【正文】 C端口電流恒定，交流等效電阻大，直流等效電阻大 。 A增加， B減小， C不變。 A和， B差， C乘積， D平均值。 A直接耦合， B電源，C電路的對(duì)稱性和發(fā)射極公共電阻， D調(diào)整元件參數(shù)。 A共射極放大電路， B射極輸出器， C差分放大電路， D互補(bǔ)推挽電路。 A阻容耦合， B變壓器耦合， C直接耦合， D光電耦合，3. 集成運(yùn)放是一種高增益的、 C 的多級(jí)放大電路。，采用電流源作有源負(fù)載的目的是為了 提高 電壓放大倍數(shù)，在含有電流源的放大電路中，判斷電路是放大電路還是電流源電路的方法是：電流源是一個(gè) 單口 網(wǎng)絡(luò)，而放大電路是一個(gè) 雙口 網(wǎng)絡(luò)。2. 集成放大電路采用直接耦合方式的原因是集成工藝難于制造大容量電容 ，選用差分放大電路作為輸入級(jí)的原因是 利用其對(duì)稱性減小電路的溫漂 。已知VCC＝15，放大器的最大輸出電壓幅值為13V。 TDA1556 為2通道BTL電路。(5)根據(jù)（3）、（4）中的分析可知，三個(gè)電路中只有BTL電路在正弦波信號(hào)的正、負(fù)半周均有兩只功放管的消耗能量，損耗最大，故轉(zhuǎn)換效率最低。因此晶體管發(fā)射極電位VE為零的電路為OCL。（2）靜態(tài)時(shí)，晶體管發(fā)射極電位VE為零的電路為有哪些？為什么？（3）試分析在輸入正弦波信號(hào)的正半周，圖（a）、（b）和（c）中導(dǎo)通的晶體管分別是哪個(gè)？（4）負(fù)載電阻RL獲得的最大輸出功率的電路為何種電路？（5）何種電路的效率最低。（2）， ， ， (3) 當(dāng)輸出電壓幅值達(dá)到電源電壓時(shí)，輸出功率和效率達(dá)到最大。假設(shè)晶體管T4和T5的飽和壓降可以忽略，試問(wèn)： (1) 該電路是否存在反饋？若存在反饋，請(qǐng)判斷反饋類(lèi)型； (2) 假設(shè)電路滿足深度負(fù)反饋的條件，當(dāng)輸入電壓的有效值Vi＝ 時(shí)，輸出電壓有效值Vo等于多少？此時(shí)電路的Po，PE及η各等于多少 ？ (3) 電路最大輸出功率 Pom 、最大效率ηm各等于多少？ 解：（1）本電路是帶甲乙類(lèi)互補(bǔ)推挽功放的多級(jí)放大電路，中間級(jí)(T3管）是共射極放大電路，輸入級(jí)是單端輸出差分放大電路。(2) 為了對(duì)輸出級(jí)進(jìn)行過(guò)載保護(hù)，電路通過(guò)TT6和RR4實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)。 (2) 為了對(duì)輸出級(jí)進(jìn)行過(guò)載保護(hù)，圖中接有試說(shuō)明三極管T5 、T6和RR4，試說(shuō)明進(jìn)行過(guò)流保護(hù)的原理。 （3）調(diào)節(jié)可變電阻會(huì)改變T5管C、E極間電壓，從而調(diào)節(jié)功率管，T的偏壓值。 (1) 試分別標(biāo)出三極管T1～T4的管腳（b、c、e）及其類(lèi)型(NPN 、 PNP)； (2) 試說(shuō)明三極管T5的作用。 (1) 試分析R2引入的反饋類(lèi)型； (2) 試求AVf ＝Vo/Vi的值； (3) 試求Vi =sinwt V時(shí)的輸出功率Po，電源供給功率PE及能量轉(zhuǎn)換效率η的值。已知電源電壓Vcc=15V，RL＝8Ω， VCES≈0，輸入信號(hào)是正弦波。C/W設(shè)三極管與散熱器間不加絕緣片時(shí)的熱阻Rcs = 186。C，管子的內(nèi)熱阻Rjc = 186。Rsa與散熱器的材料（鋁、銅等）及散熱面積有關(guān)。功率器件所用的散熱片估算。因此，熱阻大的三極管不允許耗散太大的功率。 8 什么是熱阻？如何估算和選擇功率器件所用的散熱裝置？ 答：散熱條件的優(yōu)劣常用“熱阻”表示，熱阻定義如下：式中T1是熱源的溫度，T2是環(huán)境溫度，P是熱源消耗的功率。