【正文】 所以，Avd=84由交流通路可直接求得 Rid=2(Rb +ｒbe )= 思路：首先畫出差模信號工作時電路交流通路,Re電阻交流短接。所以ＶI1=ＶI2=0 (畫出直流通路）。=700Ω，β=100。 例3．定性分析圖所示電路，說明TT2在電路中的作用。這是由于電流源具有直流電阻小而交流電阻大的特點?！　≈虚g級主要是提供高的電壓增益，中間級的電路形式多為差分電路和帶有源負載的高增益放大器。三、共模參數(shù)　　共模抑制比KCMR、最大共模輸入電壓Vicmax、共模輸入電阻Ric四、瞬態(tài)參數(shù)　　轉換速率SR等。主要作用是提高抑制共模信號能力，提高輸入電阻。 答：差分式放大電路是直接耦合放大電路，輸入端無耦合電容，Rs的不同會影響管子的靜態(tài)工作點，Rs不同影響也不同。再者Re對輸入信號的共模分量，形成較強的負反饋來抑制零漂，所以不能加旁路電容Ce。但是Re過大，不僅集成工藝難以實現(xiàn)，而且會使放大電路兩管的靜態(tài)工作點電流偏低?！　、酃材］敵鲭娮瑁翰罘址糯箅娐啡我惠敵龆顺尸F(xiàn)的電阻。（4）共模信號輸入 雙端輸入：共用電阻Re短接或恒流源交流短接；單端輸入共用電阻Re或恒流源開路。通常，可以認為，共模信號是由一對幅值相等、極性相同的輸入信號組成，差模信號是由一對幅值相等、極性相反的輸入信號組成。因此，在進行靜態(tài)分析時，應把輸入信號置零，即輸入端短路。1．差分式放大電路的類型：3．電流源的應用（1）為集成運放各級提供穩(wěn)定的偏置電流；（2）作為各放大級的有源負載，提高電壓增益。（2）在電路性能上有較強的抑制共模信號（抑制零點飄移）能力和放大差模信號的能力。（2）從輸入端來說，因為單端輸入可以等效為雙端差模輸入和共模輸入的疊加，所以單端輸入的效果與雙端輸入幾乎一樣。 正確理解：共模抑制 （注：本題為2000年北京理工大學研究生入學考試“模擬與數(shù)字電路”考題），設TT2的特性完全對稱（1）T1與T2管工作在何種方式？（甲類、乙類、甲乙類）（2）說明D1與D2在電路中的作用；（3）若輸入為正弦信號，互補管TT2的飽和壓降ＶCES＝1V，計算負載上所能得到的最大不失真輸出功率；（4）求輸出最大時輸入電壓的幅值Vim。（　?。?）在OTL功放電路中,若在負載8Ω的揚聲器兩端并接一個同樣的8Ω揚聲器,則總的輸出功率不變,只是每個揚聲器得到的功率比原來少一半。（　　）（2）功率的放大電路有功率放大作用，電壓放大電路只有電壓放大作用而沒有功率放大作用。（３）|ＶCES|=2V。　?。ǎ玻〤２、C３組成的自舉電路，可增大輸出幅度。（2）交越失真，可以增大R2。RL=8Ω,試計算：（1）在輸入信號Vi=10V（有效值）時，電路的輸出功率，管耗，直流電源供給功率和效率。其內部電路為直接耦合多級放大器?！　×硪环NOTL電路，觀看動畫。T1管上的電壓是Vcc 與VK 之 差，等于Vcc/2 ，而T2 管的電源電壓就是0與ＶK就直流而言，只要兩管特性相同，Ｋ點的電位ＶK=Vcc/2，而大電容C 被充電到ＶC=ＶK=Vcc/2 。，另一管截止，后者C、E 極間的承受的最大反壓近似為2Vcc，所以管子的Ｖ（BR）CEOＶom= 的正半周期，而PNP型管因反偏而截止；在Vi =0， 即輸入信號的負半周期，NPN型管因反偏而截止，而PNP型管因正偏而導通，在負載上出現(xiàn)輸出電壓Vo如果用兩個對稱的異型管（一個NPN型，一個PNP型），使之都工作在乙類放大狀態(tài)，但一個在輸入信號正半周期工作，另一個在負半周期工作，同時使兩電路輸出加到某一負載上，從而在負載上得到一個穩(wěn)定完整波形。 