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2024-12-29 22:45 本頁面
【正文】 n型 Jx=qnυ x q 電子電量 υ x漂移平均速度 υ x=μ n? 擴(kuò)散電流密度正比于光生載流子的濃度梯度 JnD、 JpD為電子擴(kuò)散電流密度矢量和空穴擴(kuò)散電流密度矢量； Dn、 Dp是電子的擴(kuò)散系數(shù)和空穴的擴(kuò)散系數(shù)。? 光照后載流子濃度的增 量為 Dp(t)和 Dn(t)，若 光 照突然停止，光生載流 子濃度會因復(fù)合而逐漸 減小，最終達(dá)到平衡。④ 空穴 發(fā) 射。三種復(fù)合機(jī)制 23非平衡態(tài)下的載流子 18Si:Ga 受主 21Ge:B 受主 133Ge:Cu 受主 ? 施主釋放束縛的電子到導(dǎo)帶，受主釋放束縛空穴到價 帶，它們所需能量稱為電離能 DEd和 DEa。型摻雜 N型摻雜 P型本征和摻雜半導(dǎo)體費(fèi)米能級光吸收效應(yīng)之一： 本征吸收? 本征吸收 :? pNd為 n型半導(dǎo)體中摻入的施主原子濃度。kg本征半導(dǎo)體中的載流子濃度? 本征半導(dǎo)體載流子濃度為 ni=pi ? 本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級 式中 稱為價帶有效能級密度。? 導(dǎo)帶中總的電子濃度 將 n(E)和 fn(E)代入就有? 式中， 為導(dǎo)帶有效能級密度。說明比費(fèi)米能級高的能級被電子占據(jù)的概率小于 。 通常把電子占據(jù)率為 級定義為費(fèi)米能級。J/K。?? 能級密度 導(dǎo)帶和價帶內(nèi)單位體積、單位能量能級數(shù)目，電子能量 E 處的能級密度 ?載流子濃度就是指單位體積內(nèi)的載流子數(shù)。在一定溫度下，激發(fā)和復(fù)合兩種過程形成平衡。施主原子的多余電子易躍遷進(jìn)入導(dǎo)帶，使導(dǎo)帶中的自由電子濃度高于本征型受主原子易于從價帶中獲得電子，價帶中的自由空穴濃度高于本征型ECEVEF施主能帶受主能帶熱平衡態(tài)下的載流子 本征型 這樣就使硼變成負(fù)離子而在硅晶體中出現(xiàn)自由空穴 。型半導(dǎo)體能帶圖? 在四價原子鍺 (Ge)或硅 (Si)組成的晶體中摻入五價原子砷（ As）或磷（ P），在晶格中某個硅原子被砷原子所替代。 Band）：價帶以上能量最低的允許帶稱為導(dǎo)帶。Band）：允許被電子占據(jù)的能帶稱為允許帶，允許帶之間的范圍是不允許電子占據(jù)的，此
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