哈工程核學(xué)院核電子學(xué)模電基礎(chǔ)-wenkub.com
2025-02-14 23:30 本頁面
【正文】 模電基礎(chǔ) ——（反饋） 電路中引入負(fù)反饋后，其性能會得到多方面的改善。通過影響放大電路輸入量從而影響放大電路輸出量的措施。 ?偏置電路：主要為各級放大電路提供合適的靜態(tài)工作電流，以確定各級的靜態(tài)工作點。 ?中間級：主要完成電壓放大任務(wù)，要求有高的電壓增益。 模電基礎(chǔ) ——（放大電路） 模電基礎(chǔ) ——（放大電路） （ a）共源放大電路 4. 2場效應(yīng)管放大電路 , ( / / )ou m L L L DiU g R R R RU??? ??? ? ? ? ?iiGiURRI????oDRR?類似晶體管與共射放大電路，有電壓放大能力；輸出與輸入電壓反相；但輸入電阻較高而電壓放大倍數(shù)較小。多用于多級放大電路的中間級 Ro 模電基礎(chǔ) ——（放大電路） （ c）共集電極放大電路（射極跟隨器） 電壓增益 輸入電阻 輸出電阻 ? ?? ?1 11Loube LiRUrRU???????? ? ? ???? ? ?? ?12/ / / / 1i B B be LR R R r R? ?? ? ?//L E LR R R? ?12//11/ / / /S be S beoES S B BR r R rRRR R R R??????????? ?其 中電壓增益小于 1，接近 1，輸出電壓與輸入電壓同相；有電流和功率放大能力；有高輸入電阻和低輸出電阻。 ?擊穿區(qū)：隨 uDS增大，靠近漏區(qū)的 P+N結(jié)反偏電壓也隨之增大產(chǎn)生雪崩擊穿， iD會急劇增加，甚至燒壞管子。 模電基礎(chǔ) ——（場效應(yīng)管） JFET的結(jié)構(gòu)及類型 結(jié)型場效應(yīng)管 JFET 模電基礎(chǔ) ——（場效應(yīng)管） JFET的工作原理 0G S D Suu? 時 對 導(dǎo) 電 溝 道 的 影 響 模電基礎(chǔ) ——（場效應(yīng)管） JFET的工作原理 柵源電壓 UGS的變化將有效地控制漏極電流 iD的變化，體現(xiàn)了柵源電壓 UGS對漏電流 iD的控制作用 模電基礎(chǔ) ——（場效應(yīng)管） JFET的伏安特性 輸出特性 () GSD D S ui f u ?? 常 數(shù)?可變電阻區(qū)：場效應(yīng)管可以看成一個受 uGS控制的可變電阻，即壓控電阻。 β隨溫度升高而增大， ％ ～ 1％，在輸出特性曲線圖上，曲線間距隨溫度升高而增大。 模電基礎(chǔ) ——（三極管） 溫度對晶體管參數(shù)的影響 ?對 ICBO的影響 ?對 UBE的影響 ?對 β的影響 溫度升高，特性曲線左移 (IB一定時，隨溫度升高， UBE將減小 )。鍺：幾十至幾百微安；硅：小于 1微安。 模電基礎(chǔ) ——（三極管） ——放大 （以 NPN共發(fā)射極為例） E E N C N B NB B N C B OC C N C B OE C BI I I II I II I II I I? ? ???????(1) (2) (4) (3) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 UC﹥ UB﹥ UE 模電基礎(chǔ) ——（三極管） ——放大狀態(tài) CN C CBOB N B CBOI I II I I??????共基直流電流放大系數(shù)： CNEII? ??共射直流電流放大系數(shù) 忽略 ICBO ? ?1CBEBE C BI
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1