Ｖom/4)／ＲL四、功率放大電路放大管三種工作狀態(tài)甲類、乙類、甲乙類 乙類雙電源互補對稱功率放大電路（OCL）直流電源供給的功率，一部分轉換為負載所需的交流功率，還有一部分被功率管消耗?！　≥敵鲭妷号c輸出電流與輸入信號的大小有關。 4. 功率管工作安全可靠，即放大器件的散熱問題。具體性能比較，請單擊此處。）(3)電路的能量轉換效率　　理想情況，η=%；要提高效率,在滿足失真要求條件下,應盡可能加大輸入信號的幅度,同時減少管子飽和壓降ＶCES。(3) 靜態(tài)工作點：靜態(tài)時,兩管的Q點在橫坐標上，且重合。　　抓住功放電路中主要矛盾：提高效率及非線性失真之間的矛盾，推出OCL，OTL幾種功能的電路。 熟練掌握： 功率放大電路OCL、OTL的工作原理，輸出功率和效率的估算。求:（1）無自舉電路的輸入電阻Ri。）電路如圖，已知:T1管ｇm=,T2管ｒbe=，β=100；CCCCs交流短路。（1）T1在電路中起什么作用？（2）畫出放大電路中頻小信號等效電路。（00年北理研究生入學考試考題） 圖所示為某MOS管放大電路的外部電路，由圖即可判定該管為_______型MOS管。T2為有源負載，作為T1管的漏極電阻?！　。╞) 不能放大，因為沒有偏置電壓。例3．已知場效應管電路和場效應管的輸出特性曲線如圖所示，當Vi電壓為1V、2V、3V、4V四種情況時MOS管的工作狀態(tài)如何?　　解：只要在輸出特性上作出負載線：ｖDS=ＶDDｉDＲd ，負載線和每條輸出特性的交點決定Q點，由Q點的位置來決定管子的工作狀態(tài)。（3）輸入電阻　　Ｒi=Ｒg（4）輸出電阻　　Ｒo=Ｒd 　　由上述分析可知，共源級放大電路的輸出電壓與輸入電壓反相，輸入電阻高，輸出電阻主要由漏極負載電阻決定?！　《?、MOS管的開關作用　　MOS管作為開關元件，它工作在截止或導通狀態(tài)?！　。?）轉移特性曲線　　可直接從輸出特性曲線上用作圖法求出。內容提要：　場效應管是利用半導體表面或內部電場效應來控制輸出電流（ｉD）大小的一種半導體器件，它輸入端基本上不取電流，具有一系列優(yōu)點?！　鲂芙M成放大電路時，也必須設置合適的靜態(tài)工作點，所不同的是，場效應管是電壓控制器件，它只需合適的偏壓，而不需要偏流，不同類型的場效應管，對偏置電壓的極性有不同的要求?！　、埏@然，柵源電壓ＶGS越大，作用于半導體表面的電場越強，被吸引到反型層中的電子愈多，溝道愈厚，相應的溝道電阻就愈小。當ＶGS增大到某一值時，這些電子被吸引到P型半導體表面，使耗盡層與絕緣層之間形成一個N型薄層，鑒于這個N型薄層是由P型半導體轉換而來的，故將它稱為反型層。　　正常工作時，柵源間必須外加電壓以使導電溝道產(chǎn)生，導電溝道產(chǎn)生過程如下：　?、佼斣跂旁撮g外加正向電壓ＶGS時，外加的正向電壓在柵極和襯底之間的ＳiＯ2絕緣層中產(chǎn)生了由柵極指向稱底的電場，由于絕緣層很?。ǎ?，因此數(shù)伏電壓就能產(chǎn)生很強的電場。　　一般情況下，夾斷區(qū)僅占溝道長度的很小部分，因此ＶDS的增大而引起夾斷點的移動可忽略，夾斷點到源極間的溝道長度可以認為近似不變，同時，夾斷點到源極間的電壓又為一定值，所以可近似認為ＩD是不隨ＶDS而變化的恒值?！　