【正文】 lcd_(0x06)。}}lcdinit() {lcd_(0x0f)。lcd_(r)。 corr(b)。 E=0。 RS=0。0x80。for(n=8。m) for(f=248。 delay1(255)。 delay1(255)。lcd_dis(table4,0x8a)。show()。flag) feng()。 proccess()。feng1=0。flag2=1。lcd_dis(table2,0x80)。 feng1=0。 feng1=0。 if((get=145)amp。 table4[6]=0x00。 table4[2]=0xFF。 table4[5]=0x20。 table4[1]=0xFF。 table4[4]=0x20。}else if (get140) {table4[0]=0xff。 table4[3]=0x20。 table4[6]=0x00。 table4[2]=0x20。 table4[5]=0x20。 table4[1]=0x20。v[4]=39。v[1]=39。//START } i++。 _nop_()。ST=1。 _nop_()。 _nop_()。 _nop_()。 _nop_()。 _nop_()。OE=1。 39。:39。 if(hour23) hour++。 }}void t1(void) interrupt 3 using 0{ CLK=~CLK。 TH0=(6553550000)/256。 TL1=216。 ET1=1。 OE=0。delay1(uint m){ for(m。uchar code table3[]={VOLT:}。uchar min,min1。uchar i。bit flag2。sbit cong1=P2^2。 sbit OE=P2^5。也感謝王祥老師四年來對(duì)我的教導(dǎo)，讓我學(xué)會(huì)了如何做事，如何做人；還感謝我的朋友們，因?yàn)槟銈兌屛业娜松錆M了色彩。曾經(jīng)失落過，曾經(jīng)也輝煌過，曾經(jīng)低迷過，曾經(jīng)也興奮過，四年的大學(xué)讓我從一個(gè)稚嫩的小孩變成了一個(gè)成熟的大學(xué)生?！皬膶?shí)踐中摸索”這句話讓我頗有體會(huì)，到現(xiàn)在才真正理解了以前學(xué)過的相關(guān)方面的知識(shí)。 性能能對(duì)充電電池進(jìn)行充電；（此處對(duì)鎳氫電池而言）充滿時(shí)間：13H最高電壓：最低電壓：5 總結(jié)此次設(shè)計(jì)的智能充電器基本上實(shí)現(xiàn)了該有的功能，能分別對(duì)不同類型的電池充電，并能用液晶進(jìn)行實(shí)時(shí)顯示，增強(qiáng)了交互性。這一步一直進(jìn)行到系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)全部功能為止。因?yàn)椋龊面I盤和顯示程序之后，我們就可以通過顯示器對(duì)程序運(yùn)行情況進(jìn)行監(jiān)控。 (1) 編寫程序，進(jìn)行語法檢查和邏輯檢查使其能夠通過編譯。 (3) 加載程序，這就到軟件調(diào)試了。本系統(tǒng)的調(diào)試經(jīng)過了以下幾個(gè)步驟。注意，在出現(xiàn)問題時(shí)，我們應(yīng)該采用盡可能多的方法去研究這個(gè)問題，盡量從多個(gè)角度去觀察這個(gè)問題，這有利于我們盡快找到問題的實(shí)質(zhì)和解決辦法。軟件的調(diào)試步驟與硬件的調(diào)試步驟是不同的，但所遵循的原則是一樣的，都是從整體到局部再到整體。調(diào)試的目的就是尋找軟硬件設(shè)計(jì)上的不足之處，將一個(gè)可能存在問題與隱患的系統(tǒng)盡可能地改造成一個(gè)無錯(cuò)的系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)預(yù)定目標(biāo)。 delay1(255)。/*延時(shí)函數(shù)*/ delay1(255)。 } }lcd_dis(a,0x85)。 if(get154) /* 鎳鎘最高電壓；（*get）=實(shí)際電壓值*/ { cong()。/*顯示時(shí)間和電壓數(shù)據(jù)*/ } else stop()。while(1) { just()。 ST=0。/*在C0位置顯示TABLE3數(shù)組VOLT*/flag=1。}main(){time_init()。}void feng(void)/*放電*/{ cong1=1。amp。table4[6]=0x00。 table4[2]=0x20。 table4[5]=0x20。/*顯示一格*/ table4[1]=0x20。 table4[4]=0x20。 /*字符串結(jié)束標(biāo)志*/if(get100)/*以下為充電的進(jìn)度顯示*/ {table4[0]=0x20。v[3]=real%10+0x30。v[0]=real/100+0x30。 /*實(shí)驗(yàn)值，以便更加準(zhǔn)確*/ LCD字符型液晶顯示模塊是一種專門用于顯示字母、數(shù)字、符號(hào)等點(diǎn)陣式LCD，目前常用16*1，16*2，20*2和40*2行等的模塊。 ST=0。 _nop_()。 /*從P0（AD里面）得到數(shù)據(jù)*/ _nop_()。 OE=1。因ADC0809的內(nèi)部沒有時(shí)鐘電路，所需時(shí)鐘信號(hào)必須由外界提供，通常使用頻率為500KHZ， VREF（＋），VREF（－）為參考電壓輸入。OE為輸出允許信號(hào)，用于控制三條輸出鎖存器向單片機(jī)輸出轉(zhuǎn)換得到的數(shù)據(jù)。數(shù)字量輸出及控制線：11條ST為轉(zhuǎn)換啟動(dòng)信號(hào)。ADC0809對(duì)輸入模擬量要求為：信號(hào)單極性，電壓范圍是0－5V，若信號(hào)太小，必須進(jìn)行放大；輸入的模擬量在轉(zhuǎn)換過程中應(yīng)該保持不變，如若模擬量變化太快，則需在輸入前增加采樣保持電路。 a[4]=39。 a[1]=39。 } if(min==60) {min=0。 second++。}/*定時(shí)器0中斷程序*/void timer0(void) interrupt 1 using 2/*定時(shí)器中斷服務(wù)函數(shù) 每50毫秒進(jìn)入這個(gè)中斷處理函數(shù)*/{TL0=(6553550000)%256。 /*此兩行定時(shí)器0產(chǎn)生中斷50毫秒*/ TH1=216。 ET0=1。}void time_init(void){ ST=0。uchar code table6[]={NIMH}。uchar code table2[]={TIME:}。uchar second。uchar get。bit flag1。 /* 這4位定義AD端口；*/sbit p20=P2^0。程序如下：sbit CLK=P2^4。P3口：P3口管腳是8個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向I/O口，可接收輸出4個(gè)TTL門電流。P2口當(dāng)用于外部程序存儲(chǔ)器或16位地址外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行存取時(shí)，P2口輸出地址的高八位。 P0口：P0口為一個(gè)8位漏級(jí)開路雙向I/O口，每每一個(gè)管腳可吸收8TTL門電流。 lcd_(0x06)。n++){lcd_dat(k[n])。 }函數(shù)名： 液晶顯示數(shù)據(jù)緩沖函數(shù)功能： 將要顯示的數(shù)據(jù)的首地址和要顯示的地址緩沖返回值： 無注意： 對(duì)于字符型顯示器它第一行的首地址是0x80第二行是0xc0lcd_dis(uchar k[],char r) {char n。 WR1=0。 delay(1)。lcd_(unsigned char a) { E=1。0x80。 for(n=8。m) for(f=248。 程序流程圖圖31就是本系統(tǒng)的總流程圖，它大致反映了需要設(shè)計(jì)哪些程序模塊以及在哪里調(diào)用它。做完了以上的兩步，我們還不能馬上就寫程序。比如，C語言可以讓開發(fā)者不必過多地關(guān)心運(yùn)算如何實(shí)現(xiàn)等等一些底層的東西，而只考慮用語言直接去實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)功能。匯編語言是低級(jí)語言，C語言是高級(jí)語言。背光為黃色。第7～14腳：D0～D7為8位雙向數(shù)據(jù)線。第4腳：RS為寄存器選擇，高電平時(shí)選擇數(shù)據(jù)寄存器、低電平時(shí)選擇指令寄存器。 1602液晶顯示模塊液晶顯示模塊如圖213所示。第8腳為時(shí)鐘輸入端，可連接到串行口的TXD端。 串口轉(zhuǎn)并口模塊如圖212所示。從圖中可以看出，我們選擇是通道0。因ADC0809的內(nèi)部沒有時(shí)鐘電路，所需時(shí)鐘信號(hào)必須由外界提供，通常使用頻率為500KHZ， VREF（＋），VREF（－）為參考電壓輸入。OE為輸出允許信號(hào)，用于控制三條輸出鎖存器向單片機(jī)輸出轉(zhuǎn)換得到的數(shù)據(jù)。數(shù)字量輸出及控制線：11條ST為轉(zhuǎn)換啟動(dòng)信號(hào)。ADC0809對(duì)輸入模擬量要求：信號(hào)單極性，電壓范圍是0～5V，若信號(hào)太小，必須進(jìn)行放大；輸入的模擬量在轉(zhuǎn)換過程中應(yīng)該保持不變，如若模擬量變化太快，則需在輸入前增加采樣保持電路。充電時(shí)：P22為低電平，P21為低電平，S8550導(dǎo)通，S8050截止，從而電阻，電源與電池形成一回路，此時(shí)電池不斷充電，當(dāng)充滿電后，P22置1，形成另一回路，由于R2的電阻很大，所以電流很小，此時(shí)進(jìn)入涓流充電狀態(tài)；放電過程：P22置1，P21置1，S8050導(dǎo)通，形成放電回路，此時(shí)涓流充電狀態(tài)仍舊進(jìn)行，但相對(duì)于放電，基本上可忽略不計(jì)。 