功率MOSFET的特點(diǎn)有：（1）MOSFET是電壓控制型器件，因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí)，電路相對(duì)較簡(jiǎn)單；（2）輸入阻抗很高，達(dá)108Ω以上；（3）工作頻率范圍寬，開(kāi)關(guān)速度高（因?yàn)槎鄶?shù)載流子導(dǎo)電，沒(méi)有開(kāi)關(guān)存儲(chǔ)效應(yīng)，開(kāi)關(guān)時(shí)間為幾十到幾百納秒），開(kāi)關(guān)本身?yè)p耗??；（4）有相對(duì)優(yōu)良的線性區(qū)，并且輸入電容比雙極型器件小得多，所以交流輸入阻抗很高；IGBT是MOSFET和BJT技術(shù)的混合物。當(dāng)功放電路的時(shí)，管耗最大。為消除交越失真，可使用二極管或三極管偏置電路，使功率放大電路工作在近乙類(lèi)的甲乙類(lèi)方式下。；電路中只要有信號(hào)輸入，三極管就開(kāi)始工作。乙類(lèi)功放減少了靜態(tài)功耗，所以效率與甲類(lèi)功放相比較高（%），但出現(xiàn)了嚴(yán)重的波形失真。放大電路的工作點(diǎn)始終處于線性區(qū)。 晶體管按工作狀態(tài)可以分為哪幾類(lèi)？各有什么特點(diǎn)？答：根據(jù)放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)在交流負(fù)載線上所處位置的不同，可將放大管的工作狀態(tài)分為甲類(lèi)、乙類(lèi)、甲乙類(lèi)和丙類(lèi)四種。 12. 單電源互補(bǔ)推挽功率放大電路中，電路的最大輸出電壓為 。在乙類(lèi)互補(bǔ)推挽功率放大電路中，每只管子的最大管耗為 。 甲類(lèi)功率放大電路的輸出功率越大，則功放管的管耗 越小 ，則電源提供的功率 越大 。負(fù)載上可能獲得的最大輸出功率Pom 16W 和電路的轉(zhuǎn)換效率η＝ % 。5. 在選擇功放電路中的晶體管時(shí)，應(yīng)當(dāng)特別注意的參數(shù)有 （1） 最大允許功耗 ；（2） 集電極—發(fā)射極間的反向擊穿電壓； （3）最大集電極電流 。習(xí)題5 客觀檢測(cè)題一、填空題1. 功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時(shí)，輸出基本不失真情況下，負(fù)載上可能獲得的最大 交流功率 。根據(jù)解方程組有 題圖 ，是由場(chǎng)效管和晶體三極管組成的混合放大電路，己知場(chǎng)效應(yīng)管的，晶體三極管的，所有電容容抗可以不計(jì)，試問(wèn)：（1）分別計(jì)算各極的靜態(tài)工作點(diǎn)；（2）畫(huà)出電路微變等效電路；（3）計(jì)算總的電壓增益、輸入電阻和輸出電阻。解：（1）。電壓放大倍數(shù)：，放大器輸入電阻和輸出電阻：。解：（1）求靜態(tài)工作點(diǎn)Q，根據(jù)求解聯(lián)立方程可得 或 顯然第二組解不合題意應(yīng)舍去，則： （2），則電壓放大倍數(shù)。 ， 。 解：（1）在轉(zhuǎn)移特性中作直線vGS＝－iDRS，與轉(zhuǎn)移特性的交點(diǎn)即為Q點(diǎn)；讀出坐標(biāo)值，得出IDQ＝1mA，VGSQ＝－2V。的作用是旁路電容，在直流通路中存在，用來(lái)自動(dòng)產(chǎn)生柵源反向偏壓，產(chǎn)生合適的靜態(tài)工作點(diǎn)；在交流通路中被C3旁路而不存在，有利于提高電壓放大倍數(shù)。設(shè)電阻，電容、足夠大。從表達(dá)式可以看出自偏壓產(chǎn)生的條件是必須先有ID，但增強(qiáng)型MOS管的開(kāi)啟電壓大于0，只有柵極－源極之間的電壓達(dá)到某個(gè)開(kāi)啟電壓VT時(shí)才有漏極電流ID，因此這類(lèi)管子不能用自給偏置的方法來(lái)設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)。 ，若，要求靜態(tài)工作點(diǎn)為，試求。 圖（b）所示的電路能放大交流信號(hào)；結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的靜態(tài)工作點(diǎn)可以通過(guò)RS上流過(guò)的電流產(chǎn)生自生偏壓建立。 ，簡(jiǎn)述理由。 ，畫(huà)出恒流區(qū)vDS=8V的轉(zhuǎn)移特性曲線。解：命題給定的管子是增強(qiáng)型管，實(shí)際上也可以是耗盡型MOS管（具有兩種可能）和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)N溝道管，則三個(gè)極①、②、③與G、S、。 填空題13圖主觀檢測(cè)題 已知某結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的IDSS＝2mA，Vp＝－4V，試畫(huà)出它的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線，并近似畫(huà)出預(yù)夾斷軌跡。10. 由于晶體三極管 是電子、空穴兩種載流子同時(shí)參與導(dǎo)電 ，所以將它稱為雙極型的，由于場(chǎng)效應(yīng)管 只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電 ，所以將其稱為單極型的。N溝道增強(qiáng)型MOS管的開(kāi)啟電壓為 正 值。JFET管中的漏極電流 不能 穿過(guò)PN結(jié)（能，不能）。2. 為了使結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管正常工作，柵源間兩PN結(jié)必須加 反向 電壓來(lái)改變導(dǎo)電溝道的寬度，它的輸入電阻比MOS管的輸入電阻 小 。 ，已知晶體管的＝100Ω，rbe＝1kΩ，靜態(tài)電流IEQ＝2mA，＝800pF；Rs＝2kΩ，Rb＝500 kΩ，RC＝ kΩ，C=10μF。：在中頻段，中頻段放大器總增益為即： 。解：（1） （1）變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式，求出、fL、fH。 ，試問(wèn)：（1）該電路的耦合方式；（2）該電路由幾級(jí)放大電路組成；（3）當(dāng)f ＝104Hz時(shí)，附加相移為多少？當(dāng)f ＝105時(shí)，附加相移又約為多少？ 解：（1）因?yàn)橄孪藿刂诡l率為0，所以電路為直接耦合電路；（2）因?yàn)樵诟哳l段幅頻特性為 －60dB/十倍頻，所以電路為三級(jí)放大電路；（3）當(dāng)f ＝104Hz時(shí)，φ39。解： ，試寫(xiě)出的表達(dá)式。已知Vcc=12V，Rb=300KΩ，Rc1=3KΩ，Re1=，Rc2=，Re2=,晶體管的電流放大系數(shù)β1＝β2＝60，電路中的電容容量足夠大。可見(jiàn)靜態(tài)工作點(diǎn)恰好在直流負(fù)載線的中間，交流負(fù)載線的斜率為交流負(fù)載線的方程為：，在橫軸上的交點(diǎn)為15V，故最大不失真的輸出電壓幅度為：1512=3V共集電極電路其電壓幅度為3V，所以跟隨范圍是0~3V。在第（2）小題證明題中，我們要到之間的關(guān)系式，即。（1） （2）因射極串聯(lián)恒流源，所以可認(rèn)為射極交流開(kāi)路，因此 （3）時(shí)，則所以 （4）。（1）求靜態(tài)時(shí)的；（2）求射極輸出器的輸出電阻；（3）若，求輸入電阻和源電壓放大倍數(shù)；（4）若，求輸入電阻和源電壓放大倍數(shù)；（提示：恒流源的特點(diǎn)：交流電阻極大，而直流電阻較小。若不適合，試分析可能出現(xiàn)了什么問(wèn)題（例如某元件開(kāi)路或短路）。 ，晶體管的，各電容容抗可以略去不計(jì)。（3）當(dāng)（4）。通過(guò)Q點(diǎn)計(jì)算，我們?nèi)绾闻袆e易產(chǎn)生何種失真呢？這里主要看大小。（電路中各電容的容抗可不計(jì)）。（1）估算靜態(tài)工作點(diǎn)Q；（2）求最大輸出電壓幅值； （3）計(jì)算放大器的、Ri、Ro和Avs；（4）若電路其他參數(shù)不變，問(wèn)上偏流電阻為多大時(shí)，(a)(b)解：（１）（2）由圖解法求靜態(tài)Q點(diǎn)，并作交流負(fù)載線，輸出電壓幅度負(fù)向最大值為Vom2，輸出電壓幅度正向最大值為Vom1，去兩者小者為最大不失真輸出電壓幅度為Vom=Vom1=148=6V；（3）（4）(a)(b) （a）電路中的集電極電壓波形時(shí)，（b）所示的三種情況，試說(shuō)明各是哪一種失真？