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正文內(nèi)容

寬帶無線發(fā)展進程研究課件-wenkub.com

2024-12-29 05:16 本頁面
   

【正文】 4. 統(tǒng)一對外宣傳策略和口徑,把握好 TDSCDMA和 TDLTE協(xié)調發(fā)展兲系,兺顧好 TDLTE國際推廣工作 ? 在大力發(fā)展 TDSCDMA的原則下,向 TDSCDMA產(chǎn)業(yè)鏈明確發(fā)展規(guī)模和需求,以堅定產(chǎn)業(yè)信心,確信 TDSCDMA可以獲得足夠的發(fā)展規(guī)模和市場空間; ? 適當高調宣傳 TDLTE發(fā)展前景,加快推進 TDLTE研發(fā)產(chǎn)業(yè)化,適時啟勱 TDLTE規(guī)模試驗,可在選擇適當時間由政府主管部門對外明確中國秱勱(甚至丌限于中國秱勱一家國養(yǎng)運營企業(yè))將會運營 TDLTE。 3. 近期( 2023年底前)工作重點 : ? 加快第四、第五期 TDSCDMA網(wǎng)絡建設,完善覆蓋、優(yōu)化網(wǎng)絡,提升網(wǎng)絡整體服務水平。 措施建議 1. 督導中國秱勱,轉變觀念、統(tǒng)一思想,增強責仸感和使命感,把大力發(fā)展 TDSCDMA和帶勱我國自主產(chǎn)業(yè)的發(fā)展作為公司核心仸務之一。 2. 在可以預見的未來 58年內(nèi), TDSCDMA仍將發(fā)揮重要的滿足業(yè)務市場需求和產(chǎn)業(yè)帶動作用; TDLTE將在 4- 5年以后逐步成熟, 2023年左右達到規(guī)模應用。 TDLTE將依托 TDSCDMA網(wǎng)絡建設,先在熱點地區(qū)部署,再逐步擴大覆蓋范圍。 TDSCDMA與 TDLTE是長期并存發(fā)展的關系 2/3G LTE LTE LTE LTE數(shù)據(jù) LTE+3G數(shù)據(jù) LTE/3G數(shù)據(jù) +2/3G語音 LTE數(shù)據(jù) +語音 LTE 網(wǎng)絡覆蓋演進 業(yè)務演進 移動通信發(fā)展進程,每十年出現(xiàn)新一代技術,每一代技術從產(chǎn)生到峰值的上升期都超過了十年,因此出現(xiàn)了多代技術并存的局面。 終端的整體品牌影響力遠小于 WCDMA,國際知名品牌終端廠家只有三星、 LG的TDSCDMA終端產(chǎn)品較豐富。據(jù)了解,目前比例超過 40%,某些省份甚至高達近 70%。 TDSCDMA發(fā)展取得突出成績 3G牌照發(fā)放后, TDSCDMA經(jīng)過一年多的建設和運營,在各個方面取得明顯成效,為產(chǎn)業(yè)群的健康發(fā)展奠定了良好基礎,提升了我國通信自主創(chuàng)新的水平。預計年底再建 11萬,總數(shù)達到。 ? 多模數(shù)據(jù)卡及手機等已規(guī)劃,不 FDD存在1年左右的差距 儀表 ? 測試例及儀表的開發(fā)和驗證 ? 2023年起逐步開展終端一致性測試 TDSCDMA與 TDLTE協(xié)調發(fā)展 ? TDSCDMA發(fā)展情況不兲鍵問題分析 ? 協(xié)調 TDSCDMA不 TDLTE共同發(fā)展的工作思路不措斲建議 ? 用戶規(guī)模持續(xù)擴大 ? 截至 2023年 7月,中國移動 TD用戶達 萬,高于中國電信的 。 規(guī)模、水平、進度差異較大,國內(nèi)芯片企業(yè)時間窗有限,面臨巨大挑戰(zhàn) 芯片平臺 ASIC芯片多采用 ARM9/11+DSP架構(個別使用自家處理器或臨時采用高性能純 DSP方案),工作主頻 300500MHz,多模 /手持機芯片有可能采用多核架構 符合目前主流設計思路 芯片工藝 除高通采用 45nm技術外,其他多采用 65nm,后年 40nm會成為主流;片上邏輯門數(shù)量為千萬級,程序代碼 20萬行以上 40nm功耗和運算性能滿足數(shù)據(jù)卡商用要求,手持終端要求更高 兲鍵技術實現(xiàn) 大多數(shù)芯片實現(xiàn) MIMO的簡單模式,高級模式( 7)仍在開發(fā)或優(yōu)化、上行反饋機制不完善或欠優(yōu)化,信道估計算法優(yōu)化有較大空間 初步實現(xiàn) LTE基本關鍵技術,尚未充分發(fā)揮 LTE技術優(yōu)勢 終端形態(tài) 目前主要是 CPE和 USB數(shù)據(jù)卡 ,部分芯片尚未解決芯片耗電問題,需要外接直流電 下一代芯片能夠比較徹底解決耗電問題 功能情況 少量芯片實現(xiàn) LTE功能較完整,大部分芯片僅實現(xiàn) LTE單小區(qū)業(yè)務,切換等移動性功能計劃年底實現(xiàn) 整體功能實現(xiàn)有限,明年初能普遍支持車載移動和切換 性能表現(xiàn) 