太陽能電池工藝ppt課件-wenkub.com
2025-04-30 22:05 本頁面
【正文】 而暗電流與 Rsh是相輔相成的，它的值增大將會減小 Voc， 并影響 FF，從而導致電池性能的下降。即： η =（太陽能電池的輸出功率 /入射的太陽光功率） x100% = （ Vop x Iop/Pin x S） X100% = Voc?Isc?FF/Pin ? S 其中 Pin是入射光的能量密度， S為太陽能電池的面積，當S是整個太陽能電池面積時， η 稱為實際轉換效率，當 S是指電池中的有效發(fā)電面積時， η 叫本征轉換效率。 FF = Vop*Iop/Voc*Isc = Pmax/Voc*Isc 它表示了最大輸出功率點所對應的矩形面積在 Voc和 Isc所 組成的矩形面積中所占的百分比。由光電池的伏安特 性曲線，可以得到描述太陽電池的四個輸出參數(shù)。 影響： 1）相對于鋁漿燒結，銀漿的燒結要重要很多，對電池 片電性能影響主要表現(xiàn)在串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻，即 FF的變化 2）鋁漿燒結的目的使?jié){料中的有機溶劑完全揮發(fā)，并 形成完好的鋁硅合金和鋁層。因為系統(tǒng)總是力求達到最低的表面自由能狀態(tài)，所以在厚膜燒結過程中，粉末系統(tǒng)總的表面自由能必然要降低，這就是厚膜燒結的動力學原理。絲網(wǎng)上的模版把一部分絲網(wǎng)小孔封住使得顏料不能穿過絲網(wǎng)，而只有圖像部分能穿過，因此在承印物上只有圖像部位有印跡。 PECVD 法沉積氮化硅薄膜 , 沉積溫度低、沉積速度快、薄 膜質(zhì)量好、工藝簡單 重復性好 、易于工人掌握操作技術。 氮化硅薄膜的制備方法很多 : 濺射法，熱分解法， 也可以在 700～ 1000 ℃ 下由常壓化學氣相淀積 (APCVD) 或者在 750 ℃ 左右用低壓化學氣相淀積法 (L PCVD) 制得，但現(xiàn)在工業(yè)上一般使用等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 來生成氮化硅薄膜。 氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸能與二氧化硅作用 生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。 生產(chǎn)過程中， CF4中摻入 O2，這樣有利于提高 Si和 SiO2的刻蝕速 率。它的 優(yōu)勢在于快速的刻蝕速率同時可獲得良好 的物理形貌 。但 在有外來 O2存在的情況下， PCl5會進一步分解成 P2O5并放 出氯氣（ Cl2）其反應式如下： 生成的 P2O5又進一步與硅作用，生成 SiO2和磷原子，由此 可見，在磷擴散時，為了促使 POCl3充分的分解和避免 PCl5對硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮氣的同時通入一 定流量的氧氣 。一種是多子克服電場的阻力的擴散運動；另一種是少子在內(nèi)電場的作用下產(chǎn)生的漂移運動。 P區(qū)失去空穴留下帶負電的離子， N區(qū)失去電子留下帶正電的離子， 這些離子因物質(zhì)結構的關系，不能移動，稱為空間電荷，集中在 P區(qū)和 N區(qū)的交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區(qū)，這所謂的 PN結。 晶體硅太陽電池制造的第二步 —— PN結
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