【正文】 (15) 動(dòng)檢時(shí)Q1 G極試探電壓過(guò)低檢查C3CQ7。 (11) D24正極電壓過(guò)高或過(guò)低過(guò)高檢查D24及接入的30K電阻, 過(guò)低查R5C16。 (7) VAC電壓過(guò)高或過(guò)低過(guò)高檢查R55,過(guò)低查C3R79。+5V偏低時(shí),應(yīng)為IC1或+5V負(fù)載過(guò)流,而負(fù)載過(guò)流IC1會(huì)很熱。+22V偏高時(shí),應(yīng)檢查QZD1。接上線盤(pán)試機(jī)前,主板檢測(cè)表對(duì)主板各點(diǎn)作測(cè)試后,一切符合才進(jìn)行。 報(bào)警電路 電磁爐發(fā)出報(bào)知響聲時(shí),CPU14腳輸出幅度為5V、,令ZD發(fā)出報(bào)知響聲。 AC220V 50/60Hz電壓接入變壓器初級(jí)線圈,。見(jiàn)上圖見(jiàn)上圖 (3) 當(dāng)熱敏電阻TH開(kāi)路或短路時(shí), 發(fā)出不啟動(dòng)指令,并報(bào)知相關(guān)的信息(詳見(jiàn)故障代碼表)。 (4) 當(dāng)熱敏電阻開(kāi)路或短路時(shí), 發(fā)出不啟動(dòng)指令,并報(bào)知相關(guān)的信息(祥見(jiàn)故障代碼表)。 見(jiàn)圖dcl1213 ”。 (2) 配合電流檢測(cè)電路、VCE電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令(祥見(jiàn)加熱開(kāi)關(guān)控制及試探過(guò)程一節(jié))。加熱開(kāi)關(guān)控制 　(1)當(dāng)不加熱時(shí),CPU 19腳輸出低電平(同時(shí)13腳也停止PWM輸出), D18導(dǎo)通,將V8拉低,另V9V8,使IGBT激勵(lì)電路停止輸出,IGBT截止,則加熱停止。 PWM脈寬調(diào)控電路 amp。 “G點(diǎn)輸入的電壓越高, V7處于ON的時(shí)間越長(zhǎng), 電磁爐的加熱功率越大,反之越小”。二是LC自由振蕩的半周期時(shí)間是出現(xiàn)峰值電壓的時(shí)間,亦是Q1的截止時(shí)間,也是開(kāi)關(guān)脈沖沒(méi)有到達(dá)的時(shí)間,這個(gè)時(shí)間關(guān)系是不能錯(cuò)位的,如峰值脈沖還沒(méi)有消失,而開(kāi)關(guān)脈沖己提前到來(lái),就會(huì)出現(xiàn)很大的導(dǎo)通電流使Q1燒壞,因此必須使開(kāi)關(guān)脈沖的前沿與峰值脈沖后沿相同步。 主回路原理分析 　　時(shí)間t1~t2時(shí)當(dāng)開(kāi)關(guān)脈沖加至Q1的G極時(shí),Q1飽和導(dǎo)通,電流i1從電源流過(guò)L1,~t2時(shí)間i1隨線性上升,在t2時(shí)脈沖結(jié)束,Q1截止,同樣由于感抗作用,i1不能立即變0,于是向C3充電,產(chǎn)生充電電流i2,在t3時(shí)間,C3電荷充滿(mǎn),電流變0,這時(shí)L1的磁場(chǎng)能量全部轉(zhuǎn)為C3的電場(chǎng)能量,在電容兩端出現(xiàn)左負(fù)右正,幅度達(dá)到峰值電壓,在Q1的CE極間出現(xiàn)的電壓實(shí)際為逆程脈沖峰壓+電源電壓,在t3~t4時(shí)間,C3通過(guò)L1放電完畢,i3達(dá)到最大值,電容兩端電壓消失,這時(shí)電容中的電能又全部轉(zhuǎn)為L(zhǎng)1中的磁能,因感抗作用,i3不能立即變0,于是L1兩端電動(dòng)勢(shì)反向,即L1兩端電位左正右負(fù),由于阻尼管D11的存在,C3不能繼續(xù)反向充電,而是經(jīng)過(guò)CD11回流,形成電流i4,在t4時(shí)間,第二個(gè)脈沖開(kāi)始到來(lái),但這時(shí)Q1的UE為正,UC為負(fù),處于反偏狀態(tài),所以Q1不能導(dǎo)通,待i4減小到0,L1中的磁能放完,即到t5時(shí)Q1才開(kāi)始第二次導(dǎo)通,產(chǎn)生i5以后又重復(fù)i1~i4過(guò)程,因此在L1上就產(chǎn)生了和開(kāi)關(guān)脈沖f(20KHz~30KHz)相同的交流電流。 　