igbt單相橋式無源逆變電路設(shè)計(純電阻負載)-wenkub.com
2025-06-02 18:45 本頁面
【正文】 同時也感謝學(xué)院為我提供良好的做課程設(shè)計的環(huán)境。讓我收獲最大的是我發(fā)現(xiàn)了自己對以前的知識理解的不夠深刻，掌握得不夠牢固，通過這次，我把以前所學(xué)的知識重新溫故，鞏固了所學(xué)知識，讓我受益菲淺。當(dāng)然，在這個過程中我也遇到了困難，查閱資料，相互通過討論。并通過對知識的綜合運用，進行必要的分析、比較。這更是我們的收獲，不但使我們進一步提高了我們的實踐能力，也讓我們在以后的工作學(xué)習(xí)有了更大的信心。 元器件清單元器件選擇的正確與否直接影響整個電路的好壞，所以必須嚴格根據(jù)對主電路、觸發(fā)電路以及保護電路有關(guān)參數(shù)的計算，可得到電力電子器件清單如表表1 所示：表 1 序號元器件型號備注1IGBT2MB150N60功耗為250W的絕緣柵型雙極晶體管2電容器CJ48容量取用300V高壓紙介電容器3二極管31DF2額定電流為3A的電力二極管4熔斷器 RLS 10額定電流為3A的快速熔斷器 6 心得體會通過本次課程設(shè)計，加深了我對課程《電力電子技術(shù)》理論知識的理解，特別是有關(guān)逆變電路方面的知識。由于負載為純電阻負載，則直流電流無波動。采用雪崩二極管、金屬氧化物壓敏電阻、硒堆和轉(zhuǎn)折二極管（BOD）等非線性元件來限制或吸收過電壓也是較常用的措施。在抑制外因過電壓的措施中，采用 RC 過電壓抑制電路是最為常見的，其典型聯(lián)結(jié)方式見圖51。 內(nèi)因過電壓主要來自電力電子裝置內(nèi)部器件的開關(guān)過程，包括：1）換相過電壓：由于晶閘管或者與全控型器件反并聯(lián)的續(xù)流二極管在換相結(jié)束后不能立刻恢復(fù)阻斷能力，因而有較大的反向電流流過，使殘存的載流子恢復(fù)，因而其恢復(fù)了阻斷能力時，反向電流急劇減小，這樣的電流突變會因線路電感而在晶閘管陰陽極之間或續(xù)流二極管反并聯(lián)的全控型器件兩端產(chǎn)生過電壓。這里主要講述 IGBT 的保護。而電力 MOSFET 是單極型電壓驅(qū)動器件，開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定好，所需驅(qū)動功率小而且驅(qū)動電路簡單。晶閘管的驅(qū)動電路通常稱為觸發(fā)電路。光耦合器由發(fā)光二極管和光敏晶體管組成，封裝在一個外殼內(nèi)。另外，對電力電子器件或整個裝置的一些保護措施也往往就近設(shè)在驅(qū)動電路中，或者通過驅(qū)動電路來實現(xiàn)，這使得驅(qū)動電路的設(shè)計更為重要。工作過程如下：t=0 時刻以前，VTVT3 導(dǎo)通， VTVT4 關(guān)斷，電源電壓反向加在負載上，u0 =Ud。由于前面提到的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，使得電阻減小，這樣高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降。IGBT是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。 . IGBT的簡述絕緣柵雙極晶體管（Insulatedgate Bipolar Transistor）,英文簡寫為IGBT。當(dāng)交流側(cè)接在電網(wǎng)上，稱為有源逆變；當(dāng)交流側(cè)直接和負載相接時，稱為無源
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