備戰(zhàn)高考化學(xué)備考之無機(jī)非金屬材料壓軸突破訓(xùn)練∶培優(yōu)-易錯-難題篇附答案(1)(參考版)
2025-04-02 00:14本頁面
【正文】 。（4） 該裝置的缺點(diǎn)是_________。（2） 裝置B的作用是__________。已知: PdCl2溶液可用于檢驗(yàn)CO，反應(yīng)的化學(xué)方程式為CO + PdCl2 + H2O= CO2+ 2HCl + Pd(產(chǎn)生黑色金屬鈀粉末，使溶液變渾濁)?！驹斀狻?1)實(shí)驗(yàn)室熔融二氧化錳、氧氧化鉀、氯酸鉀時(shí)應(yīng)選擇鐵坩堝，因?yàn)槠胀úＡй釄?、石英坩堝、陶瓷坩堝中含有二氧化硅，能與KOH反應(yīng)，故答案為d；(2)第一步熔融時(shí)二氧化錳、氧氧化鉀、氯酸鉀生成K2MnO4的化學(xué)方程式為：3MnO2+KClO3+6KOH3K2MnO4+KCl+3H2O；(3)采用濃縮結(jié)晶、趁熱過濾得到KMnO4，說明高錳酸鉀的溶解性隨溫度影響較大，操作Ⅰ中根據(jù)KMnO4和K2CO3兩物質(zhì)在溶解性上的差異，采用濃縮結(jié)晶、趁熱過濾得到KMnO4，趁熱過濾的原因是避免溫度下降，造成主產(chǎn)品純度降低；(4)反應(yīng)b是電解法制備KMnO4，a為陽極，K2MnO4生成KMnO4，發(fā)生反應(yīng)：MnO42e=MnO4，陰極為b，由氫離子放電，得到KOH，故離子交換膜為陽離子交換膜，交換鉀離子；(5)KMnO4稀溶液因?yàn)槠鋸?qiáng)氧化性是一種常用的消毒劑，雙氧水、84消液(NaClO溶液)具有氧化性，能消毒，故答案為：ab。其消毒原理與下列物質(zhì)相同的________(填標(biāo)號)。趁熱過濾的原因是_______________（4）反應(yīng)b是電解法制備KMnO4，其裝置如圖所示，a作____________極(填“陽”或“陰”)，中間的離子交換膜是_____ (填“陽”或“陰”)離子交換膜。主要用于防腐、化工、制藥等?！军c(diǎn)睛】本題的易錯點(diǎn)和難點(diǎn)為(1)中副反應(yīng)方程式的書寫，要注意C和Si高溫下能夠化合生成SiC?！敬鸢浮緾 第三周期IVA族 3C+SiO2 SiC+2CO↑ 精餾或蒸餾或分餾 SiCl4+O2+2H2 SiO2+4HCl O2+2H2O+4e=4OH 【解析】【分析】由流程可知，反應(yīng)I為焦炭和石英砂高溫條件下發(fā)生反應(yīng)2C+SiO2 Si+2CO↑，反應(yīng)Ⅱ主要為Si與氯氣高溫反應(yīng)生成SiCl4，根據(jù)所得的四氯化硅粗品中所含的物質(zhì)的沸點(diǎn)不同，經(jīng)過精餾(或蒸餾或分餾)得到純SiCl4，反應(yīng)Ⅲ為SiCl4與氫氣、氧氣在1500℃時(shí)反應(yīng)SiCl4+O2+2H2 SiO2+4HCl，反應(yīng)IV為SiCl4與NH3在1400℃時(shí)反應(yīng)3SiCl4+4NH3 Si3N4+12HCl，據(jù)此分析解答。mol?Ll?minl；反應(yīng)Ⅲ的與Ⅳ產(chǎn)生的氣體相同，則反應(yīng)Ⅲ化學(xué)方程式為______。min后反應(yīng)完全，則molmol3SiCl4+4NH3 Si3N4+12HCl，若向2（2）經(jīng)反應(yīng)Ⅱ所得的四氯化硅粗品中所含的物質(zhì)如下：組分名稱HCl質(zhì)量分?jǐn)?shù)沸點(diǎn)圖中“操作X”的名稱為______；的電子式為______?！