越大,電纜的屏蔽性能越好。轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)為 GB902388《射頻同軸 電纜屏蔽效率測(cè)量方法(轉(zhuǎn)移阻抗法)》。 ZT 越小 ,表示一定的電流在外導(dǎo)體外表面上產(chǎn)生的電壓越小 ,電纜的的屏蔽性能 16 越好 。轉(zhuǎn)移阻抗的大小是由屏蔽層一個(gè)表面上流通的電流 I(同軸電纜外導(dǎo)體的內(nèi)表面上)與該電流流經(jīng)的同一 層另一表面上(同軸電纜外導(dǎo)體的外表面上)引起的電壓 VT, ZT值為: ZT= VT / I 轉(zhuǎn)
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