【正文】 校驗(yàn)時，P0口須接上10k左右的上拉電阻。Ready／Busy：字節(jié)編程的進(jìn)度可通過RDY／BSY輸出信號監(jiān)測，編程期間，ALE變?yōu)楦唠娖健癏”（RDY／BSY）端電平被拉低，表示正在編程狀態(tài)（忙狀態(tài)）。4．在高電壓編程方式時，將EA／Vpp端加上+12V編程電壓。－（11位地址范圍為0000H－0FFFH），數(shù)據(jù)從P0口輸入，、PSEN為低電平，RST保持高電平，EA／Vpp 引腳是編程電源的輸入端，按要求加上編程電壓，ALE／PROG引腳輸入編程脈沖（負(fù)脈沖）。AT89C51單片機(jī)中，有些屬于低電壓編程方式，而有些則是高電壓編程方式，用戶可從芯片上的型號和讀取芯片內(nèi)的名字節(jié)獲得該信息，見下表。為了避免可能對端口產(chǎn)生意外寫入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對端口或外部存儲器的寫入指令。終止空閑工作模式的方法有兩種，其一是任何一條被允許中斷的事件被激活，IDL（）被硬件清除，即刻終止空閑工作模式。如需同時進(jìn)入兩種工作模式，即PD和IDL同時為1，則先激活掉電模式。空閑節(jié)電模式：AT89C51 有兩種可用軟件編程的省電模式，它們是空閑模式和掉電工作模式。圖1石英晶體時：C1，C2＝30pF177。10F。這個放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器，振蕩電路參見圖5。如EA端為高電平（接VCC端），CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。此外，該引腳會被微弱拉高，單片機(jī)執(zhí)行外部程序時，應(yīng)設(shè)置ALE無效。要注意的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個ALE脈沖。當(dāng)振蕩器工作時，RST引腳出現(xiàn)兩個機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。作輸入端時，被外部拉低的P3 口將用上拉電阻輸出電流（IIL）。Flash編程或校驗(yàn)時，P2亦接收高位地址和其它控制信號P2口：P2是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I／O口，P2的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流）4個TTL邏輯門電路。對端口寫“1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時可作輸入口。在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時，這組口線分時轉(zhuǎn)換地址（低8位）和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。Vcc：電源電壓空閑方式停止CPU的工作，但允許RAM，定時/記數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。這兩種特性在單片機(jī)中得到了充分的體現(xiàn)。一些廠家用這兩種特性區(qū)分程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器在硬件中的特性，依據(jù)同樣的原理廣泛的適用于一般目的的電腦和微電腦，一些廠家在程序內(nèi)存和數(shù)據(jù)內(nèi)存之間不區(qū)分，像普林斯頓特性。掉電方式保存RAM中的內(nèi)容，但振蕩器停止工作直到下一個硬件復(fù)位。GND：地在FIash編程時，P0口接收指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時，要求外接上拉電阻。作輸入口使用時，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流（IIL）。對端口寫“1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時可作輸入口，作輸入口使用時，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流（IIL）。P3口：P3口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I／O 口。P3口除了作為一般的I／O口線外，更重要的用途是它的第二功能，如下表所示：P3口還接收一些用于Flash閃速存儲器編程和程序校驗(yàn)的控制信號。對Flash存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（PROG）。EA／VPP：外部訪問允許。Flash存儲器編程時，該引腳加上+12V的編程允許電源Vpp，當(dāng)然這必須是該器件是使用12V編程電壓Vpp。XTAL2：振蕩器反相放大器的輸出端。外接石英晶體（或陶瓷諧振器）及電容CC2接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。用戶也可以采用外部時鐘。10pF 陶瓷濾波器：C1，C2＝40pF177。這兩種方式是控制專用寄存器PCON（即電源控制寄存器）中的PD（）和IDL（）位來實(shí)現(xiàn)的。在空閑工作模式狀態(tài)，CPU保持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)，這種方式由軟件產(chǎn)生。程序會首先響應(yīng)中斷，進(jìn)入中斷服務(wù)程序，執(zhí)行完中斷服務(wù)程序并緊隨RETI（中斷返回）指令后，下一條要執(zhí)行的指令就是使單片機(jī)進(jìn)入空閑模式那條指令后面的一條指令。