微電子芯片技術(shù)2-wenkub.com
2024-12-30 14:28 本頁面
【正文】 2，微電子芯片技術(shù)向深亞微米發(fā)展，用銅線替代傳統(tǒng)的鋁連線有哪些優(yōu)勢(shì)？3，銅線與低 K介質(zhì)材料的復(fù)合研究有哪些進(jìn)展。 鈍化材料44Si3N4 最主要的應(yīng)用，是做為 SiO2層的蝕刻幕罩（ mask），且不易被氧和 H2O所滲透的優(yōu)點(diǎn)，這層幕罩還可以作為場氧化層（ FOX）制作時(shí)防止有源區(qū)（ Active Area）受氧化，這就是有名的 LOCOS(local oxidation of silicon)制程。二氧化硅原有的有序網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)由于硼磷雜質(zhì)（ B2O3， P2O5）的加入而變得疏松，在高溫條件下某種程度上具有像液體一樣的流動(dòng)能力（Reflow）。2. 微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求 167。因此，在 ULSI銅互連線技術(shù)中，必須采取有效措施來防止銅向硅中擴(kuò)散，即在介質(zhì)層和金屬銅之間引入一層擴(kuò)散阻擋層。2. 微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求 167。 信息功能材料 167。 金屬互連材料 /低介電常數(shù)材料39針對(duì)降低材料密度的方法，p 采用化學(xué)氣相沉積（ CVD）的方法在生長二氧化硅的過程中引入甲基（ CH3），從而形成松散的 SiOC:H薄膜，也稱 CDO（碳摻雜的氧化硅），其介電常數(shù)在 。p 在二氧化硅中引入了碳（ C）元素：即利用形成 SiC及 CC鍵所聯(lián)成的低極性網(wǎng)絡(luò)來降低材料的介電常數(shù)。信息功能材料 167。低熱漲系數(shù)（ coefficient of thermal expansion）252。良好的粘合強(qiáng)度（ adhesion strength）；252。高楊氏系數(shù)（ Young‘s modulus ）；252。但是 , 這種多孔物質(zhì)的低機(jī)械強(qiáng)度和低熱導(dǎo)率等特性給它與銅的集成造成很大困難。2. 微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求 167。與此同時(shí)，低介電常數(shù)材料替代傳統(tǒng)絕緣材料二氧化硅也就成為集成電路工藝發(fā)展的又一必然選擇。而金屬鋁（ Al）則是芯片中電路互聯(lián)導(dǎo)線的主要材料。34信息功能材料 167。2. 微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求 167。化學(xué)氣相淀積 (CVD)比物理氣相淀積 (PVD)制造的薄膜具有更良好的臺(tái)階覆蓋。銅刻蝕技術(shù)除面臨成品率低這個(gè)困難以外 , 還面臨低刻蝕選擇比等問題 , 因此尚屬研究階段。信息功能材料 167。鑲嵌工藝的技術(shù)難點(diǎn)是所需的 CMP工序難度比較大 , 而且對(duì)材料機(jī)械強(qiáng)度和粘附性的要求很高。信息功能材料 167。p 用兩路 precursor同時(shí)淀積 ,這兩路 precursor需要同時(shí)在相同的溫度下分別進(jìn)行控制 , 難度比較大 。例如 , 銅中摻入錫 濃度應(yīng)適中 , 一般低于 1原子 %。2. 微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求 167。目前 , 銅 CVD技術(shù)已成熟。缺點(diǎn)：易氧化；與介質(zhì)層的粘結(jié)性差； 銅易擴(kuò)散進(jìn)入硅與二氧化硅形成銅與硅的化合物 ,影響器件的可靠性；硅擴(kuò)散入銅將增加銅的電阻率。 金屬互連材料 /鋁互連27因此在深亞微米工藝中（ 及以下），銅將逐步代替鋁成為硅片上多層布線的材料。鋁互連已不能勝任。 金屬互連材料 /鋁互連第一代互連技術(shù)是以鋁互連技術(shù)為代表。信息功能材料 167。 鎢插塞在多重金屬化制程上的應(yīng)用及其結(jié)構(gòu) 信息功能材料 167。2. 微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求 167。 信息功能材料 167。 低電阻；216。 短線互連20信息功能材料 167。 局域互連材料 /互連類型互連的類別：216。u 集成電路與外界的聯(lián)系的 互連材料一般采用 金屬互連材料。這些導(dǎo)電薄層主宰了集成電路的運(yùn)行速度。2. 微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求 167。2. 微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求 167。2. 微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求 167。鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)更新，斷電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存。電滯回線 磁滯回線14當(dāng)一個(gè)電場被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著電場的方向在晶體里移動(dòng)。 13 由于鐵電材料具有自發(fā)極化，利用外電場作用下自發(fā)極化的轉(zhuǎn)向可以做成鐵電存儲(chǔ)器。鐵電體： 具有鐵電性的電介質(zhì)，如鈦酸鋇陶瓷、酒石酸鉀鈉單晶。q FRAM的第三大優(yōu)點(diǎn)是超低功耗。2. 微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求 167。2. 微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求 167。C=?.S/dSiO2介電率為 ； PZT介電率 1300。）8信息功能材料 167。2. 微電子芯片技術(shù)發(fā)展對(duì)材料的需求 167。在通電以后改變狀態(tài)，不通電就固定狀態(tài)。EPROM： 紫外線擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器。但由于所有這些存儲(chǔ)器均起源自只讀存儲(chǔ)器 (ROM)技術(shù) , 所以它們都有不易寫入的缺點(diǎn)。 金屬互連材料n 167。 襯底材料n 167。格林貝格爾 。 ●日本科學(xué)家小林誠、利川敏英 。博伊爾和喬治 在石墨烯材料方面進(jìn)行卓越研究 。 通過觀測遙遠(yuǎn)超新星發(fā)現(xiàn)宇宙的加速膨脹 。2023年 ●美國天體物理學(xué)
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