【正文】 //處理溫度數(shù)據(jù),并顯示 delay1ms(3000)。 //Skip ROM write_byte3(0x44)。 work_temp(read_temp2())。 write_byte2(0xcc)。 write_data(table[1])。 while(1) { DS18B20_reset1()。)。//小數(shù)點(diǎn) write_data(table[A5])。 // 取十位數(shù)據(jù)暫存 write_data(table[A1])。 // 取中間八位,即整數(shù)部分的值 A3 = A4/100。 display[1] = temamp。 write_data(table[10])。a39。 write_data(39。)。 else led1 = 1。 write_data(table[A0])。 A2 = A4%100。0x0f。 //顯示的位數(shù)}/****************溫度數(shù)據(jù)處理函數(shù)************************///二進(jìn)制高字節(jié)的低半字節(jié)和低字節(jié)的高半字節(jié)組成一字節(jié),這個(gè)//字節(jié)的二進(jìn)制轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制后,就是溫度值的百、十、個(gè)位值,而剩//下的低字節(jié)的低半字節(jié)轉(zhuǎn)化成十進(jìn)制后,就是溫度值的小數(shù)部分/********************************************************/void work_temp(uint tem){ uchar A0, A1,A2,A3,A4,A5。 write_(0x0c)。 write_(0x38)。 delay1ms(5)。 delay1ms(5)。 en = 0。 P1 = 。 tt=temp3*。 //讀溫度值的高字節(jié) temp3=temp_data[1]。 //發(fā)命令 write_byte3(0xbe)。 //發(fā)命令 write_byte3(0x44)。 return temp2。 temp2=temp2|temp_data[0]。 temp_data[0]=read_byte2()。 DS18B20_reset2()。 DS18B20_reset2()。 tt=temp1*。 //讀溫度值的高字節(jié) temp1=temp_data[1]。 //發(fā)命令 write_byte1(0xbe)。 //發(fā)命令 write_byte1(0x44)。 } return dat。 dat = 1。 uchar dat = 0。 delay_18B20(5)。i0。 delay_18B20(4)。i) { DQ2 = 0。 }}uchar read_byte2()//編號(hào)2{ uchar i =0。0x01。 for(i=8。 if(DQ1) dat |= 0x80。i0。//66 us val = 1 。 //5 us DQ1=valamp。}/****************DS18B20寫命令函數(shù)************************///向1WIRE 總線上寫1個(gè)字節(jié)void write_byte1(uchar val)//編號(hào)1{ uchar i。 //釋放總線，即拉高了總線　 delay_18B20(4)。 delay_18B20(8)。 delay_18B20(20)。 //精確延時(shí)，維持至少480us DQ2 = 1。 //DQ復(fù)位,不要也可行。 x= DQ1。 //單片機(jī)拉低總線 delay_18B20(80)。 DQ1 = 1。y0。/**********************我的延時(shí)函數(shù)********************************/void delay1ms(uint z){ uint x,y。sbit led1 = P2^0。sbit rs = P3^0。附錄1includeincludedefine uchar unsigned chardefine uint unsigned intuchar code table[]=。其次我要感謝電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的老師們，他們不僅教會(huì)我們專業(yè)方面的知識(shí)，而且教會(huì)我們做人做事的道理；尤其要感謝本次設(shè)計(jì)中給我大力支持和幫助的金老師，也就是我的指導(dǎo)老師，每有問題金老師總是耐心的解答，使我能夠充滿熱情的投入到畢業(yè)設(shè)計(jì)中去，還要感謝我的同學(xué)們他們熱心的幫助，還需感謝相關(guān)資料的編著和給予我們支持的社會(huì)各界人士，感謝你們?yōu)槲覀兲峁┮粋€(gè)良好的環(huán)境，使本次設(shè)計(jì)圓滿完成。Conference,1997,12：462467offor．[13] ARABIAnnual．[12]inanaOogue(3)渭南師范學(xué)院學(xué)報(bào)，2009,(2)ATMEL89系列單片機(jī)應(yīng)用技術(shù)[M]．北京：航空航天大學(xué)出版社，通過本次設(shè)計(jì)，讓我對(duì)單片機(jī)AT89C51的原理應(yīng)用以及與周邊系統(tǒng)的連接融合環(huán)節(jié)有了深入的認(rèn)識(shí)，針對(duì)溫度傳感器DS18B20芯片的原理我通過網(wǎng)絡(luò)資料對(duì)其有了更深刻的理解。由于DS18B20通信，占用較少的微處理器的端口就可以實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)測(cè)溫監(jiān)控系統(tǒng)。可以并聯(lián)到3結(jié)論本設(shè)計(jì)利用AT89C51經(jīng)過一個(gè)循環(huán)周期后，開始顯示各路溫度。本程序采用單片機(jī)C語言編寫，用Keil C編譯器編程調(diào)試。然后依照電路進(jìn)行焊接實(shí)物。圖c顯示為第3路DS18B20所檢測(cè)的溫度，其溫度超出了設(shè)定范圍的上限，報(bào)警指示燈亮。液晶第一行顯示仿真的日期，第二行顯示分別為溫度值、溫度單位和溫度檢測(cè)的路數(shù)。 