【正文】 在以后的工作生活中運(yùn)用所學(xué)的知識(shí)回報(bào)家人，回報(bào)母校，回報(bào)社會(huì)。從選題，到完成提綱以及之后初稿、復(fù)稿的修改，他都給予了我啟發(fā)性的指導(dǎo)。謝謝你們。由于控制程序存儲(chǔ)在89C51單片機(jī) 的電可擦除Flash閃存EPROM中，如果用戶需要更改系統(tǒng)的亮燈模式Model_i，無(wú)須改變系統(tǒng)硬件電路，只需修改其中程序即可，是一種很有發(fā)展前途的彩燈控制器。而隨著產(chǎn)能的增加，LED背光源的成本將快速下滑，預(yù)計(jì)到2006年LED背光的售價(jià)可降到CCFL背光的2倍左右，距離大規(guī)模普及僅有一步之遙。目前CCFL冷陰極熒光燈的發(fā)光效率可達(dá)到50100lm/W（流明/瓦），而白光LED器件在剛起步時(shí)發(fā)光效率僅為20lm/w甚至更低，這就注定LED在開始時(shí)并不適合作為L(zhǎng)CD顯示器的背光源。CCFL雖然有效，但它的亮度會(huì)隨著時(shí)間逐漸減弱，顏色也會(huì)改變，使用壽命則介于15,000到25,000個(gè)小時(shí)之間。最佳應(yīng)對(duì)措施是現(xiàn)階段做大規(guī)模，獲得專利授權(quán)，同時(shí)不斷加強(qiáng)自身研發(fā)，提高在專利訴訟中的議價(jià)能力，爭(zhēng)取交叉授權(quán)。目前國(guó)內(nèi)廠商的市場(chǎng)還主要在內(nèi)地，如果芯片出口恐將遇到兩方面的挑戰(zhàn)：一、國(guó)際大廠的專利訴訟(主要是藍(lán)光和白光)，實(shí)際上只要做到一定規(guī)模，無(wú)論出口與否都會(huì)遇到專利挑戰(zhàn)，但出口受專利訴訟的可能性更大一些；二、其它外圍廠商的競(jìng)爭(zhēng)，特別是臺(tái)灣地區(qū)廠商，臺(tái)灣廠商沿襲它們的傳統(tǒng)戰(zhàn)略—技術(shù)緊密跟蹤國(guó)際大廠，同時(shí)大力提升產(chǎn)能，降低成本，目前臺(tái)灣芯片產(chǎn)能全球第一，還有一些其它行業(yè)的巨無(wú)霸如鴻海、聯(lián)茂、佳總正陸續(xù)進(jìn)入這一領(lǐng)域，未來臺(tái)灣產(chǎn)能將影響全球LED芯片市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)。中國(guó)現(xiàn)階段的應(yīng)用市場(chǎng)主要在建筑照明、室內(nèi)外顯示屏，基于上述原因，下一波的主力可能還是目前這些市場(chǎng)，但在手機(jī)、小尺寸液晶背光、汽車的滲透會(huì)加大，另外一些零散市場(chǎng)如特種照明的開拓也會(huì)更大(特種照明對(duì)成本的要求沒有通用照明那么苛刻)。盡管國(guó)內(nèi)集成電路制造基礎(chǔ)比較薄弱，工藝水平比較低，但國(guó)內(nèi)一些企業(yè)通過聘請(qǐng)海外技術(shù)人員加盟，在技術(shù)上不斷取得突破，國(guó)內(nèi)好的企業(yè)技術(shù)水平已經(jīng)與臺(tái)灣大廠的技術(shù)水平相差不大，與國(guó)際大廠的整體差距也在不斷拉近；二、LED的投資額比較小，初始投資1億就可建廠，國(guó)內(nèi)企業(yè)進(jìn)入門檻低，容易實(shí)現(xiàn)滾動(dòng)發(fā)展，這與集成電路制造及液晶面板制造動(dòng)輒幾十億到上百億人民幣的投資而言顯得“微不足道”，國(guó)內(nèi)企業(yè)容易進(jìn)入形成產(chǎn)業(yè)集群，當(dāng)然，也可能造成惡性競(jìng)爭(zhēng)，發(fā)展到一定階段需要市場(chǎng)整合；三、國(guó)內(nèi)市場(chǎng)巨大，LED未來主要市場(chǎng)是通用照明市場(chǎng)，市場(chǎng)容量大，終端消費(fèi)市場(chǎng)比較分散，不易形成壟斷，國(guó)內(nèi)企業(yè)生存空間廣闊；四、國(guó)內(nèi)一些企業(yè)擁有核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)，如晶能光電的硅襯底氮化鎵藍(lán)光項(xiàng)目，大連路美的芯片領(lǐng)域核心技術(shù)，都具有全球競(jìng)爭(zhēng)力，這些企業(yè)在技術(shù)發(fā)展上容易形成示范效應(yīng)，促進(jìn)國(guó)內(nèi)企業(yè)市場(chǎng)健康成長(zhǎng)；五、技術(shù)成熟后，LED下游封裝和器件生產(chǎn)屬于勞動(dòng)密集型，大陸具備發(fā)展的勞動(dòng)力成本優(yōu)勢(shì)。