‰S著ＶDS的增大，ＩD增大，溝道不等寬的現(xiàn)象變得明顯，當ＶDS增大到某一值時，近漏端的兩個耗盡區(qū)相遇，這種情況稱為預夾斷，如圖（b）所示?！　‘敚諫S負向增大到某一值后，結兩側的耗盡層向內擴展到彼此相遇，溝道被完全夾斷，此時漏源間的電阻將趨于無窮大，如圖（c）所示。（1）柵源間電壓ＶGS對ＩD的控制　　　　　　?。╝）　　　　　　　　　　　　?。╞）　　　　　　　　　　　　　 （c）　　當漏源間短路，柵源間外加負向電壓ＶGS時，結型場效應管中的兩個PN結均處反偏狀態(tài)。在實際分析中，包含場效應管的電路比包含晶體管的電路簡單?！　≡诜治龇糯箅娐窌r，均采用微變等效電路法。1,中頻放大倍數(shù)|Avm|=_______, ｆL為_______,ｆH為________,當信號頻率為ｆL或ｆH時,實際的電壓增益為 ________. A. Ri=Re||[rbe+(Rb1+ Rb2)]　若更換晶體管使β由50改為100，ｒbb39。 　　　　C.這種失真是____。找出其中錯誤的一組。 用萬用表直流電壓檔測得電路中晶體管各電極的對地電位，試判斷這些晶體管分別處于那種工作狀態(tài)（飽和、截止、放大、倒置或已損壞）。ＡV1=ＶO1/Ｖi=（1+β）（Re1//RL1）/[ｒbe+（1+β）（Re1//RL1）]ＡV2=ＶO/ＶO1=（1+β）（Re2//RL）/[ｒbe+（1+β）（Re2//RL）]ＡV=ＶO/Ｖi=ＡV1*ＡV2其中：RL1為第一級放大電路的負載電阻，RL1=ｒbe+（1+β）（Re2//RL）（2）輸入電阻RiRi=Ｖi/Ii=Rb1//[ｒbe+（1+β）（Re1//RL1）（3）輸出電阻RoRo=Re2//[（ｒbe+Ro1）/（1+β）]其中：Ro1為第一級放大電路的輸出電阻，Ro1=Re1//[（ｒbe+（Rb1//Rs））/（1+β）]單元檢測：測得某NPN管得ＶBE＝，ＶCE＝，由此可判定它工作在_______區(qū)。 ，已知兩三極管的電流放大倍數(shù)均為β，輸入電阻為ｒbe，電路參數(shù)如圖，計算放大電路的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻。減?。襜，提高靜態(tài)工作點，可消除此失真。（4）同樣的方法可判斷輸出基極電流的最大幅值是20μA.，已知三極管的β=100，VBE=（1）試計算該電路的Q點；（2）畫出簡化的H參數(shù)小信號等效電路；（3）求該電路的電壓增益AV，輸入電阻Ri,輸出電阻Ro。（2）電阻Rb、Rc的值。固定偏流式共發(fā)射極放大電路的放大過程，參閱“內容提要——第2頁”。5．放大電路存在頻率響應的原因　　放大電路存在容抗元件（例如外接的耦合電容、旁路電容和三極管的極間電容），使的放大電路對不同頻率的輸出不同。1．頻率響應的基本概念（1）頻率響應：放大電路對不同頻率的穩(wěn)態(tài)響應。3．射極偏置電路　　穩(wěn)定靜態(tài)工作點的過程：（1）利用Ｒb1和Ｒb2組成的分壓器以固定基極電位；（2）利用Ｒe產(chǎn)生的壓降反饋到輸入回路，改變ＶBE，從而改變ＩC。（2）求電壓放大倍數(shù)（3）求輸入電阻（4）求輸出電阻　　以下給出了一共射基本放大電路的分析過程，觀看動畫。2．用H參數(shù)小信號模型分析共射基本放大電路（1）畫出小信號等效電路圖解分析法實例（工作點移動對輸出波形的影響），指導思想：在一定條件下，把半導體三極管所構成的非線性電路轉化為線性電路。