程序存儲器的加密：AT89C51 可使用對芯片上的3 個加密位LBLBLB3 進(jìn)行編程（P）或不編程（U）來得到如下表所示的功能加密位保護(hù)功能表：當(dāng)加密位LB1 被編程時，在復(fù)位期間，EA端的邏輯電平被采樣并鎖存，如果單片機(jī)上電后一直沒有復(fù)位，則鎖存起的初始值是一個隨機(jī)數(shù)，且這個隨機(jī)數(shù)會一直保存到真正復(fù)位為止。Flash閃速存儲器的編程：AT89C51 單片機(jī)內(nèi)部有4k 字節(jié)的Flash PEROM，這個Flash 存儲陣列出廠時已處于擦除狀態(tài)（即所有存儲單元的內(nèi)容均為FFH），用戶隨時可對其進(jìn)行編程。AT89C51的程序存儲器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的，每次寫入一個字節(jié)，要對整個芯片內(nèi)的PEROM程序存儲器寫入一個非空字節(jié)，必須使用片擦除的方式將整個存儲器的內(nèi)容清除。編程時，可采用4－20MHz的時鐘振蕩器，AT89C51編程方法如下：1．在地址線上加上要編程單元的地址信號。5．每對Flash存儲陣列寫入一個字節(jié)或每寫入一個程序加密位，加上一個ALE／PROG編程脈沖。數(shù)據(jù)查詢：AT89C51單片機(jī)用數(shù)據(jù)查詢方式來檢測一個寫周期是否結(jié)束，在一個寫周期中，如需讀取最后寫入的那個字節(jié)，則讀出的數(shù)據(jù)的最高位（）是原來寫入字節(jié)最高位的反碼。編程完成后。Flash 存儲器編程真值表注：片擦除操作時要求PROG脈沖寬度為10ms編程電路校驗(yàn)電路程序校驗(yàn)：如果加密位LBLB2沒有進(jìn)行編程，則代碼數(shù)據(jù)可通過地址和數(shù)據(jù)線讀回原編寫的數(shù)據(jù)，采用下圖的電路，程序存儲器的地址由P1 和P2 －，數(shù)據(jù)由P0口讀出，、PSEN保持低電平，ALE、EA和RST保持高電平。每個字節(jié)寫入周期是自身定時的。3．激活相應(yīng)的控制信號。編程方法：編程前，須按表6和圖6所示設(shè)置好地址、數(shù)據(jù)及控制信號。低電壓編程模式適合于用戶在線編程系統(tǒng)，而高電壓編程模式可與通用EPROM編程器兼容。此外，加密位只能通過整片擦除的方法清除。退出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變RAM中的內(nèi)容，在Vcc恢復(fù)到正常工作電平前，復(fù)位應(yīng)無效，且必須保持一定時間以使振蕩器重啟動并穩(wěn)定工作。需要注意的是，當(dāng)由硬件復(fù)位來終止空閑工作模式時，CPU 通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指令開始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個機(jī)器周期（24個時鐘周期）有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止CPU訪問片內(nèi)RAM，而允許訪問其它端口?？臻e模式可由任何允許的中斷請求或硬件復(fù)位終止。IDL是空閑等待方式，當(dāng)IDL=1，激活空閑工作模式，單片機(jī)進(jìn)入睡眠狀態(tài)。這種情況下，外部時鐘脈沖接到XTAL1端，即內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端，XTAL2則懸空。10pF，而如使用陶瓷諧振器建議選擇40pF177。時鐘振蕩器：AT89C5l 中有一個用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器，引腳XTAL1 和XTAL2 分別是該放大器的輸入端和輸出端。XTAL1：振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端。需注意的是：如果加密位LB1被編程，復(fù)位時內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。在此期間，當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器，這兩次有效的PSEN信號出現(xiàn)。該位置位后，只有一條MOVX和MOVC指令A(yù)LE才會被激活。即使不訪問外部存儲器，ALE 仍以時鐘振蕩頻率的l／6 輸出固定的正脈沖信號，因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。RST：復(fù)位輸入。對P3 口寫入“1”時，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。在訪問8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（如執(zhí)行MOVXRI 指令）時，P2 口線上的內(nèi)容（也即特殊功能寄存器（SFR）區(qū)中R2寄存器的內(nèi)容），在整個訪問期間不改變。P1口：P1是一個帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I／O口，P1的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流）4個TTL邏輯門電路。作為輸出口用時，每位能吸收電流的方式驅(qū)動8個TTL邏輯門電路，對端口寫“1”可作為高阻抗輸入端用。AT89C51方框圖引腳功能說明同時，AT89C51可降至0HZ的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式。本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）外文翻譯畢業(yè)設(shè)計(jì)題目： 外文題目：Fundamentals of Singlechip Microputer譯文題目：單片機(jī)基礎(chǔ)