中國(guó)本土企業(yè)現(xiàn)階段主要還是處于起步階段，企業(yè)規(guī)模較小，對(duì)掌握專利的大廠構(gòu)不成威脅，專利問題還不是很突出。主程序程序初始化調(diào)用亮燈Model_1模式第1種模式亮完？調(diào)用第N i種亮燈模式Model_i(i=3……n)第n種模式亮完？NNYY 主程序流程圖Wodel_i亮燈狀態(tài)有模式改變鍵按下？（）轉(zhuǎn)Model(i1)模式轉(zhuǎn)Model(i+1)模式調(diào)用Model_i模式調(diào)用Model_i模式Model_i工作時(shí)間Ti已滿？有功能鍵按下？轉(zhuǎn)Model(i+1)模式Up鍵按下Down鍵按下YYKeep鍵按下NYNN Model_i模式狀態(tài)流程圖下面以第一種模式工作為例。在每次的T0定時(shí)中斷服務(wù)子程序里，需要對(duì)各個(gè)時(shí)間寄存器和模式寄存器進(jìn)行加1或者清，為主程序查詢作準(zhǔn)備，同時(shí)查詢是否已中斷6次（30 ms），若30 ms到了，則對(duì)參數(shù)按鍵查詢一次，是否有時(shí)間Ti頻率Fi增減鍵按下并進(jìn)行相應(yīng)子程序處理。整個(gè)系統(tǒng)軟件由主程序（ Main）、各個(gè)模式子程序（Model_i）、5 ms中斷服務(wù)子程序(T0 Interrupt)、鍵盤掃描處理子程序（Key Board）、顯示子程序（Display）等程序組成。 軟件設(shè)計(jì)新型LED彩燈控制器最大特點(diǎn)在于所有亮燈模式均由軟件控制完成。VS選用1N4735型硅穩(wěn)壓二極管。R口RP5均選用膜式可變電阻器。元器件選擇：R1選用1/2W金屬膜電阻器。另一路經(jīng)Rl限流降壓、VS穩(wěn)壓及Cl濾波后，為IC提供+6V工作電壓。振蕩器由非門集成電路IC(DlD6)內(nèi)部的DD6和電阻器RR電容器C電位器RPl組成。主控模塊主要設(shè)計(jì)器件有89C51，5個(gè)七段碼LED顯示器，8個(gè)按鍵，2個(gè)穩(wěn)壓器（提供12 V，5 V電壓），1個(gè)信號(hào)輸出驅(qū)動(dòng)模塊芯片(MC4049)等。此外如果用戶對(duì)某一種模式感興趣需要仔細(xì)觀看該種亮燈模式，可以通過鍵盤選定任意第Model_i模式使系統(tǒng)循環(huán)重復(fù)工作在該花樣模式下。整個(gè)n種亮燈模式時(shí)間可以看作一個(gè)大周期T，其中的每一種花樣工作模式Model_i（i=1，2，…，n）時(shí)間為小周期Ti，對(duì)于每一個(gè)模式編寫一個(gè)獨(dú)立工作子程序Model_i，其中設(shè)定了LED三色燈（紅、綠、藍(lán)）的點(diǎn)亮?xí)r刻（RED_on，GREEN_on，BLUE_on）和熄滅時(shí)刻（RED_off，GREEN_off，BLU E_off)，以及模式工作時(shí)間Ti以及該模式LED閃爍頻率Fi。彩燈控制器可直接與220 V交流市電相連接，經(jīng)過開關(guān)電源變換，輸出直流工作電壓，一方面為管內(nèi)LED模塊提供12 V工作電源，另一方面為主控模塊單片機(jī)系統(tǒng)（彩燈控制器）提供5 V工作電源。為此，最好準(zhǔn)備一只光敏器件（如2CR、2DR型硅光電池）作接收器。 2．紅外發(fā)光二極管的檢測(cè) 由于紅外發(fā)光二極管，它發(fā)射1～3μm的紅外光，人眼看不到。（2）外接電源測(cè)量用3V穩(wěn)壓源或兩節(jié)串聯(lián)的干電池及萬(wàn)用表（指針式或數(shù)字式皆可）可以較準(zhǔn)確測(cè)量發(fā)光二極管的光、電特性。兩塊萬(wàn)用表均置10Ω擋。這種檢測(cè)方法，不能實(shí)地看到發(fā)光管的發(fā)光情況，因?yàn)?0kΩ擋不能向LED提供較大正向電流。輸入信號(hào)電平增大時(shí)，首先LED1亮，再增大LED2亮。 電平表目前，在音響設(shè)備中大量使用LED電平表。R為限流電阻。為安全起見，；應(yīng)讓可能出現(xiàn)的反向電壓VRRm。一般LED的工作電流在十幾mA至幾十mA，而低電流LED的工作電流在2mA以下（亮度與普通發(fā)光管相同）?！?0176?；蚋。哂泻芨叩闹赶蛐?，可作局部照明光源用，或與光檢出器聯(lián)用以組成自動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)。