驹斀狻?1)蛇紋石中含有的可溶性金屬氧化物有Na2O、K2O，它們能與水反應(yīng)生成氫氧化鈉和氫氧化鉀；(2)二氧化硅屬于酸性氧化物，可與氫氧化鈉溶液反應(yīng)生成硅酸鈉和水，反應(yīng)的離子方程式為：SiO2+2OH=SiO32 +H2O；(3)氧化鈉與氧化鉀屬于可溶性氧化物，氧化鋁屬于兩性氧化物，二氧化硅屬于酸性氧化物，上述四種物質(zhì)都能溶解在氫氧化鈉溶液中，氧化鎂和氧化鐵屬于堿性氧化物且難溶于水，因此，濾渣A的成分有MgO和Fe2O3；(4)步驟②生成沉淀的成分是硅酸，洗滌過濾出的沉淀的方法是：向過濾器中注入蒸餾水至浸沒沉淀，待水自然流出后，重復(fù)上述操作兩到三次；(5)步驟③用灼燒的方法使硅酸分解生成二氧化硅，化學(xué)方程式為：H2SiO3SiO2+H2O，實(shí)驗(yàn)室灼燒固體時(shí)需要用到的儀器有坩堝、泥三角、酒精燈、玻璃棒、坩堝鉗和三腳架。(5)步驟③反應(yīng)的化學(xué)方程式為 _______________________________________；實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行步驟③需要用到的儀器有坩堝、泥三角、酒精燈、玻璃棒、________和____________。(3)濾渣 A的成分有__________________ (填化學(xué)式)。(1)蛇紋石中涉及的可溶性金屬氧化物有___________________(寫化學(xué)式)。12．高純二氧化硅可用來制造光纖。11．請按要求完成下列各題：（1）硫單質(zhì)與濃硫酸在加熱條件下反應(yīng)的化學(xué)方程式__________________（2）在水玻璃中通入過量二氧化碳，其總反應(yīng)的離子方程式為_________________________________（3）將一小塊鈉投入到盛溶液的燒杯中，劇烈反應(yīng)，放出氣體并生成藍(lán)色沉淀，其總反應(yīng)的離子方程式為_________________________________（4）石灰乳與苦鹵中的Mg2+反應(yīng)的離子方程式____________________________________（5）成分為鹽酸的潔廁靈與“84”消毒液混合使用，易中毒，其中反應(yīng)的離子方程式為________________（6）鐵粉與水蒸氣反應(yīng)的化學(xué)方程式是____________________________________【答案】S+2H2SO4 3SO2↑+2H2O SiO32+2H2O+2CO2=H2SiO3↓+2HCO3 2Na+2H2O+Cu2+═Cu(OH)2↓+H2↑+2Na+ Ca(OH)2+Mg2+=Mg(OH)2↓+Ca2+ Cl+ClO+2H+═Cl2↑+H2O 3Fe+4H2O(g)Fe3O4+4H2 【解析】【分析】(1)硫單質(zhì)與濃硫酸在加熱條件下生成SO2和水；(2)在Na2SiO3溶液中通入過量二氧化碳，生成硅酸沉淀和NaHCO3；(3)鈉與硫酸銅溶液的反應(yīng)實(shí)質(zhì)為：鈉與水反應(yīng)生成氫氧化鈉和氫氣，生成的氫氧化鈉與銅離子反應(yīng)生成氫氧化銅沉淀，據(jù)此寫出反應(yīng)的離子方程式；(4)石灰乳與苦鹵中的Mg2+反應(yīng)生成Mg(OH)2和Ca2+；(5)酸性條件下，氯離子和次氯酸根離子反應(yīng)生成氯氣和水；(6)鐵粉與水蒸氣反應(yīng)生成四氧化三鐵和氫氣?！驹斀狻?1)①碳酸鈣與鹽酸反應(yīng)生成氯化鈣和二氧化碳、水，發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為CaCO3+2H+=CO2↑+H2O+Ca2+；②硅酸鈉溶液中滴加稀鹽酸生成硅酸沉淀和氯化鈉，發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為+2H+=H2SiO3↓；(2)①可表
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