(6) GT60M303 東芝公司出品,耐壓900V,電流容量25℃時(shí)120A,100℃時(shí)60A, 內(nèi)部帶阻尼二極管。 　(2) SKW25N120西門(mén)子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時(shí)46A,100℃時(shí)25A,內(nèi)部帶阻尼二極管,該IGBT可代用SGW25N120,代用時(shí)將原配套SGW25N120的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 , 安全工作區(qū)大, 在瞬態(tài)功率較高時(shí)不會(huì)受損壞。IGBT的特點(diǎn): , 是MOSFET的數(shù)十倍。 當(dāng)電壓比較器輸入端電壓反向時(shí)(輸入端電壓高于+輸入端電壓), 置于LM339內(nèi)部控制輸出端的三極管導(dǎo)通, 將比較器外部接入輸出端的電壓拉低,此時(shí)輸出端為0V。電路的各項(xiàng)測(cè)控主要由一塊8位4K內(nèi)存的單片機(jī)組成,外圍線路簡(jiǎn)單且零件極少,并設(shè)有故障報(bào)警功能,故電路可靠性高,維修容易,維修時(shí)根據(jù)故障報(bào)警指示,對(duì)應(yīng)檢修相關(guān)單元電路,大部分均可輕易解決。全系列機(jī)種均適用于50、60Hz的電壓頻率。一般的電磁爐,介面有LED發(fā)光二極管顯示模式、LED數(shù)碼顯示模式、LCD液晶顯示模式、VFD瑩光顯示模式機(jī)種。E 電磁爐的收藏　在長(zhǎng)時(shí)間不需使用電磁爐時(shí)，首先要擦洗干凈、晾干機(jī)體后收藏起來(lái)，不要放在潮濕環(huán)境中保存，要放于干燥處且包裝內(nèi)盡量放一些干燥劑和蟑螂藥，避免擠壓，以備再用?！?，且勿直接用水沖洗或浸入水中刷洗。B 電磁爐的散熱　電磁爐工作時(shí)機(jī)體內(nèi)部存有一定的溫度，為使電磁爐發(fā)揮更好的作用，并正常工作，延長(zhǎng)其使用壽命，這部分熱量要及時(shí)的排放出去，所以盡量使電磁爐放置的位置有利于空氣流通及散熱。電磁爐的保養(yǎng)A 電源要求（1）使用電磁爐必須使用各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)符合標(biāo)準(zhǔn)帶地線的三孔插座（最好選用有CCC標(biāo)志的產(chǎn)品），絕對(duì)不可自行換用沒(méi)有地線的兩孔插座，因?yàn)閮煽撞遄孱^插上后易松動(dòng)、不牢固且不符和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，這樣易產(chǎn)生瞬時(shí)打火，電流增大，較危險(xiǎn)。三、使用之后注意：　炒菜鍋在使用后不要置于爐面上，避免下次使用時(shí)難以啟動(dòng)?！∏形鹪谒闹芸臻g不足的地方使用電磁爐、應(yīng)使電磁爐的前部與左右兩側(cè)保持干凈?！∏形鹪趦和捎|及電磁爐、或兒童能自行使用的地方使用電磁爐?！∏形鹪诳赡苁艹被蚩拷鹧娴牡胤绞褂秒姶艩t?！≡诓孱^電線損壞電線或電源插頭未牢固地插入插座時(shí)，切勿使用電磁爐。容器底部直徑不超過(guò)12CM者。底部直徑12CM以下，根據(jù)不同的功能使用，如煎炒烤炸類(lèi)要離空1CM為最佳蒸煮純不銹鐵鍋材料由于其導(dǎo)磁性能非常低，所以在電磁爐上并不能正常工作。