晶體硅太陽能電池-wenkub.com
2025-06-20 16:15 本頁面
【正文】 LXz中國行業(yè)咨詢網(wǎng)_行業(yè)報告_行業(yè)分析_市場調(diào)研_第三方市場數(shù)據(jù)提供商表：中國歷年光伏安裝量及前景預(yù)測 來源：EPIA雖然現(xiàn)在我國的生產(chǎn)電池已遙遙領(lǐng)先于其他的國家，但我們的消費(fèi)沒有相應(yīng)的跟上去。根據(jù)中國2009年能源計劃，2020年光伏發(fā)電至少達(dá)到20GW，但實(shí)施細(xì)節(jié)和路線一直含糊不清，同時FIT仍未公布。在此期間，日本也實(shí)現(xiàn)了一位數(shù)增長，但從對數(shù)圖表上看，二者的差別十分明顯（圖1）。2008年，中國超過了之前一直居全球市場份額首位的日本，成為全球第一大生產(chǎn)國。人們也會逐步淘汰嚴(yán)重污染的鉛酸蓄電池、Ni－Cd蓄電池等，加快開發(fā)研制無污染蓄電池，實(shí)現(xiàn)真正意義的環(huán)保?！《趪鴥?nèi)單晶硅太陽能電池市場份額占15~20%，多晶硅太陽能電池市場份額占70%，非晶硅太陽能電池市場份額占5％～10%左右?！ ∪⒕w硅太陽能電池發(fā)電的特點(diǎn)與風(fēng)力發(fā)電和生物質(zhì)能發(fā)電等發(fā)電技術(shù)相比，太陽能發(fā)電是最具可持續(xù)發(fā)展理想特征的發(fā)電技術(shù)，故晶體硅太陽能電池發(fā)電具有很多優(yōu)點(diǎn)。由于內(nèi)建電場所分離出的光生載流子的積累，形成一個以P+端為正，P端為負(fù)的光生電壓，這個光生電壓與電池結(jié)構(gòu)本身的PN結(jié)兩端的光生電壓極性相同，從而提高了開路電壓Voc。在制好絨面的電池表面上蒸鍍減反射膜后可以使反射率降至2％左右。 光陷阱結(jié)構(gòu)：一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù)，制得絨面的反射率可達(dá)到10％以下。此外，當(dāng)少數(shù)載流子的擴(kuò)散長度與硅片的厚度相當(dāng)或超過硅片厚度時，背表面的復(fù)合速度對太陽能電池特性的影響也很明顯。影響晶體硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的原因主要來自兩個方面，如圖2－3所示：（1）光學(xué)損失，包括電池前表面反射損失、接觸柵線的陰影損失以及長波段的非吸收損失。太陽光之所以僅有很少的百分比轉(zhuǎn)換為電能，原因歸結(jié)于不管是哪一種材料的太陽能電池都不能將全部的太陽光轉(zhuǎn)換為電流，晶體硅太陽電池的光譜敏感最大值沒有與太陽輻射的強(qiáng)度最大值完全重合，在光能臨界值之上一個光量子只產(chǎn)生一個電子—空穴對，余下的能量又被轉(zhuǎn)換為未利用的熱量，光的反射引起陽光中的一部分不能進(jìn)入電池中。太陽電池硅片技術(shù)發(fā)展趨勢是薄片化，降低硅片厚度是減少硅材料消耗、降低晶硅太陽電池成本的有效技術(shù)措施，是光伏技術(shù)進(jìn)步的重要方面。(4)雙面鈍化。圖2－2 PERL電池結(jié)構(gòu)PERL電池具有高效率的原因在于：(1)電池正面采用“倒金字塔”，這種結(jié)構(gòu)受光效果優(yōu)于絨面結(jié)構(gòu)，具有很低的反射率，從而提高了電池的短路電流JSC.(2)淡磷、濃磷的分區(qū)擴(kuò)散。為了進(jìn)一步降低成本、提高效率，各國光伏研究機(jī)構(gòu)和生產(chǎn)商不斷改善現(xiàn)有技術(shù)，開發(fā)新技術(shù)。因而，晶體硅電池發(fā)電的平價上網(wǎng)時間表除了與產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大有關(guān)外，最重要的依賴于產(chǎn)業(yè)技術(shù)（包括設(shè)備和原材料）的改進(jìn)。低成本的實(shí)現(xiàn)途徑包括效率提高、成本下降及組件壽命提升三方面。特別是多晶硅電池可以制成方形，在制作太陽能電池組件時面積利用率高。這些因素嚴(yán)重影響了其廣泛應(yīng)用。 二、晶硅太陽能電池特點(diǎn) （一）晶硅電池包括單晶硅和多晶硅，在硅系列太陽能電池中，單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率無疑是最高的，技術(shù)也最成熟，在大規(guī)模應(yīng)用和工業(yè)生產(chǎn)
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