由半值角大小可以估計(jì)圓形發(fā)光強(qiáng)度角分布情況。散射型發(fā)光二極管和達(dá)于做指示燈用。由VI曲線可以得出發(fā)光管的正向電壓，反向電流及反向電壓等參數(shù)。～3V。中垂線（法線）AO的坐標(biāo)為相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度（即發(fā)光強(qiáng)度與最大發(fā)光強(qiáng)度的之比）。由于一般LED的發(fā)光二強(qiáng)度小，所以發(fā)光強(qiáng)度常用坎德拉(mcd)作單位。 電參數(shù)的意義（1）光譜分布和峰值波長(zhǎng)某一個(gè)發(fā)光二極管所發(fā)之光并非單一波長(zhǎng)，其波長(zhǎng)大體按圖2所示。（3）最大反向電壓VRm所允許加的最大反向電壓。 LED的特性 極限參數(shù)的意義 （1）允許功耗Pm允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的最大值。理論和實(shí)踐證明，光的峰值波長(zhǎng)λ與發(fā)光區(qū)域的半導(dǎo)體材料禁帶寬度Ｅg有關(guān)，即 λ≈1240/Eg（mm） 式（）式中Eg的單位為電子伏特（eV）。 假設(shè)發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復(fù)合發(fā)光。因此它具有一般PN結(jié)的IN特性，即正向?qū)?，反向截止、擊穿特性。?dāng)然一定的誤差是可以在使用中被接受的， 的晶體振蕩器也會(huì)因晶體本身所存在的誤差使波特率產(chǎn)生誤差，但晶體本身的誤差對(duì)波特率的影響是十分之小的，可以忽略不計(jì)。 12M32)(()/(256TH1)) 溢出速率＝（計(jì)數(shù)速率）/(256－TH1) 式（）上式中的“計(jì)數(shù)速率”與所使用的晶體振蕩器頻率有關(guān)，在51 芯片中定時(shí)器啟動(dòng)后會(huì)在每一個(gè)機(jī)器周期使定時(shí)寄存器TH 的值增加一，一個(gè)機(jī)器周期等于十二個(gè)振蕩周期，所以可以得知51 芯片的計(jì)數(shù)速率為晶體振蕩器頻率的1/12，一個(gè)12M 的晶振用在51 芯片上，那么51 的計(jì)數(shù)速率就為1M。在這個(gè)定時(shí)模式2 下定時(shí)器1 溢出速率的計(jì)算公式如下： 那么我們?cè)趺慈ビ?jì)算這兩個(gè)模式的波特率設(shè)置時(shí)相關(guān)的寄存器的值呢？可以用以下的公式去計(jì)算。10＝960 字節(jié)。AT89C51 和AT89C2051 等51 系列芯片只有兩個(gè)定時(shí)器，定時(shí)器0 和定時(shí)器1，而定時(shí)器2是89C52 系列芯片才有的。但在模式1 中，SM2=1時(shí)，當(dāng)未收到有效的停止位，則不會(huì)對(duì)RI 置位。RI 接收中斷標(biāo)識(shí)位。在模式0，發(fā)送完第8 位數(shù)據(jù)時(shí)，由硬件置位。該位可能是奇偶位，地址/數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)位。大家也可以用上面的實(shí)際源碼加入REM=0 來進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。 可變?cè)谶@里只說明最常用的模式1，其它的模式也就一一略過，有興趣的朋友可以找相關(guān)的硬件資料查看。31 fosc/32 或fosc/6421 可變10fosc/1200 波特率功能它的各個(gè)位的具體定義如下：SCON 串行口控制寄存器通常在芯片或設(shè)備中為了監(jiān)視或控制接口狀態(tài)，都會(huì)引用到接口控制寄存器。發(fā)送器則不需要用到雙緩沖，一般情況下我們?cè)趯懓l(fā)送程序時(shí)也不必用到發(fā)送中斷去外理發(fā)送數(shù)據(jù)。SBUF 數(shù)據(jù)緩沖寄存器這是一個(gè)可以直接尋址的串行口專用寄存器。但RAM，定時(shí)器，計(jì)數(shù)器，串口和中斷系統(tǒng)仍在工作。整個(gè)PEROM陣列和三個(gè)鎖定位的電擦除可通過正確的控制信號(hào)組合，并保持ALE管腳處于低電平10ms 來完成。石晶振蕩和陶瓷振蕩均可采用。XTAL1：反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