當(dāng)然在實(shí)際電路中，我們必須要很快的檢測(cè)到此功率的變化，并將輸出到發(fā)熱線圈盤(pán)的交變電流關(guān)斷。電磁爐的工作原理及維修方法電磁爐的加熱原理:電磁爐是采用磁場(chǎng)感應(yīng)渦流原理，它利用高頻的電流通過(guò)環(huán)形線圈，從而產(chǎn)生無(wú)數(shù)封閉磁場(chǎng)力，當(dāng)磁場(chǎng)那磁力線通過(guò)導(dǎo)磁(如:鐵質(zhì)鍋)的底部，既會(huì)產(chǎn)生無(wú)數(shù)小渦流(一種交變電流，家用電磁爐使用的是15－30KHZ的高頻電流)，使鍋體本生自行高速發(fā)熱，然后再加熱鍋內(nèi)食物。IGBT上產(chǎn)生的高壓同時(shí)亦另Q9擊穿,由于IGBT擊穿電流大增,在保險(xiǎn)管未溶斷前整流橋DB也因過(guò)流而損壞。通常大電流的零件損壞會(huì)另保險(xiǎn)管作保護(hù)性溶斷，而大電流零件損壞除了零件老化原因外,大部分是因?yàn)榭刂齐娐凡涣妓?特別是IGBT,主板檢測(cè)表對(duì)電路作常規(guī)檢查外,還需對(duì)其它可能損壞該零件的保護(hù)電路作徹底檢查,IGBT損壞主要有過(guò)流擊穿和過(guò)壓擊穿,而同步電路、振蕩電路、IGBT激勵(lì)電路、浪涌電壓監(jiān)測(cè)電路、VCE檢測(cè)電路、主回路不良和單片機(jī)(CPU)死機(jī)等都可能是造成燒機(jī)的原因, 以下是有關(guān)這種故障的案例： (1)換入新的保險(xiǎn)管后首先對(duì)主回路作檢查,發(fā)現(xiàn)整流橋DB、IGBT擊穿，主板檢測(cè)表測(cè)試發(fā)現(xiàn)+22V偏低, 主板測(cè)試不合格對(duì)策第(3)項(xiàng)方法檢查,結(jié)果為Q9擊穿另+22V偏低, 換入新零件后再按主板檢測(cè)表測(cè)試至第9步驟時(shí)發(fā)現(xiàn)V4為0V, 主板測(cè)試不合格對(duì)策第(9) 項(xiàng)方法檢查,結(jié)果原因?yàn)镽74開(kāi)路,換入新零件后測(cè)試一切正常。 分析:在低電壓使用時(shí),由于電流較高電壓使用時(shí)大,而且工作頻率也較低,如果供電線路容量不足,會(huì)產(chǎn)生浪涌電壓,假如輸入電源電路濾波不良,則吸收不了所產(chǎn)生的浪涌電壓,會(huì)另浪涌電壓監(jiān)測(cè)電路動(dòng)作,產(chǎn)生上述故障。 故障現(xiàn)象10 : 電磁爐工作一段時(shí)間后停止加熱, 間隔5秒發(fā)出四長(zhǎng)三短報(bào)警聲, 響兩次轉(zhuǎn)入待機(jī)(數(shù)顯型機(jī)種顯示E0)。 分析:此現(xiàn)象為CPU檢測(cè)到電源波形異常信息,故障在過(guò)零檢測(cè)電路。 分析:此現(xiàn)象為CPU檢測(cè)到電壓過(guò)高信息,如果此時(shí)輸入電壓正常,則為VAC檢測(cè)電路故障。 分析:此現(xiàn)象為CPU檢測(cè)到電壓過(guò)低信息,如果此時(shí)輸入電壓正常,則為VAC檢測(cè)電路故障。原因?yàn)殡娏鞣答佇盘?hào)電壓不足(處于可啟動(dòng)的臨界狀態(tài))。結(jié)論 : 由于R78開(kāi)路, 另IC2A比較器因輸入兩端電壓反向(V4V3),輸出OFF,加至振蕩電路的試探電壓因IC2A比較器輸出OFF而為0,振蕩電路也就沒(méi)有輸出, CPU也就檢測(cè)不到反饋電壓而不發(fā)出正常加熱指令。結(jié)論 : 由于互感器CT次級(jí)開(kāi)路,所以沒(méi)有反饋電壓加至電流檢測(cè)電路, CPU因檢測(cè)到的反饋電壓不足而不發(fā)出正常加熱指令。結(jié)論:由于C33漏電另通過(guò)R6向C33充電的PWM脈寬電壓被拉低,導(dǎo)至沒(méi)有試探電壓加至振蕩電路, 結(jié)果Q1 G極無(wú)試探信號(hào)電壓,CPU也就檢測(cè)不到反饋電壓而不發(fā)出正常加熱指令。