【正文】 ? 用于發(fā)送上 /下行資源調(diào)度信息、功控命令等，通過(guò)下行控制信息塊 DCI承載，不同用戶使用不同的 DCI資源。 ?指示 PDCCH的長(zhǎng)度信息（ 2或 3），在子幀的第一個(gè) OFDM符號(hào)上發(fā)送， 占用 4個(gè) REG， 均勻分布在整個(gè)系統(tǒng)帶寬。 配置原則 ? 因?yàn)?PCI直接決定了小區(qū)同步序列，并且多個(gè)物理信道的加擾方式也和 PCI相關(guān)，所以相鄰小區(qū)的 PCI不能相同以避免干擾。網(wǎng)管配置時(shí)，為小區(qū)配置 0～ 503之間的一個(gè)號(hào)碼即可。 ? 物理信道 是將屬于不同用戶、不同功用的傳輸信道數(shù)據(jù)流分別按照相應(yīng)的規(guī)則確定其 載頻、 擾碼、擴(kuò)頻碼、開(kāi)始結(jié)束時(shí)間等進(jìn)行相關(guān)的操作，并在最終調(diào)制為模擬射頻信號(hào)發(fā)射出去； 不同物理信道上的數(shù)據(jù)流分別屬于不同的用戶或者是不同的功用。 ? TDLTE的特殊子幀可以有多種配置，用以改變 DwPTS， GP和 UpPTS的長(zhǎng)度。 TDLTE的DwPTS必須小于 （ 15360Ts)。經(jīng)計(jì)算，為和 TDSCDMA時(shí)隙對(duì)齊引起的容量損失約為 20% ） 計(jì)算方法： ，特殊時(shí)隙 DwPTS如果用于傳輸數(shù)據(jù)，那么吞吐量按照正常下行時(shí)隙的 輸。而TDSCDMA的調(diào)度周期為 5ms TDLTE和 TDSCDMA鄰頻共存（ 1） TDS = 3:3 根據(jù)仿真結(jié)果，此時(shí) TDLTE下行扇區(qū)吞吐量為 26Mbps左右 （采用 10:2:2，特殊時(shí)隙可以用來(lái)傳輸業(yè)務(wù)） TDLTE = 2:2 + 10:2:2 TDSCDMA 時(shí)隙 = 675us DwPTS = 75us GP = 75us UpPTS = 125us TDLTE 子幀 = 1ms = 30720Ts 10:2:2 = 21952Ts : 4384Ts : 4384Ts 3:9:2 = 6592Ts : 19744Ts : 4384Ts TDSCDMA TDLTE = 特殊時(shí)隙 特殊時(shí)隙 共存要求：上下行沒(méi)有交疊（圖中 Tb Ta）。適用于對(duì)時(shí)延要求較高的場(chǎng)景 轉(zhuǎn)換周期為 10ms表示每 10ms有一個(gè)特殊時(shí)隙。 ? 一個(gè)無(wú)線幀分為兩個(gè) 5ms半幀，幀長(zhǎng) 10ms。 接收分集的主要算法： MRC IRC ? 由于 IRC在最大化有用信號(hào)接收的同時(shí)能最小化干擾信號(hào)，故通常情況 IRC優(yōu)于 MRC ? 天線數(shù)越多及干擾越強(qiáng)時(shí)， IRC增益越大 ? IRC需進(jìn)行干擾估計(jì)，計(jì)算復(fù)雜度較大 性能比較 初期引入建議： ? IRC性能較好，故建議廠商支持 IRC ? 鑒于 IRC復(fù)雜度較大，廠商初期可能較難支持，故同時(shí)要求 MRC LTE幀結(jié)構(gòu) FDD LTE幀結(jié)構(gòu) TDLTE幀結(jié)構(gòu) 0 幀 : 10ms 子幀 : 1ms 時(shí)隙 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ? 既可用于業(yè)務(wù)信道，又可用于控制信道。同小區(qū)不同終端可以有不同傳輸模式 ? eNB自行決定某一時(shí)刻對(duì)某一終端采用什么傳輸模式，并通過(guò) RRC信令通知終端 ? 模式 3到模式 8中均含有發(fā)射分集。傳 輸 模 式 不 同 ， 采 用不 同 的 預(yù) 編 碼 矩 陣 。 LTE系統(tǒng)最常見(jiàn)的調(diào)度單位，上下行業(yè)務(wù)信道都以 RB為單位進(jìn)行調(diào)度。 CCE = 9 REG REG： RE group，資源粒子組。時(shí)域上看受到了 ISI，頻域上看受到了 ICI 關(guān)鍵技術(shù) CDMA符號(hào)間保護(hù)間隔 空白間隔 ? 有保護(hù)間隔，但保護(hù)間隔不傳輸任何信號(hào) ? 