【正文】 熱生長氧化的生成膜厚度與氧化時間符合拋物線關系規(guī)律的條件，該熱生長規(guī)律與理論的對應。對熱分解淀積氧化，介紹了熱分解淀積氧化的基本方法（含氧硅化物熱分解淀積法和硅烷熱分解氧化淀積法）；介紹了含氧硅化物熱分解淀積法的含氧硅化物源、介紹了其中四乙烷氧基硅烷的熱分解機理、四乙烷氧基硅烷的熱分解淀積的設備及使用條件、介紹了硅烷熱分解氧化淀積法（分解、氧化）生成二氧化硅的機理、介紹了硅烷熱分解氧化淀積法的優(yōu)缺點、對低溫熱分解淀積法二氧化硅的生長規(guī)律進行了討論并給出了生長規(guī)律表達式、介紹了硅烷熱分解氧化淀積法的優(yōu)缺點。要求清楚的知道非本征無定形二氧化硅膜的各種性質，了解二氧化硅膜的八條物理性質、特別要注意其中與制備二氧化硅工藝有關的幾條性質（電阻率隨制備方法不同而異、介電強度隨制造工藝不同而不同、雜質在二氧化硅中的擴散系數(shù)隨雜質不同而不同且隨溫度變化而變化）；了解二氧化硅膜的三條化學性質、特別了解二氧化硅化學性能的穩(wěn)定性與可工藝加工性的結合對器件制造帶來得好處、了解二氧化硅與鋁電極的不良反應可能帶來得問題及發(fā)生不良反應的條件；要求清楚的知道二氧化硅對某些雜質能起到掩蔽擴散作用的實質，清楚混合玻璃相結構的定義及其如何使 二氧化硅對某些雜質能起到掩蔽擴散作用的；知道在二氧化硅硅界面存在的界面效應，清楚分凝效應的定義、分凝效應的描述、分凝效應的工藝應用和二氧化硅中的電荷引起的p型硅表面反型效應的原因、理論分析、實際器件中出現(xiàn)的反型結構、能導致p型硅表面反型的條件、p型硅表面的反型對器件性能造成的影響以及控制表面反型溝道的各種工藝措施；知道硅表面的反型效應的定義及為什么一般不能造成n型表面反型的原因。 13分凝效應由于雜質在硅和二氧化硅中的溶解度不同、擴散系數(shù)不同等原因，而使得在二氧化硅的生長過程中影響了二氧化硅硅界面兩側雜質再分布的現(xiàn)象。 9網(wǎng)絡形成劑其雜質離子在二氧化硅網(wǎng)絡中能取代硅離子的位置而形成玻璃結構的雜質類。 5 橋聯(lián)氧原子屬于兩個硅氧四面體（硅原子）所有的氧原子。 基本概念： 1氧化在襯底（硅片）表面制備一層二氧化硅膜的過程（熱生長、反應淀積、陽極氧化等等）。從二氧化硅膜結構看，二氧化硅基本單元的基本結構結構形式、基本單元之間是如何連接的、連接組合狀態(tài)的如何不同使二氧硅分為結晶形二氧化硅和無定形二氧化硅。結合實際工藝中的問題討論了二氧化硅硅界面特性，其中包括雜質在二氧化硅硅界面的分凝效應和二氧化硅中的電荷引起的p型硅表面的反型效應。對于兩類雜質在二氧化硅中的作用指出：網(wǎng)絡改變劑多為金屬離子，它們在二氧化硅中的作用是使網(wǎng)絡中非橋聯(lián)氧原子數(shù)目增加、網(wǎng)絡強度變弱、金屬離子的可動性使得器件的電性能不可靠和不穩(wěn)定；網(wǎng)絡形成劑多為三、五族的摻雜雜質，它們在二氧化硅中的作用恰恰相反，即三族雜質（硼）在二氧化硅中取代硅離子位置后，使非橋聯(lián)氧原子數(shù)目減少、網(wǎng)絡強度變強、同時引入了負電離中心，而五族雜質（磷）在二氧化硅中取代硅離子位置后，使非橋聯(lián)氧原子數(shù)目增加、網(wǎng)絡強度變弱、同時引入了正電離中心。關于二氧化硅膜的結構，主要介紹了二氧化硅膜的基本結構單元；由二氧化硅膜的基本結構單元間連接構成的二氧化硅網(wǎng)絡，其中由于基本單元連接的不同，二氧化硅網(wǎng)絡又分為結晶形二氧化硅和無定形二氧化硅。 二氧化硅膜的結構 1 二氧化硅膜的基本結構單元 2 基本結構單元的連接形式 3 二氧化硅的結構形式分類 結晶形二氧化硅 無定形二氧化硅 167。清楚外延層層錯產生的原因及外延層層錯的存在對器件性能的影響。 