華中科技大學-ic課程設計實驗報告(比例放大器設計)-wenkub.com
2025-05-20 18:12 本頁面
【正文】 當對整個負反饋電路進行綜合仿真時，將 Cl 斷開，取補償電阻 380 歐，補償電容 1pf靜態(tài)偏置 200U，M6 偏置 600 U。在對二級差分放大器進行設計時，要對增益、單位增益帶寬。結果如下：**** mosfets subckt x1 x1 x1 x1 element 1:m1 1:m2 1:m3 1:m4 model 0:p_33 0:p_33 0:n_33 0:n_33 region Saturation Saturation Saturation Saturation id vgs vds vth subckt x1 element 1:m6 model 0:n_33 region Saturation id vgs vds vth ****** *twostage op amp 15 ****** ac analysis tnom= temp= ****** x freq volt db volt phase vo vo 16 17 Y增益 帶寬 125KHZ GBW=10^8Bode 圖如下： 相位裕度大約 50176。,4STP取 計算得出 uAID0?39。由于相位有 45176。V D DM 4M 3M 2M 1M 6I r e f 2I r e f 1C LC cR zG N DG N DV i 1 V i 2第 一 級負 載第 二 級12304V o21 如圖所示，PMOS MM2 為一級差分放大， NMOS MM4 做鏡像電流源負載，PMOS M6 為第二級放大。事實也證明用這樣一級差分放大要達到指標還是相當困難的，多次修改參數(shù)后，任然沒有達到理想的效果?？筛鶕?jù) MOS 管在飽和區(qū)的電流特性 2)(TSDLWKI??分別得出 M1，M2 的寬長比為 ?,M3，M4 的寬長比為 350WL?。對于一級放大而言第二極點的影響可以暫時不考慮。下面對具體參數(shù)進行設計。 ，設所有管子都工作在飽和區(qū)，如果 Vgs1=Vgs2，由對稱性，Id1=Id2=Id3=Id4。在這
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