可以有效消除多徑的 ISI，但引入了 ICI 有空白保護(hù)間隔 時(shí)間 幅度 FFT積分周期 保護(hù)間隔 OFDM符號(hào) 符號(hào)之間空出一段時(shí)間做為保護(hù)間隔，這樣做可以消除 ISI（因?yàn)榍耙粋€(gè)符號(hào)的多徑信號(hào)無(wú)法干擾到下一個(gè)符號(hào)），但同時(shí)引起符號(hào)內(nèi)波形無(wú)法在積分周期內(nèi)積分為0，導(dǎo)致波形在頻域上無(wú)法和其他子載波正交。 分布式：分配給用戶的 RB不連續(xù) 集中式：連續(xù) RB分給一個(gè)用戶 ? 優(yōu)點(diǎn) ： 調(diào)度開(kāi)銷(xiāo)小 ? 優(yōu)點(diǎn) ： 頻選調(diào)度增益較大 頻率 時(shí)間 用戶 A 用戶 B 用戶 C 子載波 在這個(gè)調(diào)度周期中，用戶 A是分布式，用戶 B是集中式 關(guān)鍵技術(shù) 時(shí)域波形 t power TDLTE多址方式 上行 和 OFDMA相同，將傳輸帶寬劃分成一系列正交的子載波資源，將不同的子載波資源分配給不同的用戶實(shí)現(xiàn)多址。因此對(duì) RF功率放大器提出很高的要求 較高的峰均比（ PARP） 受頻率偏差的影響 ?高速移動(dòng)引起的 Doppler頻移 ?系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)已通過(guò)增大導(dǎo)頻密度（大致為每 ，時(shí)域密度大于 TDS）來(lái)減弱此問(wèn)題帶來(lái)的影響 子載波間干擾 (ICI） ?折射、反射較多時(shí)，多徑時(shí)延大于 CP(Cyclic Prefix，循環(huán)前綴 )，將會(huì)引起 ISI及 ICI ?系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)已考慮此因素，設(shè)計(jì)的 CP能滿足絕大多數(shù)傳播模型下的多徑時(shí)延要求（ )，從而維持符號(hào)間無(wú)干擾 受時(shí)間偏差的影響 ISI(符號(hào)間干擾） ICI 關(guān)鍵技術(shù) TDLTE多址方式 下行 將傳輸帶寬劃分成一系列正交的子載波資源，將不同的子載波資源分配給不同的用戶實(shí)現(xiàn)多址。 頻域調(diào)度 頻域調(diào)度靈活 ?頻域調(diào)度顆粒度?。?180kHz）。 對(duì)均衡器的要求較高 ?高速數(shù)據(jù)流的符號(hào)寬度較短，易產(chǎn)生符號(hào)間干擾。 概念 頻域波形 f 寬頻信道 正交子信道 OFDM優(yōu)勢(shì) 對(duì)比 FDM 與傳統(tǒng) FDM的區(qū)別？ ? 傳統(tǒng) FDM:為避免載波間干擾，需要在相鄰的載波間保留一定保護(hù)間隔，大大降低了頻譜效率。 中國(guó)移動(dòng) TDLTE芯片需求及產(chǎn)業(yè)支持情況 終端產(chǎn)品 TDLTE無(wú)線測(cè)試工具體系 測(cè)試儀表 無(wú)線測(cè)試工具體系 終端 /芯片類(lèi)測(cè)試工具 網(wǎng)絡(luò)類(lèi)測(cè)試工具 射頻類(lèi)測(cè)試工具 國(guó)外廠商壟斷 RS、安捷倫、安立 支持時(shí)間： 09Q4 信道仿真類(lèi)測(cè)試工具 國(guó)外廠商壟斷 思博倫、伊萊比特 支持時(shí)間： 09Q4 性能類(lèi)測(cè)試工具 國(guó)外廠商壟斷 網(wǎng)鷹、凱達(dá)普、 PRISMA 支持時(shí)間： 10Q2 網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃類(lèi)測(cè)試工具 國(guó)內(nèi)廠商占優(yōu) 中興、大唐 支持時(shí)間： 11Q2 協(xié)議監(jiān)測(cè)類(lèi)測(cè)試工具 國(guó)內(nèi)廠商占優(yōu) 中創(chuàng)、安捷倫、泰克 支持時(shí)間： 08Q4 外場(chǎng)類(lèi)測(cè)試工具 國(guó)內(nèi)廠商占優(yōu) 鼎利、日訊、邁為、安捷倫 支持時(shí)間： 11Q2 終端仿真工具 國(guó)外廠商壟斷 Aeroflex 支持時(shí)間： 09Q2 終端射頻類(lèi)測(cè)試工具 國(guó)外廠商壟斷 RS、安捷倫、安立 支持時(shí)間： 10Q3 協(xié)議一致性 /RRM測(cè)試工具 國(guó)外廠商占優(yōu) 星河亮點(diǎn)、 RS、安立 支持時(shí)間： 10Q3 