結(jié)論 : 由于CPU第11腳擊穿, 造成振蕩電路輸出的試探信號(hào)電壓通過(guò)D17被拉低, 結(jié)果Q1 G極無(wú)試探信號(hào)電壓,CPU也就檢測(cè)不到反饋電壓而不發(fā)出正常加熱指令。結(jié)論 : 由于Q4擊穿,造成+22V電壓升高,另IC2D正輸入端V9電壓升高,導(dǎo)至加到IC2D負(fù)輸入端的試探電壓無(wú)法另IC2D比較器翻轉(zhuǎn),結(jié)果Q1 G極無(wú)試探信號(hào)電壓,CPU也就檢測(cè)不到反饋電壓而不發(fā)出正常加熱指令。從上述過(guò)程來(lái)看,要產(chǎn)生足夠的反饋信號(hào)電壓另CPU判定己放入適合的鍋具而進(jìn)入正常加熱狀態(tài),關(guān)鍵條件有三個(gè):一是加入Q1 G極的試探信號(hào)必須足夠,通過(guò)測(cè)試Q1 G極的試探電壓可判斷試探信號(hào)是否足夠(正常為間隔出現(xiàn)1~),而影響該信號(hào)電壓的電路有PWM脈寬調(diào)控電路、振蕩電路、IGBT推動(dòng)電路。 (14) 動(dòng)檢時(shí)Q1 G極試探電壓過(guò)高檢查R5R5CD29。 (10) Q6基極電壓過(guò)高或過(guò)低過(guò)高檢查R5D25, 過(guò)低查R7R7C6。如果測(cè)IC2C比較器輸入電壓為反向,再測(cè)V14應(yīng)為3V(低于3V查R60、C19),再測(cè)D28正極電壓高于負(fù)極時(shí),應(yīng)檢查D2C4,如果D28正極電壓低于負(fù)極,應(yīng)檢查RIC2C。+5V偏高時(shí),應(yīng)為IC1不良。 (3) +22V故障沒(méi)有+22V時(shí),應(yīng)先測(cè)變壓器次級(jí)有否電壓輸出,如沒(méi)有,測(cè)初級(jí)有否AC220V輸入,如有則為變壓器故障, 如果變壓器次級(jí)有電壓輸出,再測(cè)C34有否電壓,如沒(méi)有,則檢查C34是否短路、D7~D10是否不良、Q4和ZD1這兩零件是否都擊穿, 如果C34有電壓,而Q4很熱,則為+22V負(fù)載短路,應(yīng)查C3IC2及IGBT推動(dòng)電路,如果Q4不是很熱,則應(yīng)為Q4或R7開(kāi)路、ZD1或C35短路。 主板檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn) 由于電磁爐工作時(shí),主回路工作在高壓、大電流狀態(tài)中,所以對(duì)電路檢查時(shí)必須將線盤(pán)(L1)斷開(kāi)不接,否則極容易在測(cè)試時(shí)因儀器接入而改變了電路參數(shù)造成燒機(jī)。 　　注解:由于中國(guó)大陸目前并未提出電磁爐須作強(qiáng)制性電磁兼容(EMC)認(rèn)證,基于成本原因,內(nèi)銷(xiāo)產(chǎn)品大部分沒(méi)有將CYCY2裝上,L1用跳線取代,但基本上不影響電磁爐使用性能。 CPU發(fā)出風(fēng)扇停轉(zhuǎn)指令時(shí),15腳輸出低電平,Q5截止,風(fēng)扇因沒(méi)有電流流過(guò)而停轉(zhuǎn)。 (5) 電磁爐剛啟動(dòng)時(shí),當(dāng)測(cè)得環(huán)境溫度0℃,CPU調(diào)用低溫監(jiān)測(cè)模式加熱1分鐘, 1分鐘后再轉(zhuǎn)用正常監(jiān)測(cè)模式,防止電路零件因低溫偏離標(biāo)準(zhǔn)值造成電路參數(shù)改變而損壞電磁爐。 (2) 當(dāng)IGBT結(jié)溫由于某原因(例如散熱系統(tǒng)故障)而高于95℃時(shí), 加熱立即停止, 并報(bào)知信息(祥見(jiàn)故障代碼表)。 (3) 當(dāng)鍋具空燒時(shí), 加熱立即停止, 并報(bào)知信息(祥見(jiàn)故障代碼表)。 