溫度轉(zhuǎn)換流程圖 計(jì)算溫度子程序流程圖 顯示數(shù)據(jù)刷新子程序顯示數(shù)據(jù)刷新子程序主要是對(duì)顯示緩沖器中的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行刷新操作，當(dāng)最高顯示位為0時(shí)，將符號(hào)顯示位移入下一位。所有讀時(shí)序至少需要60μs。主機(jī)要生成一個(gè)寫0線采樣。I/O線電平變低后，DS18B20時(shí)間隙和寫0 讀DS18B20流程圖 寫DS18B20程序。腳狀態(tài)。讀數(shù)據(jù)時(shí)，主機(jī)生成讀時(shí)間隙。 DS18B20的初始化流程圖 讀DS18B20程序。 主程序流程圖 溫度檢測(cè)程序DS18B20在單片機(jī)的控制下分三個(gè)階段：18B20初始化、讀18B寫18B20。也可采用發(fā)光二級(jí)管報(bào)警電路，如果需要報(bào)警，則只需將相應(yīng)位置1，當(dāng)參數(shù)判斷完畢后，再看報(bào)警模型單元ALARM通過調(diào)節(jié)10K滑動(dòng)變阻器來調(diào)節(jié)顯示屏的亮度，以便清晰顯示數(shù)據(jù)。 系統(tǒng)原理框圖 單片機(jī)的典型電路單片機(jī)的典型電路包括時(shí)鐘電路和復(fù)位電路。（2） 將CGRAM中的自定義字符傳送到DDRAM中。 LCD1602指令表 顯示自定義字符顯示自定義字符步驟如下：（1） 先將自定義字符寫入CGRAM。是一種專門顯示字母、數(shù)據(jù)、符號(hào)等的點(diǎn)陣型液晶。注意：在外部供電的方式下，DS18B20的GND引腳不能懸空 ，否則不能轉(zhuǎn)換溫度，讀取的溫度總是85℃。計(jì)數(shù)器1和溫度寄存器被預(yù)置在－55℃所對(duì)應(yīng)的一個(gè)基數(shù)值。寄生供電時(shí)DS1820發(fā)送“ 0 ”，外接電源供電 DS1820發(fā)送“ 1 ”。讀暫存器0BEH讀內(nèi)部RAM中9字節(jié)的內(nèi)容寫暫存器4EH發(fā)出向內(nèi)部RAM的4字節(jié)寫上、下限溫度數(shù)據(jù)命令，緊跟該命令之后，是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù)。適用于單片工作。 ROM指令表指 令約定代碼功 能讀ROM33H讀DS1820溫度傳感器ROM中的編碼（即64位地址）符合 ROM55H發(fā)出此命令之后，接著發(fā)出 64 位 ROM 編碼，訪問單總線上與該編碼相對(duì)應(yīng)的 DS1820 使之作出響應(yīng)，為下一步對(duì)該 DS1820 的讀寫作準(zhǔn)備。對(duì)應(yīng)的溫度計(jì)算：當(dāng)符號(hào)位S=0時(shí)，直接將二進(jìn)制位轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制；當(dāng)S=1時(shí)，先將補(bǔ)碼變?yōu)樵a，再計(jì)算十進(jìn)制值。在DS18B20出廠時(shí)該位被設(shè)置為0，用 戶不要去改動(dòng)。 例如+125℃的數(shù)字輸出為07D0H，+℃的數(shù)字輸出為0191H，℃的數(shù)字輸出為FE6FH，55℃的數(shù)字輸出為FC90H 。64位光刻ROM的排列是：開始8位 （28H）是產(chǎn)品類型標(biāo)號(hào)，接著的48位是該DS18B20自身的序列號(hào)，最后8位是前面56位的循環(huán)冗余校驗(yàn)碼（CRC=X8+X5+X4+1）。（9） 負(fù)壓特性：電源極性接反時(shí)，芯片不會(huì)因發(fā)熱而燒毀， 但不能正常工作。（5） 溫范圍－55℃～+125℃。 DS18B20的主要特性（1） 適應(yīng)電壓范圍更寬，電壓范圍：～，在寄生電源方式下可由數(shù) 據(jù)線供電。 DS18B20溫度傳感器DS18B20數(shù)字溫度傳感器接線方便，封裝后可應(yīng)用于多種場(chǎng)合，如管道式，螺紋式，磁鐵吸附式，不銹鋼封裝式，型號(hào)多種多樣，有LTM8877，LTM8874等等。此外，AT89C51設(shè)有穩(wěn)態(tài)邏輯，可以在低到零頻率的條件下靜態(tài)邏輯，支持兩種軟件可選的掉電模式。如采用外部時(shí)鐘源驅(qū)動(dòng)器件，XTAL2應(yīng)不接。（12）XTAL2：來自反向振蕩器的輸出。（10）/EA/VPP：當(dāng)/EA保持低電平時(shí)，則在此期間外部程序存儲(chǔ)器（0000HFFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài)ALE禁止，置位無效。然而要注意的是：每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，將跳過一個(gè)ALE脈沖。（8）ALE/PROG：當(dāng)訪問外部存儲(chǔ)器時(shí)，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的低位字節(jié)。作為輸入，由于外部下拉為低電平，P3口將輸出電流（ILL）這是由于上拉的緣故。在給出地址“1”時(shí)，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢(shì)，當(dāng)對(duì)外部八位地址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫時(shí)，P2口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。（5）P2口：P2口為一個(gè)內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，P2口緩沖器可接收，輸出4個(gè)TTL門電流，當(dāng)P2口被寫“1”時(shí)，其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高，且作為輸入。在FIASH編程時(shí)，P0 口作為原碼輸入口，當(dāng)FIASH進(jìn)行校驗(yàn)時(shí)，P0輸出原碼，此時(shí)P0外部必須接上拉電阻。（2）GND：接地。單片機(jī)為40該器件采用ATMEL高密度非易失存儲(chǔ)器制造技