終端撥測(cè)工具 國(guó)內(nèi)廠商壟斷 鼎利、普天、大唐 支持時(shí)間： 10Q3 TDLTE測(cè)試儀表產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 測(cè)試儀表 TDLTE測(cè)試儀表產(chǎn)業(yè) 產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)度 產(chǎn)業(yè)應(yīng)用情況 產(chǎn)業(yè)薄弱環(huán)節(jié) 研發(fā)進(jìn)度與 FDDLTE相比有 36個(gè)月差距 網(wǎng)絡(luò)類(lèi)測(cè)試儀表已較大規(guī)模應(yīng)用 終端類(lèi)測(cè)試儀表是產(chǎn)業(yè)最薄弱環(huán)節(jié) 部分廠家：先 FDD后 TDD研發(fā)策略 部分廠家：研發(fā)重心仍在TDSCDMA， LTE整體投入較少 研發(fā)、集成測(cè)試、功能驗(yàn)證等方面較大規(guī)模使用射頻、仿真、信令監(jiān)測(cè)等儀表； 部分網(wǎng)規(guī)、網(wǎng)優(yōu)工具由于受限于終端 /芯片，故將較晚提供 部分廠家：研發(fā)資源投入少，側(cè)重 FDDLTE研發(fā) 啟動(dòng)較晚，仍在產(chǎn)品調(diào)研或功能定義階段；未較大規(guī)模使用 測(cè)試認(rèn)證： TDLTE較 TDSCDMA在測(cè)試認(rèn)證方面取得長(zhǎng)足的進(jìn)步，已納入 GCF測(cè)試驗(yàn)證體系，但受限于終端、芯片等進(jìn)度，仍落后于 FDD一個(gè)季度左右 產(chǎn)業(yè)薄弱環(huán)節(jié) — TDLTE終端測(cè)試儀表 測(cè)試產(chǎn)品 第一章 小結(jié) TDLTE的標(biāo)準(zhǔn)演進(jìn)過(guò)程 政府的 TDLTE發(fā)展策略 公司的 TDLTE發(fā)展策略 TDLTE無(wú)線網(wǎng)絡(luò)設(shè)備發(fā)展情況 TDLTE終端 /芯片發(fā)展情況 TDLTE測(cè)試儀表發(fā)展現(xiàn)狀 TDLTE技術(shù)基本原理 TDLTE網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)與演進(jìn)方案 TDLTE組網(wǎng)方案與基站設(shè)備簡(jiǎn)介 什么是 TDLTE？ ? LTE = Long Term Evolution ? LTE 源于利益集團(tuán)的競(jìng)爭(zhēng) – 由 3GPP發(fā)布于 04年 11月，目的是為阻擊 寬帶移動(dòng)市場(chǎng)的搶占。 ■等待 TDLTE成熟后，網(wǎng)絡(luò)向 TDLTE演進(jìn) 實(shí)例三：世界第 3大 WiMAX運(yùn)營(yíng)商馬來(lái)西亞 P1 希望其網(wǎng)絡(luò)向 TDLTE演進(jìn)，但是還在等待 TDLTE成熟商用。 產(chǎn)業(yè)推進(jìn)： 全力爭(zhēng)取 LTE FDD/TDD同步發(fā)展 公司策略 ■ 標(biāo)準(zhǔn)同步： 形成全球統(tǒng)一 LTE TDD/FDD標(biāo)準(zhǔn) ■ 2023年 3月同步完成 R8標(biāo)準(zhǔn) R1R4標(biāo)準(zhǔn)，R5的終端一致性標(biāo)準(zhǔn)同步繼續(xù)推進(jìn)； ■ R9標(biāo)準(zhǔn)同步凍結(jié)，后續(xù) R10標(biāo)準(zhǔn)正在制定 ■ 產(chǎn)品落后 612月 ： ■ 系統(tǒng)設(shè)備晚 36個(gè)月： LTE FDD 2023年 12月正式商用部署； TDLTE 2023年 5月在世博部署演示網(wǎng)絡(luò)； ■ 終端芯片晚 12個(gè)月： LTE FDD單模芯片于 2023年 12月推出； TDLTE第一版芯片于2023年 3月推出，并用于網(wǎng)絡(luò)演示；功能較為完備的單模芯片 2023年底推出 ■ 測(cè)試基本同步： ■ 09年 3月，組織 7家 TDD廠商順利完成 概念驗(yàn)證測(cè)試，落后 FDD3個(gè)月 ■ 10年 6月，與 FDD同步發(fā)布 約 90%的IODT測(cè)試 ■ 10年 6月，與 FDD同步完成 90% TDLTE外場(chǎng)空口測(cè)試 ■ 終端一致性認(rèn)證，落后 6個(gè)月 ■ 同步啟動(dòng) 3GPP終端一致性規(guī)范和 GCF認(rèn)證 WI； ■ 目前規(guī)范和測(cè)試?yán)帉?xiě)同步完成，但由于TDD支持的終端芯片進(jìn)展慢，終端測(cè)試驗(yàn)證進(jìn)度較 FDD落后 6個(gè)月。