賓館溫濕度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)_單片機(jī)原理及接口技術(shù)課程設(shè)計(jì)-wenkub.com
2025-06-24 10:00 本頁(yè)面
【正文】 通過(guò)本次課設(shè)，又熟悉了匯編程序，對(duì) 89C51 單片機(jī)有了更深刻的了解，并且熟悉了各引腳功能，以及中斷、定時(shí)等功能的工作， 89C51 單片機(jī)的接口技術(shù)，包括鍵盤接口技術(shù)模擬 /數(shù)字轉(zhuǎn)換器等，了解他們的結(jié)構(gòu)和工作方式，還有傳感器在生活中的應(yīng)用。 MOV 30H,A。 JC W4。 AJMP W1。 CLR C。 十進(jìn)制轉(zhuǎn)換子程序 ORG 0600H。 ADCON:MOV DPTR,7FFFFH。 R1 重賦值 10 NEXT:MOV TL0,0B0H。 T0 溢出 10 次，即 1s 進(jìn)一次采樣處理 LCALL ADCON。 開(kāi)放 T0 中斷 SETB TR0。 堆棧指針賦初值 60H MOV TMOD,01H。如溫度高于上限時(shí)需要降溫，低于下限 時(shí)需要升溫，如濕度高于上限時(shí)需要降濕，低于下限時(shí)需要増濕，同時(shí)還要啟動(dòng)警報(bào)等等。 圖 DAC0832 邏輯結(jié)構(gòu)及引腳圖 DAC0832 引腳功能如下： DI0DI7 ： 8 位數(shù)據(jù)輸入端； ILE： 數(shù)據(jù)允許鎖存信號(hào)； CS :輸入寄存器選擇信號(hào)； WR1 : 輸入寄存器寫(xiě)選通信號(hào)，低電平有效； XFER： 數(shù)據(jù)傳送信號(hào)； WR2: 寫(xiě)信號(hào) 2，低電平有效； VREF： 基準(zhǔn)電源輸入端； RFB :反饋信號(hào)輸入端； IOUT1: 電流輸出端 1，其值隨 DAC 的內(nèi)容線性變化； IOUT2 :電流輸出端 2,； VCC: 電源輸入端； AGND: 模擬地； DGND: 數(shù)字地。 用戶 MCU 發(fā)送一次開(kāi) 始信號(hào)后 ,DHT11 從低功耗模式轉(zhuǎn)換到高速模式 ,等待主機(jī)開(kāi)始信號(hào)結(jié)束后 ,DHT11發(fā)送響應(yīng)信號(hào) ,送出 40bit的數(shù)據(jù) ,并觸發(fā)一次信號(hào)采集 ,用戶可選擇讀取部分?jǐn)?shù)據(jù) .從模式下 ,DHT11 接收到開(kāi)始信號(hào)觸發(fā)一次溫濕度采集 ,如果沒(méi)有接收到主機(jī)發(fā)送開(kāi)始信號(hào) ,DHT11 不會(huì)主動(dòng)進(jìn)行溫濕度采集 .采集數(shù)據(jù)后轉(zhuǎn)換到低速模式。傳感器上電后，要等待 1s 以越過(guò)不穩(wěn)定狀態(tài)在此期間無(wú)需發(fā)送任何指令。如圖 。校準(zhǔn)系數(shù)以程序的形式儲(chǔ)存在 OTP內(nèi)存中，傳感器內(nèi)部在檢測(cè)信號(hào)的處理過(guò)程中要調(diào)用這些校準(zhǔn)系數(shù)。它應(yīng)用專用的數(shù)字模塊采集技術(shù)和溫濕度傳感技術(shù)，確保產(chǎn)品具有極高的可靠性與卓越的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。在實(shí)際工作中，傳感器的動(dòng)態(tài)特性常用它對(duì)某些標(biāo) 準(zhǔn)輸入信號(hào)的響應(yīng)來(lái)表示。 圖 單片機(jī)最小系統(tǒng) 傳感器的設(shè)計(jì) 傳感器的特性 傳感器的靜態(tài)特性是指對(duì)靜態(tài)的輸入信號(hào)，傳感器的輸出量與輸入量之間所10UFC110KR1GNDVCC1KR2S1RST1 2 3 4ABCD4321DCBAT i t l eN u m b e r R e v i s i o nS i z eA4D a t e : 1 2 J u l 2 0 1 3 S h e e t o f F i l e : C : \ U s e r s \ A C E R \ D e s k t o p \ 單片機(jī)課設(shè) 1 . d dbD r a w n B y :晶振1 1 .0 5 9 2 M H zRR E S 2S W P BC23 0 p FC13 0 p FC32 2 u FRR E S 2V C CP 1 .01P 1 .12P 1 .23P 1 .34P 1 .45P 1 .56P 1 .67P 1 .78R S T9P 3 .0 / R x D10P 3 .1 / T x D11P 3 .2 / I N T 012P 3 .3 / I N T 113P 3 .4 / T 014P 3 .5 / T 115P 3 .6 / W R16P 3 .7 / R D17X T A L 218X T A L 119G N D20P 2 .021P 2 .122P 2 .223P 2 .324P 2 .425P 2 .526P 2 .627P 2 .728P S E N29A L E / P R O G30E A / V p p31P 0 .732P 0 .633P 0 .534P 0 .435P 0 .336P 0 .237P 0 .138P 0 .039V C C40A T 8 9 C 5 1V C C 本科生課程設(shè)計(jì)（論文） 8 具有相互關(guān)系。