【正文】 case 4： LCD_WriteControl(0xd4+column—1)； break。 lcd_clear_e()； LCD_OP_PORT=(Data4)|temp。 temp=LCD_OP_PORT。BIT3； LCD_OP_PORT=temp； Lcd_set_rw()； ／／ Set LCD to READ 徐州工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 32 lcd_clear_rs()； lcd_set_e()； delay_nus(3)； high=LCD_IP_PORT； lcd_clear_e()； lcd_set_e()； asm(”nop”)； asm(”nop”)； low=LCD—IP—PORT；． lcd_clear_e()； }while(high＆ 0x80)； delay_nus(20)； } void LCD_WriteControl(unsigned char CMD) { char temp； LCD_Busy()； LCD_DIR_PORT=0xff； temp=LCD_OP_PORT； temp=tempamp。 delay_nms(1)； } void icd_wait(void) { asm(”nop”)； } void icd_send(unsigned char data) 徐州工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 30 { Lcd_wait()； dataport=data。 delay_nus(1)；／／ delay_nus(2)； } for(i=0； i4； i++) { TmpByte=0； if((pinpamp。 } ／／ TmpByte=7； R_Byte= (RByte1)。 R_Byte2=0x00； prt_clear_io()； ddr_clear_io()； for(i=0。(1io))) bpm=1； prt_set_clk()； delay_nus(2)； prt_clear_clk()； delay_nus(2)； prt_clear_rst()； prt_clear_clk()； R_Byte =4； return R_Byte； } unsigned char readbyte(unsigned char w_byte) { unsigned char temp； reset()； write(w_byte)； temp=read()； prt_clear_rst()； prt_clear_clk()； return temp； } void writebyte(unsigned char w_byte， unsigned char w_2_byte) { reset()； 徐州工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 28 write(w_byte)。 R_Byte I=TmpByte； Prt_set_clk()； delay_nus(2)； prt_clear_clk()； delay_nus(2)； } bflag=0； if((pinpamp。 } } DSl302． C include”includes． h” define DSl302_C unsigned char bflag； unsigned char bpm； unsigned char get_hours(void) { unsigned char i； unsigned char R_Byte； unsigned char TmpByte； reset()； write(0x85)； ddr_set_io()； R_Byte=0x00； 徐州工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 27 Prt_clear_io()； ddr_clear_io()； for(i： 0； i4； i++) } TmpByte=0。 徐州工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 25 參考文獻(xiàn) [1] 趙長(zhǎng)德 .微型計(jì)算機(jī)原理與接口技術(shù) [M].北京：機(jī)械工業(yè)出版社， 1999： 98350. [2] 蘇平 .單片機(jī)的原理與接口技術(shù) [M].北京 :電子工業(yè)出版社， 2021： 1113. [3] 王忠民 .微型計(jì)算機(jī) 原理 [M].西安 :西安科技大學(xué)出版社， 2021： 1555. [4] 胡戴明 .計(jì)算機(jī)組成原理 [M].北京 :經(jīng)濟(jì)科學(xué)出版社， 2021： 4356. [5] 紀(jì)宗南 .單片機(jī)外圍器件使用手冊(cè) [M].北京 :北京航空航天大學(xué)出版社， 622655. [6] 周雪 .模擬電子技術(shù) [M]西安 : 西安電子科技大學(xué)出版社， 2021： 8195. [7] 左金生 .電子與模擬電子技術(shù) [M].北京 :電子工業(yè)出版社， 2021： 105131. [8] 尹勇 .單片機(jī)開發(fā)環(huán)境 μ Vision2 的開發(fā)指南 [M]. 北京 :北京 航空航天大學(xué)出版社，2021： 173199. [9] 張斌武 .單片機(jī)系統(tǒng) Proteus 設(shè)計(jì)與仿真 [M]. 北京 :電子工業(yè)出版社， 2021:5289. 徐州工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 26 附錄 附錄 1 源代碼 DELAY． C define DELAY_C include”includes． h” define XTAL 12 void delay_lus(void) { asm(”nop”)： } void delay_nus(unsigned int n) { unsigned int i=0； for(i=0； in； i++) delay_lus()； } void delay_ims(void) { unsigned int i； for(i=0： i(unsigned int)(XTAL*1432)。論文從選題和最終完成，凝結(jié)著導(dǎo)師的辛勤的汗水，她不辭勞苦的教導(dǎo)、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)淖黠L(fēng)使我 終生受益。由于平時(shí)沒有接觸過這兩個(gè)軟 件 ，加上畢業(yè)設(shè)計(jì)的時(shí)間有限，對(duì)于他們的連接調(diào)試程序，未能熟練掌握，但以后有機(jī)會(huì)的話會(huì)再好好學(xué)習(xí)的。而且 所設(shè)計(jì)的 電子萬(wàn)年歷 設(shè)計(jì)也按當(dāng)初要求的能夠在 PROTEUS 中進(jìn)行仿真，并且能夠很精確的顯示 年歷 。 