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2025-02-23 07:47 本頁面
【正文】 2023年 3月 16日星期四 7時 46分 50秒 07:46:5016 March 2023 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。勝人者有力，自勝者強。 , March 16, 2023 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 2023年 3月 16日星期四 上午 7時 46分 50秒 07:46: 1楚塞三湘接，荊門九派通。 07:46:5007:46:5007:463/16/2023 7:46:50 AM 1成功就是日復一日那一點點小小努力的積累。 2023年 3月 上午 7時 46分 :46March 16, 2023 1行動出成果，工作出財富。 :46:5007:46Mar2316Mar23 1故人江海別，幾度隔山川。 ＋－C1RD＋VC2RL＋ UDDUi.GRGRSCSDSID－Uo. 圖 自偏壓電路圖 2. 分壓式自偏壓電路 分壓式偏置電路如圖 ，其中 RG1和 RG2為 SDGGGDDSDGGS RIRRRURIUU ????? 212 式中 UG為柵極電位 ， 對 N溝道耗盡型管 ， UGS＜ 0， 所以 ， IDRSUG；對 N溝道增強型管 ， UGS0，所以 IDRSUG。 下面就這兩種電路進行靜態(tài)和動態(tài)分析 。 (5） 注意各極電壓的極性不能接錯 。 通常各極在開路狀態(tài)下保存 。 7） 最大耗散功率 PDM 最大耗散功率 PDM=UDSID， 與半導體三極管的 PCM類似 ， 受管子最高工作溫度的限制 。 gm也就是轉移特性曲線上工作點處切線的斜率 。 2) 飽和漏極電流 I DSS 飽和漏極電流是指工作于飽和區(qū)時 ， 耗盡型場效應管在 UGS=0時的漏極電流 。 當 UGS0時 ， 垂直電場減弱 ， 導電溝道變窄 ， 電流ID減小 。 N溝道耗盡型 MOS管的轉移特性曲線如圖 （ b） 所示 。 改變 UGS， 就可以改變溝道的寬窄 ， 從而控制漏極電流 ID。 N N＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋＋－＋－SUGSGDUDS耗盡層 N 溝道P鋁電極( a )GSD襯底( b )圖 N溝道耗盡型 MOS管的結構和符號 （ a） 結構 。 當 UGS≥UGS(th)時 ， 開始形成導電溝道 ， 并隨著 UGS的增大 ， 導電溝道變寬 ， 溝道電阻變小 ， 電流 ID增大 。 所以改變 UGS的大小 ， 就可以控制溝道電阻的大小 ， 從而達到控制電流 ID的大小 ， 隨著 UGS的增強 ， 導電性能也跟著增強 ， 故稱之為增強型 。 這個電場的作用是排斥 P型襯底中的空穴而吸引電子到表面層 ， 當 UGS增大到一定程度時 ， 絕緣體和 P型襯底的交界面附近積累了較多的電子 ， 形成了 N型薄層 ， 稱為 N型反型層 。 工作時柵源之間加正向電源電壓 UGS， 漏源之間加正向電源電壓 UDS,并且源極與襯底連接 ,襯底是電路中最低的電位點 。 MOS管以一塊摻雜濃度較低的 P型硅片做襯底 ， 在襯底上通過擴散工藝形成兩個高摻雜的 N型區(qū) ， 并引出兩個極作為源極 S和漏極 D；在 P型硅表面制作一層很薄的二氧化硅 （ SiO2） 絕緣層 ， 在二氧化硅表面再噴上一層金屬鋁 ， 引出柵極 G。 由于這種場效應管是由金屬 （ Metal） ,氧化物 （ Oxide） 和半導體 （ Semiconductor） 組成的 ，故稱 MOS管 。 當 UDS增加到一定值時 ， 漏極電流 ID急劇上升 ， 靠近漏極的 PN結被擊穿 ， 管子不能正常工作 ，甚至很快被燒壞 。 （ 3） 夾斷區(qū) 。 漏源之間可視為一個線性電阻 RDS， 這個電阻在 UDS較小時 ， 主要由 UGS決定 ， 所以此時溝道電阻值近似不變 。 當 UGS=UGS(off)時 ， 溝道全部夾斷 ， ID=0。 圖 線 。 當 0UGSUGS(off)時 ， 溝道電流 ID在零和最大值之間變化 。 由圖 ， UDS的主要作用是形成漏極電流 ID。（ c） 導電溝道夾斷 2） UDS對導電溝道的影響 設柵源電壓 UGS=0,當 UDS=0時 ， ID=0， 溝道均勻 ，如圖 （ a） 所示 。 溝道電阻趨于無窮大 。 此時耗盡層最薄 ， 導電溝道最寬 ， 溝道電阻最小 。 如圖 ， 場效應管工作時它的兩個 PN結始終要加反向電壓 。 N溝道G柵極S源極D漏極NPP( a )GDS( b )3DJ 7D GS( c ) 圖 N （ a） 結構
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