hdb╱yd003－2000單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)及編制說(shuō)明(參考版)
2024-08-25 14:21本頁(yè)面
【正文】 例： 從單晶硅棒到拋光片的損耗還包括切片過(guò)程中的崩邊、裂縫 ，磨片過(guò)程中的碎片和缺口，堿腐蝕過(guò)程中的沾污、花斑，拋光等過(guò)程中的碎片劃傷造成的損耗，具體如下：切片 5％、倒角 1％、磨片 5％、腐蝕 2％、退火 2％、拋光 5％、清洗 2％，此間損耗率約 20％ 從單晶硅棒 單晶硅拋光片的總損耗率： 4英寸約為 57． 4％ 5 英寸約為 ％ 。此間的損耗約 34％ 35％。一般來(lái)講，由于晶體質(zhì)量原因造成的損耗率為 7． 5％。損耗約 10％ 13％。 單晶硅棒整形過(guò)程中的頭尾料約 20％。 重?fù)搅现饕糜谏a(chǎn)低電阻率（電阻率＜ 歐姆／厘米）的硅片。 重?fù)搅鲜侵?將多晶硅原料及接近飽和量的雜質(zhì)（種類(lèi)有硼，磷，銻，砷。 清洗的方式：主要是傳統(tǒng)的 RCA濕式化學(xué)洗凈技術(shù)。 清洗：在單晶硅片加工過(guò)程 中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光后的最終清洗。 拋光的設(shè)備：多片式拋光機(jī)，單片式拋光機(jī)。 （ B）堿性腐蝕，堿性腐蝕液由 KOH或 NaOH加純水組成。 腐蝕的方式：（ A）酸性腐蝕，是最普遍被采用的。 研磨的設(shè)備：研磨機(jī)（雙面研磨） 主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。 切片的設(shè)備：內(nèi)園切割機(jī)或線(xiàn)切割機(jī) 倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。 處理的設(shè)備：磨床及 X－ RAY 繞射儀。 切斷的設(shè)備：內(nèi)園切割機(jī)或外園切割機(jī) 切斷用主要進(jìn)口材料：刀片 外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過(guò)外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。長(zhǎng)完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時(shí)間后取出，即完成一次生長(zhǎng)周期。于是為了避免此問(wèn)題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢 縮小，直到成一尖點(diǎn)而與液面分開(kāi)。單晶硅片取自于等徑部分。 （ 4）放肩生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。由于籽晶與硅熔體場(chǎng)接觸時(shí)的熱應(yīng)力，會(huì)使籽晶產(chǎn)生位錯(cuò)，這些位錯(cuò)必須利用縮勁生長(zhǎng)使之消失掉。 （ 2）熔化：加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長(zhǎng)晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開(kāi)石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（ 1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。 目前國(guó)
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