【正文】 溫度升得越高，玻璃中的重金屬氧化物分解的越多，即鉍元素變少，硼元素相對(duì)變多。因此溫度越高，玻璃中鉍的含量越少，共價(jià)鍵越容易斷裂。即，隨著 H2B2O4的質(zhì)量百分比的增加，全熔溫度逐漸升高。由于熔制次數(shù)越多，玻璃種重金屬元素南通大學(xué)畢業(yè)論文 11 的氧化物分解的越多，如鉍的含量變少，硼含量相對(duì)增加。C 左右，當(dāng)溫度達(dá)到 900176。 南通大學(xué)畢業(yè)論文 10 37% 42% 47% 52% 57%464466468470472474476478480圖2:Bi2O3的質(zhì)量百分比對(duì)軟化溫度Tg的影響曲線Tg (℃)Bi2O3的質(zhì)量百分比： (%) 圖 3 為熔制溫度對(duì)軟化溫度 Tg 的影響，如圖所示，熔制溫度在 9001000176。因?yàn)殂G原子的半徑大，所以鉍鉍之間的鍵能小，鍵容易發(fā)生斷裂。由于硼原子的半徑小，其正離子半徑大，硼酸根正離子之間的鍵能較小，因而隨著溫度的升高，其共價(jià)鍵容易斷裂。用于封接真空器件和電子元件，一般均 要求電阻率高。在實(shí)際使用過程中，低熔玻璃要求能耐大氣、水氣以及某些腐蝕性介質(zhì)的侵蝕。 ii） 熱膨脹系數(shù)。反之，則玻璃的軟化溫度越低，熱膨脹系數(shù)越大，化學(xué)穩(wěn)定性越差。此外，低熔玻璃中往往大量使用重金屬氧 化物，這是由于這類氧化物的易熔性所引起的。燒制完成后將一部分熔融態(tài)玻璃進(jìn)行水淬處理，水淬后烘干樣品進(jìn)行粉碎，選取均勻、無裂紋、無氣泡和機(jī)械雜質(zhì)等缺陷的玻璃，取出配料。該玻璃粉可用于以氧化鋁陶瓷、莫來石陶瓷等為基板的電極和導(dǎo)電漿料中。目前國(guó)內(nèi)電子漿料的研究并不多，也不成氣候。s，可作為良好的封接粉體（粒徑 1040 微米），封接過程中流動(dòng)性強(qiáng)，不會(huì)過早析晶。 2021 年德留正龍首先對(duì) B2O3BaOZnO 體系進(jìn)行了研究后 DukNam Kim 的研究表明此系統(tǒng)具有優(yōu)良的絕緣性能。這主要是由于 鉍三價(jià)正離子和鉛的 2 價(jià)正離子都是等電子體，易極化；錫和鉛同屬第四主族元素，兩者有相似的化學(xué)性質(zhì)。用于封接真空器件和電子元件，一般均要求電阻率高。在實(shí)際使用過程中，低熔玻璃要求能耐大氣、水氣以及某些腐蝕性介質(zhì)的侵蝕。 （ 2） 熱膨脹系數(shù)。反之，則玻璃的軟化溫度越低，熱膨脹系數(shù)越大，化學(xué)穩(wěn)定性越差。此外，低熔玻璃中往往大量使用重金屬氧化物，這是由于這類氧化物的易熔性所引起的。由于技術(shù)保密等原因，很多文獻(xiàn)都局限于低熔玻璃體系的結(jié)構(gòu)與性能的研究，其他方面報(bào)道較少。 所謂低熔玻璃是在 600 攝氏度一下其物質(zhì)能夠輕易焊接的玻璃，《硅酸鹽詞典》中則定義為軟化點(diǎn)低于 600 攝氏度的玻璃。而目前國(guó)內(nèi)外大多數(shù)領(lǐng)域采用含鉛 的玻璃系統(tǒng)，大部分商用封接玻璃的玻璃中 PbO含量都很高，有的甚至達(dá)到 70%，含鉛玻璃必然會(huì)對(duì)環(huán)境造成極大的污染。將金屬粉末、玻璃粉末、有機(jī)載體分別準(zhǔn)備完畢后 ,就可對(duì)其進(jìn)行混合與分散。電子漿料有多種分類方法 ,按用途可分為導(dǎo)體漿料、電阻漿料、介質(zhì)漿料、磁性漿料 。熔制溫度和熔制次數(shù)的增加都使得特征溫度特征溫度升高，膨脹系數(shù)降低。C ， 90min） 實(shí)驗(yàn)結(jié)論與分析： 1） 軟化溫度（作圖） 2） 全熔溫度（作圖） 3）膨脹系數(shù)（作圖） 三 參考文獻(xiàn) [ 1 ] 李言榮 ,惲正中 . 電子材料導(dǎo)論 [ M] . 北京 :清華大學(xué)出版社 ,2021. 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