微帶不連續(xù)性電路-wenkub.com
2025-08-01 16:14 本頁面
【正文】 希望將來能得到更多的實驗數(shù)據(jù)。在一臺IMB S360∕75上，εr=。繪制出來和寬度電抗形成對比。 圖（9）在電腦程序里對于根線和主線的計算細節(jié)有些地方是不同的。原則上，l2和C+可以從這兩個測量中得到。預示了根線的電氣長度比實際的物理長度要短。根據(jù)殘缺電動勢變換的跡象，一般來講，包含的電容可能會含有更大的誤差。這個論述很好地體現(xiàn)在他們關于這一結果的注解里，這種模型里對于頻率的依賴要小于基質是氧化鋁的情況。這一點，第一眼看上去在這里所包含的電容CT的情況下是解釋不了的。因為他們使用的模型和介質平板都是不同的，所以就不對他們得到的實驗數(shù)據(jù)進行比較了。然后Troughton又測量了（l2+L）=λ∕4處的頻率，Stinehelfer在2πl(wèi)2+L∕λ=ωCTZ處的同樣的變量值。Troughton的測量方法是在3個四分之一波長的短路根線上，預期得到的實驗數(shù)據(jù)將比實際的長度要長。和預期結果一樣，計算值比實驗得到的數(shù)據(jù)要低。誤差限也同樣被指出來了。但是這兩種的測量方法都是在氧化鋁基片50Ω到棱90176。 （20）在前幾個例子中，有限區(qū)間內的疊加分布就足夠了，因為在遠離間斷點處殘余電動勢和電荷密度分布都將變?yōu)榱?。伴隨的電動勢分布函數(shù)為?∞2Px+12?ω1∕22Px?ω1∕22Px。為了得到這樣一個分布，首先需要一個無限的寬和高的比是ω2∕h類微電荷分布。他采用了傳輸損耗測量，在T字型接點的情況下,取兩個挨著放置的四分之一波長的短路根線，這樣就能決定根線的導電長度，這樣兩個十字接口間的實際距離就是應該注意的了。這里格林公式里的GTP；P‘和式子12里的GbendP；P’是相同的。兩個得到的分布疊加以后，靠近終端平面的T1，T2和T3的T型結構的臂上會出現(xiàn)類微帶的電荷分布。類似地，同樣可以得到，在點y==。殘余電動勢會引起T字型結點處電荷的剩余或不足，是由于T字型結構各個臂上的三個類微帶電荷分布接近終端平面的原因。雖然式子（13）不能說明分布沿45°角對稱，但是這個區(qū)域的離散分布的確是這樣的，所以在運算過程中要利用這個對稱所帶來的便利條件。圖中沒有顯示的是遠離間斷點的變化，在這些地方，會出現(xiàn)一些小數(shù)量的殘余負電位最后降至零。所需的補充電動勢為：?xbendP=?∞12?∞Px++?∞Pv+ （10）多余的電荷符合積分方程：?∞bendP=σxbendP’GbendP；P‘dP’。對應于x=。這樣，在不同的頻率下，電壓的最大值或者最小值出現(xiàn)在拐角處，在這種模型下，這兩個未知的變量能夠被估測出來。每一邊都連接了一系列長度的傳輸線，從而計數(shù)拐角處電流路徑長度的變化。所有的奇異點都在權函數(shù)logyy’yy‘+1∕1y’2合并了。下面就來討論這個問題。若一條單元線在x=ξ處突然被加上反向電動勢，此時用y‘替換。所以：?∞（1）（Px）=σ∞（1）（Px‘）G∞（Px；P∞’）dP∞‘。用?x（Px）表示電動勢，在微帶傳輸線的平面內的一點Px是由無限的類微帶的剩余電荷分布決定的σ∞（Px‘）。這種方法直接決定了多余的
公司管理相關推薦
鄂ICP備17016276號-1