過(guò)零檢測(cè) 　　當(dāng)正弦波電源電壓處于上下半周時(shí), 由DD2和整流橋DB內(nèi)部交流兩輸入端對(duì)地的兩個(gè)二極管組成的橋式整流電路產(chǎn)生的脈動(dòng)直流電壓通過(guò)R7R14分壓的電壓維持Q11導(dǎo)通,Q11集電極電壓變0, 當(dāng)正弦波電源電壓處于過(guò)零點(diǎn)時(shí),Q11因基極電壓消失而截止,集電極電壓隨即升高,在集電極則形成了與電源過(guò)零點(diǎn)相同步的方波信號(hào),CPU通過(guò)監(jiān)測(cè)該信號(hào)的變化,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令。 (3) 當(dāng)測(cè)得其它原因?qū)е罺CE脈沖高于1150V時(shí)(此值適用于耐壓1200V的IGBT,耐壓1500V的IGBT此值為1400V),CPU立即發(fā)出停止加熱指令(祥見(jiàn)故障代碼表)。 (2) 配合VAC檢測(cè)電路反饋的信息及方波電路監(jiān)測(cè)的電源頻率信息,調(diào)控PWM的脈寬,令輸出功率保持穩(wěn)定。1V電壓,不接線盤(pán)(L1)測(cè)試CPU第7腳電壓,177。 VAC檢測(cè)電路 AC220V由DD2整流的脈動(dòng)直流電壓通過(guò)R7R55分壓、C32平滑后的直流電壓送入CPU,根據(jù)監(jiān)測(cè)該電壓的變化,CPU會(huì)自動(dòng)作出各種動(dòng)作指令: (1) 判別輸入的電源電壓是否在充許范圍內(nèi),否則停止加熱,并報(bào)知信息(祥見(jiàn)故障代碼表)。 “CPU通過(guò)控制PWM脈沖的寬與窄, 控制送至振蕩電路G的加熱功率控制電壓，控制了IGBT導(dǎo)通時(shí)間的長(zhǎng)短,結(jié)果控制了加熱功率的大小”。 NBSP。 (3) V6放電至小于V5時(shí), 又重復(fù)(1) 形成振蕩。 　　以上分析證實(shí)兩個(gè)問(wèn)題:一是在高頻電流的一個(gè)周期里,只有i1是電源供給L的能量,所以i1的大小就決定加熱功率的大小,同時(shí)脈沖寬度越大,t1~t2的時(shí)間就越長(zhǎng),i1就越大,反之亦然,所以要調(diào)節(jié)加熱功率,只需要調(diào)節(jié)脈沖的寬度。 　(5) GT40T301東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時(shí)80A,100℃時(shí)40A, 內(nèi)部帶阻尼二極管, 該IGBT可代用SGW25N1SKW25N1GT40Q32 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101時(shí)請(qǐng)將原配套該IGBT的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 目前因應(yīng)不同機(jī)種采了不同規(guī)格的IGBT,它們的參數(shù)如下: 　(1) SGW25N120西門(mén)子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時(shí)46A,100℃時(shí)25A,內(nèi)部不帶阻尼二極管,所以應(yīng)用時(shí)須配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用SKW25N120。在給定芯片尺寸和BVceo下, 其導(dǎo)通電阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。 從IGBT的下述特點(diǎn)中可看出, 它克服了功率MOSFET的一個(gè)致命缺陷, 就是于高壓大電流工作時(shí), 導(dǎo)通電阻大, 器件發(fā)熱嚴(yán)重, 輸出效率下降。IGBT有三個(gè)電極(見(jiàn)上圖), 分