晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線刻蝕工序-wenkub.com
2025-04-26 12:07 本頁面
【正文】 ： 結(jié)合 rena和 kuttler設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)，既能避免黑邊、方阻也不上升。同樣道理， P型半導(dǎo)體熱探針觸點(diǎn)相對于室溫觸點(diǎn)而言將是負(fù)的。 HNO3：無色透明液體，具有強(qiáng)氧化性、強(qiáng)腐蝕性，有窒息性刺激氣味，在空氣中冒煙，見光易分解生成 NO2而顯棕色。 HF：無色透明至淡黃色冒煙的液體，有刺激性氣味，具有弱酸性。 刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學(xué)品 confidential confidential 上片 去 PSG 刻蝕 水洗 堿洗 水洗 酸洗 水洗 吹干 ?濕法刻蝕生產(chǎn)流程： ?生產(chǎn)注意事項(xiàng)： ? 禁止裸手接觸硅片； ? 上片時保持硅片間距 40mm左右，擴(kuò)散面朝上上片，禁止放反； ? 刻蝕邊緣在 1mm左右； ? 下片時注意硅片表面是否吹干； ? 刻蝕清洗完硅片要盡快鍍膜，滯留時間不超過 1h。 ? 檢測工藝點(diǎn)： 槽藥液浸入邊緣在范圍之內(nèi) ，表面狀況是否良好 CF4。 ?產(chǎn)品特點(diǎn)： ? 有效減少化學(xué)藥品使用量 ? 高擴(kuò)展性模塊化制程線 ? 擁有完善的過程監(jiān)控系統(tǒng)和可視化操作界面 ? 優(yōu)化流程，降低人員勞動強(qiáng)度 ? 通過高可靠進(jìn)程降低碎片率 ? 自動補(bǔ)充耗料實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定過程控制 ?產(chǎn)能： ? 125mm*125mm硅片： 2180片 /小時 ? 156mm*156mm硅片： 1800片 /小時 刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學(xué)品 confidential confidential ?槽體布局及工藝： 操作方向，帶速 上料位 去PSG槽 刻蝕槽 水槽 堿槽 水槽 酸槽 水槽 吹干 下料位 槽號 2槽 3槽 4槽 5槽 6槽 7
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