徐州工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 22 圖 510仿真測(cè)試 ⑤ PROTEUS 的調(diào)試功能 由于使用的是匯編語(yǔ)言編寫的程序，如果 在測(cè)量的時(shí)候測(cè)量值顯示錯(cuò)誤，說(shuō)明程序中存在問題，這個(gè)問題只用在仿真測(cè)量的時(shí)候才能被發(fā)現(xiàn)，這時(shí)可以使用 PROTEUS 對(duì)程序進(jìn)行調(diào)試。如果編譯結(jié)果沒有錯(cuò)誤，會(huì)出現(xiàn)如圖 58 所示的結(jié)果。 如圖 56所示。 徐州工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 19 圖 55 at89c51與 ds1302的連接 ISIS 還提供了網(wǎng)絡(luò)布線，即不使用線連接也可 以把兩個(gè)引腳虛擬的連接了起來(lái)。逆時(shí)針旋轉(zhuǎn) 90176。 ③ 把元器件放到圖紙的合適位置，進(jìn)行布線 單擊如圖 54 所示的元器件 AT89C51，再在右邊圖紙上單擊，就把元器件放入到了圖紙上。 徐州工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 17 圖 52 圖 53 從此窗口的左上角的“ Keywords”中輸入 電子萬(wàn)年歷 設(shè)計(jì)用到的器件，如輸入“ AT89C51”，在中間會(huì)列出帶有輸入關(guān)鍵字的元器件，選擇合適的元器件并雙擊它，則已經(jīng)選擇好了該元器件。 用 PROTEUS ISIS 設(shè)計(jì)硬件電路的過程 ① 選擇設(shè)計(jì)圖紙的到小 根 據(jù)設(shè)計(jì)所使用到元器件的多少，選擇合適大小的設(shè)計(jì)圖紙，操作是單擊菜單欄上的System→ Set Sheet Size ，然后彈出如圖 51所示的對(duì)話框，從中選擇合適大小的圖紙，也可以選擇 User 進(jìn)行圖紙的自定義設(shè)置。該系統(tǒng)的軟件設(shè)計(jì)方法與硬件設(shè)計(jì)相對(duì)應(yīng)，按整體功能分成多個(gè)不同的程序模塊，分別進(jìn)行設(shè)計(jì)、編程和調(diào)試，最后通過主程序?qū)⒏鞒绦蚰K連接起來(lái)。這種記錄對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的連續(xù)測(cè)控系統(tǒng)結(jié)果的分析及對(duì)異常數(shù)據(jù)出現(xiàn)的原因的查找具有重要意義。 DS1302在第一次加電后，必須進(jìn)行初始化操作。雖然 DS1302在主電源掉電后的耗電很小，但是，如果要長(zhǎng)時(shí)間保證時(shí)鐘正常，最好選用小型充電 電池。 在 DS1302 的時(shí)鐘日歷或 RAM 進(jìn)行數(shù)據(jù)傳送時(shí)， DS1302 必須首先發(fā)送命令字節(jié)。功耗低，顯示狀態(tài)時(shí)電流為 2μA ( 典型值 )，省電模式時(shí)小于 1μA ，工作電壓為 ～ ，顯示清晰。只是選擇晶振時(shí)，不同的晶振，誤差也較大。 DS1302 與 RAM 相關(guān)的寄存器分為兩類：一類是單個(gè) RAM 單元，共 31 個(gè)，每個(gè)單元組態(tài)為一個(gè) 8位的字節(jié)，其命令控制字為 C0H～ FDH，其中奇數(shù)為讀操作，偶數(shù)為寫操 作；另一類為突發(fā)方式下的 RAM 寄存器，此方式下可一次性讀寫所有的 RAM 的 31 個(gè)字節(jié)， 命令控制字為 FEH(寫 )、 FFH(讀 )。同樣，在緊跟 8 位的控制指令字后的下一個(gè) SCLK 脈沖的下降沿讀出DS1302 的數(shù)據(jù)，讀出數(shù)據(jù)時(shí)從低位 0位到高位 7。 DS1302 的控制字節(jié)的最高有效位 (位 7)必須是邏輯 1，如果它為 0，則不能把數(shù)據(jù)寫入 DS1302中，位 6如果為 0，則表示存取日歷時(shí)鐘數(shù)據(jù)，為 1表示存取 RAM數(shù)據(jù) 。上電運(yùn)行時(shí)，在 Vcc≥ 之前，RST 必須保持低電平。 RST 是復(fù)位 /片選線，通過把 RST 輸入驅(qū)動(dòng)置高電平來(lái)啟動(dòng)所有的數(shù)據(jù)傳送。 DS1302 由 Vcc1 或 Vcc2 兩者中的較大者供電。 DS1302 內(nèi)部有一個(gè) 318 的用于臨時(shí)性存放數(shù)據(jù)的 RAM 寄存器。本文介紹的實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路 DS1302 是 DALLAS公司的一種具有涓細(xì)電流充電能力的電路，主要特點(diǎn)是采用串行數(shù)據(jù)傳輸，可為掉電保護(hù)電源提供可編程的充電功能，并且可以關(guān)閉充電功能。 引出端符號(hào) CLOCK 時(shí)鐘輸入端 CLEAR 同步清除輸入端（低電平有效） A， B 串行數(shù)據(jù)輸入端 QA－ QH 輸出端 邏輯及封裝圖 ，如 32， 33 圖 32 邏輯圖 徐州工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 9 圖 33 封裝圖 極限值 電源電壓????????????? 7V 輸入電壓????????????? 工作環(huán)境溫度 54164?????????????? 55～ 125℃ 74164?????????????? 0～ 70℃ 儲(chǔ)存溫度?????????????? 65℃～ 150℃ 表 33真值表 H－高電平 L－低電平 X－任意電平↑－低到高電平跳變 QA0,QB0,QH0－規(guī)定的穩(wěn)態(tài)條 件建立前的電平 QAn,QGn－時(shí)鐘最近的↑前的電平 時(shí)序圖 如下 34 徐州工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 10 圖 34 時(shí)序圖 推薦工作條件 如表 34: 表 34推薦工作條件 靜態(tài)特性（ TA 為 工作環(huán)境溫度范圍 ） 如表 35 徐州工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 11 表 35工作環(huán)境溫度范圍 [1]:測(cè)試條件中的“最小”和“最大”用推薦工作條件中的相應(yīng)值。在整個(gè)中斷響應(yīng)過程中 CPU 所執(zhí)行的操作步驟如下： （ 1）完成當(dāng)前指令的操作 （