課程難點：〈111〉向硅外延過程中形成的外延層層錯，其形成模式與硅原子按層排列的次序發(fā)生錯亂的關系；所討論的外延層層錯的結構與以{111}面圍成的四面體結構有如何的對應關系；外延層層錯的表面形貌與化學腐蝕時在外延層層錯面的缺陷處導致優(yōu)先腐蝕的對應關系；為什么外延生長時的生長速率的不均勻，可導致某些層錯面被淹沒，而使外延層層錯的表面圖形形貌出現(xiàn)不完整的圖形形貌，這些不完整的外延層層錯的圖形形貌也是層錯；為什么外延層層錯不一定都起始于襯底表面可導致腐蝕后的外延層層錯的表面圖形出現(xiàn)大小不一的狀況，如何理解起始于襯底表面的外延層層錯的表面圖形最大這一事實；為什么分離器件制造和集成電路制造對層錯密度的要求不同。要求熟知外延層的質量參數(shù)的檢測，要求會使用適當?shù)姆椒ㄈz驗各種外延層的質量參數(shù)。關于外延層質量參數(shù)介紹了外延層電阻率、外延層中的雜質濃度分布、外延層厚度、外延層中的少數(shù)載流子壽命、外延層中的缺陷五類；關于外延層質量參數(shù)的檢驗，給出了除少數(shù)載流子壽命檢驗之外的四類、八種檢測方法。對氯化氫拋光工藝，要求清楚的知道采用拋光工藝的目的；氯化氫拋光工藝的工藝方法，掌握氯化氫拋光的工藝步驟，知道氯化氫拋光工藝與外延工藝是在一個反應系統(tǒng)中、并且氯化氫拋光工藝與外延生長工藝可連續(xù)不間斷進行；了解氯化氫拋光是化學氣相拋光，掌握其腐蝕反應控制條件；應知道氯化氫拋光工藝中的化學反應實際上是外延生長反應的逆反應，因此，拋光腐蝕速率表達式可用外延生長速率表達式描述，但應清楚同一個式子表達的意思是完全不同的；了解在低蝕率和高蝕率時的極限條件下，拋光腐蝕速率與氯化氫氣體分壓的不同關系；應掌握實際氯化氫拋光工藝的氯化氫氣體分壓的選擇。關于外延摻雜工藝，首先介紹了半導體集成電路制造對外延層的電性要求；介紹了外延摻雜原理；重點討論了外延層中的摻雜濃度，討論中，首先建立了摻雜模型，根據(jù)對模型的分析，得到了與反應劑氣體分壓和摻雜劑氣體分壓有關的摻雜濃度表達式；介紹了液相摻雜和氣相摻雜兩種摻雜方法，并指出了它們各自的控制摻雜手段。關于外延模型的建立、分析和外延生長速率，能夠根據(jù)實際外延生長系統(tǒng)建立可用的外延生長模型，其中有可分析的外延層次關系，能夠通過分析討論得到外延生長速率表達式；清楚在什么極限條件下可采用不同的簡化外延生長速率表達式；知道影響外延生長速率的各種工藝因素，以及它們是如何對外延生長速率造成影響的；對外延生長的前后不均勻性，能夠采取適當工藝措施克服之。知道在{111}面上進行四氯化硅的氫氣還原外延生長的化學反應原理，其反應過程、反應中的狀態(tài)、反應中的步驟、化學反應的正反應和副反應（包含逆反應）；知道化學反應的副反應（包含逆反應）對外延生長的不利影響，以及是如何影響的；清楚為什么該外延生長的化學反應不能一步進行，而兩步進行的可能性更大；清楚最可能的第二步反應是歧化反應，歧化反應是如何定義的；清楚的知道外延生長的化學反應步驟，知道每一步的具體內容；清楚副產物不能及時排出系統(tǒng)對外延帶來得弊端。 10質量附面層外延平板基座上方、速度附面層內，反應劑濃度（質量）有較大變化的區(qū)域。 7流體的紊流態(tài)指流體中連續(xù)運動的微團運動處于雜亂無章的狀態(tài)，也稱湍流態(tài)。 3 歧化反應符合歧化特性的化學反應。外延生長系統(tǒng)中兩個附面層的定義、表達式及對外延生長的指導意義。 課程難點：首先要對外延生長過程有一個整體的概念。本節(jié)還對 外延系統(tǒng)及外延生長速率進行了介紹和討論。本節(jié)討論了外延生長的化學反應原理。 四氯化硅氫氣還原法外延原理 課程內容：167。14外延技術生長外延層的技術。10 分子束外延在高真空中，外延生長所需原子（無中間化學反應過程）由源直接轉移到待生長表面上，按規(guī)定要求排列生成外延層的外延生長過程。6 正外延在（外延/襯底）結構上制造器件時器件制造在外延層上的前期外延生長過程。