充放電電路充放電電路如圖29所示：圖29 充放電電路 根據(jù)圖29所示，P20，P21，P22口分別與單片機(jī)的P20，P21，P22的引腳相連。單片機(jī)有三種復(fù)位電路：上電復(fù)位、按鍵電平復(fù)位、按鍵脈沖復(fù)位。 微控制器AT89S51/52 本次設(shè)計(jì)采用Atmel89S51作為控制器，這是艾特梅爾公司生產(chǎn)的廣為人知的At89C51的替代品，At89C51已經(jīng)停產(chǎn)。一般來說，電氣設(shè)計(jì)要和軟件設(shè)計(jì)一起考慮，使其具有軟件可實(shí)現(xiàn)性。1602接口功能：腳號(hào)符號(hào)引腳功能腳號(hào)符號(hào)引腳功能1GND電源地9D2　2VDD電源正10D3　3V0顯示偏壓信號(hào)11D4　4RS數(shù)據(jù)/命令控制，H/L12D5　5R/W讀/寫控制，H/L13D6　6E使能信號(hào)14D7數(shù)據(jù)I/O7D0數(shù)據(jù)I/O15BL1背光源正8D1　16BL2背光源負(fù)指令1：清顯示，指令碼01H,光標(biāo)復(fù)位到地址00H位置指令2：光標(biāo)復(fù)位，光標(biāo)返回到地址00H指令3：光標(biāo)和顯示模式設(shè)置 I/D：光標(biāo)移動(dòng)方向，高電平右移，低電平左移 S:屏幕上所有文字是否左移或者右移。 串行數(shù)據(jù)輸入端（A，B）可控制數(shù)據(jù)。Vin接電源輸入，GND接地，～1uf的電容就可以。三態(tài)輸出鎖器用于鎖存A/D轉(zhuǎn)換完的數(shù)字量，當(dāng)OE端為高電平時(shí)，才可以從三態(tài)輸出鎖存器取走轉(zhuǎn)換完的數(shù)據(jù)。 ADC0809芯片簡介ADC0809是帶有8位A/D轉(zhuǎn)換器、8路多路開關(guān)以及微處理機(jī)兼容的控制邏輯的CMOS組件。XTAL1和XTAL2分別為反向放大器的輸入和輸出。XTAL1：反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的輸入。/EA/VPP：當(dāng)/EA保持低電平時(shí)，則在此期間外部程序存儲(chǔ)器（0000HFFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。/PSEN：外部程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)。此時(shí)， ALE只有在執(zhí)行MOVX，MOVC指令是ALE才起作用。在平時(shí)，ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號(hào)，此頻率為振蕩器頻率的1/6。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時(shí)，要保持RST腳兩個(gè)機(jī)器周期的高電平時(shí)間。作為輸入，由于外部下拉為低電平，P3口將輸出電流（ILL）這是由于上拉的緣故。P2口在FLASH編程和校驗(yàn)時(shí)接收高八位地址信號(hào)和控制信號(hào)。并因此作為輸入時(shí)，P2口的管腳被外部拉低，將輸出電流。P1口管腳寫入1后，被內(nèi)部上拉為高，可用作輸入，P1口被外部下拉為低電平時(shí)，將輸出電流，這是由于內(nèi)部上拉的緣故。P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，它可以被定義為數(shù)據(jù)/地址的低八位。GND：接地。編程時(shí)間快 空閑省電模式和掉電模式 32位可編程I/O口 電壓范圍： 大部分涓流充電器中，都沒有任何電壓或溫度反饋控制，因而不能保證電池充足電后，立即關(guān)斷充電器。只要電池接到充電器上，低速率恒流充電器就能對(duì)電池提供很小的涓流充電電流?？焖俪潆娝俾室话阍?C以上，快速充時(shí)間由電池容量和充電速率決定。 電池的充電過程通?？煞譃轭A(yù)充電、快速充電、補(bǔ)足充電、涓流充電四個(gè)階段?？梢钥闯?，充電終止時(shí)，鎳鎘電池電壓下降比鎳氫電池要大得多。此后，電池開始接受電荷，電池電壓以較低的速率持續(xù)上升。鎳氫電池正極的活性物質(zhì)為NiOOH（放電時(shí)）和Ni(OH)(充電時(shí))，負(fù)極板的活性物質(zhì)為H（放電時(shí)）和HO（充電時(shí)），電解液采用30%的氫氧化鉀溶液，充放電時(shí)的電化學(xué)反應(yīng)如下： 從方程式看出：充電時(shí)，負(fù)極析出氫氣，貯存在容器中，正極由氫氧化亞鎳變成氫氧化鎳（NiOOH）和HO；放電時(shí)氫氣在負(fù)極上被消耗掉，正極由氫氧化鎳變成氫氧化亞鎳。結(jié)晶體變大是鎳鎘電池產(chǎn)生記憶效應(yīng)的主要原