針對(duì) TDLTE語(yǔ)音，提出了由優(yōu)化的 IMS解決方案、雙模雙待過(guò)渡方案等構(gòu)成的全套策略，并推動(dòng) NGMN接受。 LTE手持終端初現(xiàn) LTE占 2/3G約 25% 技術(shù)成熟 支持 VoLTE終端 網(wǎng)絡(luò)和終端優(yōu)化，具備規(guī)模支持語(yǔ)音 2023 2023 2023 2023 2023 2023 2023 2023 基于規(guī)模試驗(yàn)，覆蓋逐步擴(kuò)大完善，語(yǔ)音互操作性能優(yōu)化 ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ？ ？ 我公司 TDLTE的工作思路 公司策略 一、打造與 LTEFDD融合、同步發(fā)展的全球化產(chǎn)業(yè)，即 4S目標(biāo)： Synchronized， Single Standard，Single Platform， Single Chipset 二、保持與 TDSCDMA相互依托、長(zhǎng)期共存的關(guān)系，推動(dòng)中國(guó)企業(yè)成為 TDLTE全球產(chǎn)業(yè)的主導(dǎo)者，力爭(zhēng)獲得國(guó)內(nèi)政府和產(chǎn)業(yè)的廣泛支持。 ?語(yǔ)音業(yè)務(wù)對(duì) LTE網(wǎng)絡(luò)覆蓋連續(xù)性有較高要求，并需要保證與 2/3G語(yǔ)音互操作質(zhì)量。 積極參與 TDLTE工作組的工作，配合電信研究院，形成國(guó)內(nèi)開(kāi)展測(cè)試、研發(fā)、認(rèn)證等工作的合力。專(zhuān)項(xiàng)課題已經(jīng)充分覆蓋了 TDLTE系統(tǒng)、芯片、儀表、測(cè)試、核心網(wǎng)、業(yè)務(wù)等各環(huán)節(jié)。TDLTE網(wǎng)絡(luò)概述與基站設(shè)備簡(jiǎn)介 網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化中心屬地維護(hù)支撐部 陸飛 聯(lián)系方式： 13761540193 電子郵箱： 課程目標(biāo) 學(xué)習(xí)完此課程，您將會(huì)： 了解 TDLTE產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程及現(xiàn)狀 熟悉 TDLTE技術(shù)基本原理 掌握 TDLTE網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)和演進(jìn)方案 掌握上海 TDLTE試驗(yàn)網(wǎng)組網(wǎng)方案與基站系統(tǒng)結(jié)構(gòu) TDLTE產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程及現(xiàn)狀 TDLTE技術(shù)基本原理 TDLTE網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)與演進(jìn)方案 TDLTE組網(wǎng)方案與基站設(shè)備簡(jiǎn)介 移動(dòng)通信行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì) 移動(dòng)通信行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì) 移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展驅(qū)動(dòng)新一輪移動(dòng)通信技術(shù)變革 CDMA OFDMA TDMA WCDMA HSPA LTE Advanced (包括 目前， 形成了 LTE FDD、 TDLTE、 WiMAX競(jìng)爭(zhēng)的新格局 LTEFDD ?峰值速率 35/75Mbps ?小區(qū)吞吐量 TDLTE ?峰值速率 28/84Mbps ?小區(qū)吞吐量 EVDO Rel. 0 D0 Rel. A ?峰值速率 ?小區(qū)吞吐量 ?峰值速率： ?小區(qū)吞吐量： TDSCDMA