應(yīng)該調(diào)整哪些參數(shù)以及如何調(diào)整才能使這些失真分別得到改善？解：（b）所示的第一種情況屬于截止失真，應(yīng)增大Rb1解決；第二種情況屬于飽和失真，應(yīng)減小Rb1解決；第三種情況屬于飽和截止失真同時(shí)出現(xiàn)，應(yīng)該減小輸入信號(hào)的幅度解決。（2）交直流負(fù)載線，(b)中的加粗線所示。（a）所示，（b）所示（不包含加粗線和細(xì)的輸出電壓波形線），已知（各電容容抗可忽略不計(jì)）。（3）若輸入電流，在保證放大信號(hào)不失真的前提下，為盡可能減小直流損耗，應(yīng)如何調(diào)整電路參數(shù)？調(diào)整后的元件數(shù)值可取為多大？解：（1）=12V 。圖（f）不能放大，直流通路不滿足發(fā)射結(jié)正偏；交流通路信號(hào)能順暢的輸入輸出。解：題圖所示的各個(gè)電路中，圖（a）能放大，直流通路滿足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；交流通路信號(hào)能順暢的輸入輸出。解：，當(dāng)開(kāi)關(guān)置于A位置時(shí)，Ib=（）/10= mA Icbo=12/（150）= mA 故工作在放大區(qū)，Ic=Ib50=9 mA。 (c)所示的晶體管為鍺 PNP管，三個(gè)引腳分別為①b極、 ②e極， ③c極。主觀檢測(cè)題 把一個(gè)晶體管接到電路中進(jìn)行測(cè)量，當(dāng)測(cè)量，則，當(dāng)測(cè)得，問(wèn)這個(gè)晶體管的值是多少？各是多少？解：根據(jù)電流關(guān)系式： （1） （2）將（1）、（2）兩式聯(lián)立，解其聯(lián)立方程得：進(jìn)而可得：，試求Q點(diǎn)處。但我們還必須進(jìn)一步考慮，盡管不產(chǎn)生交流負(fù)反饋，但它對(duì)放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)的影響是很大的，既然影響到，就影響到進(jìn)而影響和。12. 放大電路如題 ，對(duì)于射極電阻的變化是否會(huì)影響電壓放大倍數(shù)和輸入電阻的問(wèn)題，有三種不同看法，指出哪一種是正確的？甲：當(dāng)增大時(shí)，負(fù)反饋增強(qiáng)，因此、。 A Rb開(kāi)路 B Rc 短路 C Rb 過(guò)小 D b過(guò)大 10. 。②V（BR）CES＞V（BR）CER ＞V（BR）CEO。③輸入和輸出均具有近似的恒壓特性。6. 只用萬(wàn)用表判別晶體管3個(gè)電極，最先判別出的應(yīng)是 ②b極 。①為60。3管：答：NPN管，工作在截止?fàn)顟B(tài)。二、判斷題1. 下列三極管均處于放大狀態(tài)，試識(shí)別其管腳、判斷其類(lèi)型及材料，并簡(jiǎn)要說(shuō)明理由。/十倍頻 ，附加相移低頻區(qū)的斜率為 +45186。49. 單級(jí)阻容耦合放大電路加入頻率為的輸入信號(hào)時(shí)，電壓增益的幅值比中頻時(shí)下降了 3 dB，高、低頻輸出電壓與中頻時(shí)相比有附加相移，分別為 45186。46.43. 放大器的頻率特性表明放大器對(duì) 不同頻率信號(hào) 適應(yīng)程度。（在相應(yīng)的空格內(nèi)填“增大”、“減小”或“基本不變”。（4）增加時(shí)，將 不變 。41. ，某一參數(shù)變化時(shí)，的變化情況（a. 增加，b，減小，c. 不變，將答案填入相應(yīng)的空格內(nèi)）。37. 電壓跟隨器指共 集電 極電路，其 電壓 的放大倍數(shù)為1； 電流跟隨器指共 基 極電路，指 電流 的放大倍數(shù)為1。35. 不論何種組態(tài)的放大電路，作放大用的三極管都工作于其輸出特性曲線的放大區(qū)。31. NPN三極管輸出電壓的底部失真都是 飽和 失真。28.24.