上電復(fù)位是通過(guò)外部復(fù)位電路給電容 C充電加至RST引腳一個(gè)短的高電平信號(hào)，次信號(hào)隨著 VCC對(duì)電容 C的充電過(guò)程而逐漸回落，即RST引腳上的高電平持續(xù)時(shí)間取決于電容 C的充電時(shí)間。這兩個(gè)引腳跨接石英晶體和微調(diào)電容，構(gòu)成一個(gè)穩(wěn)定的自己振蕩器。 XTAL2：來(lái)自反 向振蕩器的輸出。 /EA/VPP：當(dāng) /EA保持低電平時(shí)，則在此期間外部程序 存儲(chǔ)器 （ 0000HFFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。如果 微處理器 在外部執(zhí)行狀態(tài) ALE禁止，置位無(wú)效。然而要注意的是：每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器 時(shí)，將跳過(guò)一個(gè) ALE脈沖。 ALE/PROG：當(dāng)訪問(wèn)外部 存儲(chǔ)器 時(shí)， 地址鎖存 允許的 輸出電平 用于鎖存地址的低位字節(jié)。作為輸入，由于外部下拉為低電平， P3口將輸出電流（ ILL）這是由于上拉的緣故。在給出地址 “1” 時(shí)，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢(shì)，當(dāng)對(duì)外部八位地址數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器 進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí)， P2口輸出其 特殊功能寄存器 的內(nèi)容。 P2口： P2口為一個(gè)內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口， P2口緩沖器可接收，輸出 41 2 3 4ABCD4321DCBAT i t l eN u m b e r R e v i s i o nS i z eA4D a t e : 1 2 J u l 2 0 1 3 S h e e t o f F i l e : C : \ U s e r s \ A C E R \ D e s k t o p \ 單片機(jī)課設(shè) 1 . d dbD r a w n B y :P 1 .01P 1 .12P 1 .23P 1 .34P 1 .45P 1 .56P 1 .67P 1 .78R S T9P 3 .0 / R x D10P 3 .1 / T x D11P 3 .2 / I N T 012P 3 .3 / I N T 113P 3 .4 / T 014P 3 .5 / T 115P 3 .6 / W R16P 3 .7 / R D17X T A L 218X T A L 119G N D20P 2 .021P 2 .122P 2 .223P 2 .324P 2 .425P 2 .526P 2 .627P 2 .728P S E N29A L E / P R O G30E A / V p p31P 0 .732P 0 .633P 0 .534P 0 .435P 0 .336P 0 .237P 0 .138P 0 .039V C C40A T 8 9 C 5 1 本科生課程設(shè)計(jì)（論文） 5 個(gè) TTL門電流，當(dāng) P2口被寫(xiě) “1” 時(shí)，其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高，且作為輸入。在 FIASH 編程時(shí)， P0 口作為原碼輸入口，當(dāng) FIASH 進(jìn)行校驗(yàn)時(shí)， P0 輸出原碼，此時(shí) P0 外部必須接上拉電阻。 GND：接地。同時(shí)， AT89C51 可降至 0Hz 的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種 軟件 可選的節(jié)電工作模式。同時(shí)該芯片還具有 PDIP、 TQFP 和 PLCC 等三種封裝形式。 中央微處理器 AT89C51： AT89C51 是一個(gè)低功耗，高性能 CMOS 8 位單
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