（2）再分析輸出回路　　用同樣的方法，可得到輸出回路的負載線方程（直流負載方程）為ＶCE＝ＶCC－ＩC*ＲC將相應的負載線（直流負載線，斜率為1/Rc）畫在三極管的輸出特性曲線上，找到與ＩB=ＩBQ相對應的輸出特性曲線，其交點便是所求的（ＩCQ，ＶCEQ）。 直流通路：直流信號的通路。 大。（2）動態(tài)：輸入不為0，電路中電流和電壓都是直流分量和交流分量的疊加?！　∮捎冢鯟E=ＶCCｖRc，因此當電阻Ｒc上的電壓隨輸入信號變化時，ｖCE也就隨之變化，由ＶCE→ＶCE+△ＶCE，ｖCE中的變化部分經(jīng)電容Ｃ2傳送到輸出端成為輸出電壓ｖo。其特點是：ＶCE很小，在估算小功率管時，（）。 區(qū)變窄，內電場減弱，集電結收集載流子的能量降低，ＩC不再隨著ＩB作線性變化，出現(xiàn)發(fā)射極發(fā)射有 ＶCE無關?！　》糯髤^(qū)：發(fā)射結正偏，集電結反偏。4．共射極電路的特性曲線(以NPN型管為例)（1）輸入特性曲線 ＩB=f(ＶBE，ＶCE )　　輸入特性曲線是指當ＶCE為某一常數(shù)時，ＩB和BE之間的關系。 Ｉc＝βＩB +ＩCEO其定義為α=Ｉc／ＩE　　　　令β＝α／（１－α），稱為共射極電流傳輸系數(shù)。 Ge管：ＶBE= ＶE外部條件：發(fā)射結正偏、集電結反偏。2．電流的分配和控制作用（1）條件（2）三個電極：基極 b、集電極 c、和發(fā)射極 e?！　?）輸出電壓vo和輸入電壓vi不但是同頻率的正弦波，而且vo的幅度比vi的幅度大得多，這說明，vi經(jīng)過電路被線性放大了。　　3）由輸出特性曲線和交流負載線求iC和vCE　　由圖解分析，可得出如下幾個重要結論：　　1）三極管各極間電壓和各電極的電流都是由兩個分量線性疊加而成的脈動量，其中一個是由直流電源Vcc引起的直流分量，另一個是隨輸入信號vi而變化的交流分量。在這里，我們討論圖解法。所謂交流通路是指交流電流流經(jīng)的路徑。（3）集電區(qū)收集載流子　　由于集電結外加反向電壓，集電結的內電場被加強，有利于該結兩邊少子的漂移。流過發(fā)射極的電流由兩部分組成：一是發(fā)射區(qū)中的多子自由電子通過發(fā)射結注入到基區(qū)，成為集區(qū)中的非平衡少子而形成的電子電流ＩEN，二是基區(qū)中的多子空穴通過發(fā)射結注入到發(fā)射區(qū)，成為發(fā)射區(qū)的非平衡少子而形成的空穴電流ＩEP。三、半導體三極管及放大電路基本要求 二極管最主要的特性是____________，它的兩個主要參數(shù)是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。 判斷圖所示電路中各二極管是否導通,并求A,B兩端的電壓值?！　?　　 圖中D1D3為理想二極管，A，B，C燈都相同，試問哪個燈最亮？設硅穩(wěn)壓管Dz1和Dz2的穩(wěn)定電壓分別為5V和10V，求圖中電路的輸出電壓Uo。若把電源電壓調整到V=10V，則電流的大小將是_____?！　≡谳斎胄盘栘摪胫埽?若ＶI ，Ｖo=ＶI；若 ＶI ≤，Ｖo=。本題中：Ｖ12=12V，Ｖ34=12+4=16V，所以D2優(yōu)先導通，此時，Ｖ12=4V，所以D1管子截止。例4．試判斷圖中二極管是導通還是截止？并求出AO兩端電壓ＶA0。例3．圖所示電路中，設Ｄ為理想二極管，試畫出其傳輸特性曲線（Ｖo～Ｖi）。在線性部分，其端特性方程為