2 硅外延生長硅外延層的外延生長過程。外延技術解決了半導體集成電路制造中哪些難題？是如何解決的。對硅外延工藝，介紹了其典型外延裝置，包括了臥式外延反應器裝置、立式外延反應器裝置和桶式外延反應器裝置；以氫氣還原四氯化硅的典型臥式外延反應器裝置為例進行了設備介紹，該設備包含了氣體控制裝置（氣體純化裝置、硅化物源〈純硅化物源和含雜硅化物源〉、控制管道及裝置等）、高（射）頻加熱裝置（高〈射〉頻感應信號爐 、可通冷卻水的銅感應線圈、靠產生渦流加熱的石墨基座）、測溫裝置及石英管構成的反應器；對硅外延可進行的化學反應進行了討論，包括氫氣還原法中的四氯化硅氫氣還原法、三氯氫硅氫氣還原法 以及熱分解法中的二氯氫硅熱分解法、硅烷熱分解法。 外延技術概述 課程內容：1 外延分類 由外延材料的名稱不同分類 由外延層材料與襯底材料相同否分類 同質外延 異質外延 由器件作在外延層上還是襯底上分類 正外延 負外延（反外延） 由外延生長狀態(tài)分類 液相外延 氣相外延 分子束外延 由外延生長機構分類 直接外延 間接外延2 外延技術簡介 定義 外延技術 外延層 外延新技術 低溫外延 變溫外延 分步外延 分子束外延3 集成電路制造中常見的外延工藝 硅外延工藝 典型外延裝置 砷化鎵外延工藝 氣相外延工藝 液相外延工藝 課程重點：本節(jié)介紹了什么是外延？外延技術解決了哪些器件制造中的難題。清楚知道晶片切割工藝的方法與原理，了解晶片切割工藝過程，知道晶片切割的工藝要求和注意事項。5 機械拋光采用極細的磨料、在蓋有細密拋光布的拋光盤上對襯底表面進行細磨的工藝過程?；靖拍睿? 1 晶片的平行度指某晶片的厚度不均勻 的狀況。機械拋光是采用更細的磨料在蓋有拋光布的磨盤上進行細磨，由于其工藝過程中無化學反應，則該工藝適用于化合物半導體晶片的表面拋光；化學拋光是利用化學腐蝕的方法對晶片表面進行拋光，它對待研磨片平整度要求較高，化學拋光可分為液相拋光和氣相拋光兩種拋光方式，由于該拋光工藝拋光速度快、效率高，則該工藝更適用于高硬度襯底表面的拋光（如藍寶石、尖晶石等）；化學機械拋光是硅單晶片拋光的常用工藝，該工藝綜合了機械拋光、化學拋光兩種方法的各自的優(yōu)點，從方法上看，是采用了機械拋光設備而加入了化學拋光劑，化機拋光的種類可分為酸性拋光液拋光和堿性拋光液拋光兩種，酸性拋光液拋光有鉻離子拋光和銅離子拋光兩種方式，堿性拋光液拋光為二氧化硅拋光、也分為膠體二氧化硅拋光和懸浮二氧化硅拋光兩種方式。 硅襯底制備工藝簡介 1學時 課程內容：1 硅單晶的切割 工藝作用 切割原理 切割設備 切割方法 切割要求 硅片厚度 硅片兩面平行度 硅片厚度公差 注意事項 2 研磨工藝 研磨的作用 研磨的方法 單面研磨 雙面研磨 研磨要求 影響研磨的因素 磨料的影響 磨盤壓力的影響 3 拋光工藝 拋光的作用 拋光的要求 拋光的方法 機械拋光工藝 方法及原理 優(yōu)缺點 適用范圍 化學拋光工藝 原理 方法 化學機械拋光工藝 方法及原理 拋光過程分析 課程重點：本節(jié)簡單介紹了襯底制備中切片、磨片和拋光三個工藝的基本情況。知道幾種粗略定向方法的理論依據(jù)，較精確定向方法間的比較。 5 反射光象用平行光照射晶面解理坑 ，晶面解理坑某組平面對光的反射而得到的光圖（光象 ）。 2晶面解理坑以低指數(shù)晶面圍成的、與晶面（晶向）有一定對應關系的晶面腐蝕坑。當在低指數(shù)晶面的晶片上制備晶面解理坑時，獲得的是以平行該低指數(shù)晶面的面為底、以{111}面為側面圍成的平底錐坑，此類結構的形成機理及與晶體結構的關系。本節(jié)主要介紹了常規(guī)集成電路制造中最常用的光圖定向，根據(jù)光圖定向的三個必備條件，進行了顯示晶面解理坑的討論；晶面解理坑的結構與分布的討論；平行光照射晶面解理坑后，得到的反射光象與晶體晶向關系的討論；討論了常見的光圖定向儀；并對光圖定向的設備要求和光圖定向步驟進行了討論。知道如何進行硅