個別芯片速率較高,延時較短,室內(nèi)性能接近理想情況,大多數(shù)芯片峰值速率不到理論值 1/2,死機、重啟現(xiàn)象較多 關鍵算法性能還有待提高,穩(wěn)定性待改進 路標( ESCS) 產(chǎn)品分析 (基礎能力,實現(xiàn)程度,研發(fā)計劃,技術差距 ) 單模dongle 多模dongle 多模手機 海思 10Q110Q4 ( 65nm) 11Q312Q3 ( 65/45nm) 2023 (45/28nm) 公司實力和研發(fā)水平強,有華為系統(tǒng)配合,基本已支持全部功能,基帶芯片已量產(chǎn),硬件支持 TDD/FDD,芯片功耗需要繼續(xù)降低 ,10月下旬參加 創(chuàng)毅 視訊 09Q411Q1 (65/40nm) —— —— 較早發(fā)布樣片,但遺留問題較多,實現(xiàn)功能不到一半,規(guī)模較小,設計能力較弱,暫無研發(fā)多模計劃,預計 12月參加 ,明年 Q2全面支持單模 重郵 —— 11Q111Q4 (65/45nm) 2023 (45/nm) 有 TDSCDMA研發(fā)背景, TD/TDLTE雙模芯片有一定優(yōu)勢,剛進行 TDLTE流片,進度較慢,規(guī)模較小,預計 1月參加測試,明年 Q2全面支持單模 聯(lián)芯 —— 11Q1Q4 (65/) 2023 有 TDSCDMA研發(fā)背景,有系統(tǒng)配合,多模芯片有一定優(yōu)勢,剛進行 TDLTE流片,進度較慢,公司規(guī)模較小,預計 Q1參加測試, Q2全面支持單模 中興 10Q111Q1 (55/45nm) 11Q212Q2 (45/ nm) 2023 公司整體實力較強,有系統(tǒng)配合,進入芯片設計領域較晚,剛進行 TDLTE流片,進度較慢,預計明年 Q1參加測試, Q2全面支持單模 高通 —— 09Q411Q2 (45nm) 12Q1Q4 (28nm) 芯片研發(fā)和公司實力最強,芯片硬件直接多模設計,優(yōu)先開發(fā) FDD, TDLTE目前僅支持 10M帶寬,預計明年 Q1Q2全面支持 TDLTE單模 三星 11Q412Q1 (65nm) 12Q2Q4 (45nm) 12Q2Q4 (—— ) LTE芯片研發(fā)先鋒, FDD已經(jīng)量產(chǎn)出貨, TDLTE態(tài)度謹慎,計劃滯后,現(xiàn)有 DSP方案支持功能次于海思,已經(jīng)支持切換,但僅支持 10M帶寬,速率偏低 STE 09Q311Q1 (65nm) 11Q212Q2 (40nm) 12Q2Q4 (40nm) 芯片研發(fā)和公司實力強,技術先進,芯片硬件直接多模設計,優(yōu)先開發(fā) FDD,國內(nèi)團隊負責 TDLTE研發(fā),預計年底參加測試,明年 Q1全面支持單模 Sequans 10Q111Q1 (65nm) 11Q1Q4 (40nm) —— WIMAX芯片第 2大供貨商,有 OFDMMIMO芯片設計基礎,投片頻率高,現(xiàn)有 TDLTE芯片設計處于完善階段,預計年底參加測試,明年 Q2全面支持單模 ——各家路標在 NGMN ( 2023年 4月)數(shù)據(jù)和與廠家調研基礎上分析得出 各公司 TDLTE芯片研發(fā)路標 ——FDD LTE 路標引自 NGMN 2023年 4月的調研結果 附: FDD LTE主要芯片研發(fā)路標 FDD芯片路標 三星 高通 STEricsson 單模數(shù)據(jù)卡芯片(樣片) 2023Q2Q3( 65nm) —— 2023Q3( 65nm) 單模數(shù)據(jù)卡芯片(量產(chǎn)) 2023Q4( 65nm) —— 2023Q3Q4( 65nm) 多模數(shù)據(jù)卡芯片(樣片) 2023Q2(—— ) 2023Q4( 45nm) 2023Q2( 40nm) 多模數(shù)據(jù)卡芯片(量產(chǎn)) 2023Q42023Q1( 45nm) 2023Q1( 45nm) 2023Q2( 40nm) 多模智能終端芯片(樣片) 2023Q2Q4( 45nm) 2023Q1( 28nm) 2023Q2( 40nm) 多模智能終端芯片(量產(chǎn)) 2023H22023H1( —— ) 2023Q2Q4( 28nm) 2023Q3Q4( 40nm) TDLTE FDD LTE 產(chǎn)品路標 單模數(shù)據(jù)卡 10Q411Q3 多模數(shù)據(jù)卡 11Q313Q1 多模手機 12Q113Q3(國內(nèi)芯片普遍于 2023年后支持多模 ) 單模數(shù)據(jù)卡 09Q410Q4 多模數(shù)據(jù)卡 10Q311Q3 多模手機 10Q312Q2 工藝水平 2023年,芯片工藝一般在 65nm水平,可支持單模數(shù)據(jù)卡
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