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2025-04-23 12:56 本頁面
【正文】 VF1： VF4: 20mA驅(qū)動(dòng)電流下的正向電壓 3E Semiconductor Create the Light, Light the World 什么樣的 wafer是好的產(chǎn)品？ 1. 通過光致發(fā)光譜查看生長(zhǎng)的 wafer的波長(zhǎng)分布 2. X射線衍射得到晶體質(zhì)量的數(shù)據(jù) 3. 通過面電阻測(cè)試得到 n型半導(dǎo)體的摻雜量（ Si摻雜） 4. 通過顯微鏡觀察 wafer表面形貌 (是否有缺陷存在 ) 5. 通過芯片制程驗(yàn)證 wafer的各項(xiàng)電性能數(shù)據(jù) 肉眼觀察下的 wafer 顯微鏡觀察下的 wafer 3E Semiconductor Create the Light, Light the World Change TMGa (Total thickness) Change TEGa (XRD 1P) Change TMIn (Wavelength) Change Cp2Mg (P GaN Doping) PM (Change reactor condition) 設(shè)備 PM對(duì)工藝影響 3E Semiconductor Create the Light, Light the World 發(fā)光二極管的伏安特性曲線 VF1 VF2 1uA驅(qū)動(dòng)電流下的正向電壓 VF3 10uA驅(qū)動(dòng)電流下的正向電壓 VF4 20mA驅(qū)動(dòng)電流下的正向電壓 VR 10uA驅(qū)動(dòng)電流下的反向電壓 IR 5V反向電壓時(shí)的驅(qū)動(dòng)電流 ESD： 靜電擊穿性能 由于人體自身會(huì)產(chǎn)生靜電 (電壓能夠達(dá) 到上萬伏 )，因此人體與 LED芯片直接 接觸時(shí)會(huì)造成芯片擊穿。這個(gè)過程就是光致發(fā)光，即 PL。壘層使用相對(duì)較高的溫度以提高結(jié)晶質(zhì)量。 ? 當(dāng) In原子取代 Ga原子時(shí)， GaN的禁帶寬度將變小，構(gòu)成 MQW中的阱層。 保持 2D生長(zhǎng) GaN的條件，通入 SiH4， Si原子會(huì)取代 Ga原子的位置，由于 Ga是三價(jià)的，Si是四價(jià)的，因此多出一個(gè)電子，屬于 n型摻雜。 ? 略微提高溫度，降低氣壓，使晶島相接處的地方開始連接，生長(zhǎng)，直至外延表面整體趨于平整。 ? 保持高溫高壓，通入 TMGa，使晶核以較高的結(jié)晶質(zhì)量按島狀生長(zhǎng)。大約在 500600度。 ? 高壓、低溫條件下通入 TMGa，在襯底表面快速沉積一層緩沖層。（如： InGaN/GaN/InGaN...） 異質(zhì)外延 藍(lán)寶石襯底 GaN MQW 外延 簡(jiǎn)介 3E Semiconductor Create the Light, Light the World Veeco K465i Veeco C4 Aixtron Crius ii MOCVD簡(jiǎn)介 3E Semiconductor Create the Light, Light the World MOCVD 的工作原理大致為：當(dāng)有機(jī)源處于某一恒定溫度時(shí)，其飽和蒸汽壓是一定的；通過流量計(jì)（ MFC）控制載氣的流量，就可知載氣流經(jīng)有機(jī)源時(shí)攜帶的有機(jī)源的量；多路載氣攜帶不同的源輸運(yùn)到反應(yīng)室入口混合，然后輸送到襯底處，在高溫作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在襯底上外延生長(zhǎng)；反應(yīng)副產(chǎn)物經(jīng)尾氣管路排出。 1. 應(yīng)用 1959年末，外延生長(zhǎng)技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域，它的應(yīng)用與發(fā)展對(duì) 于提高半導(dǎo)體材料的質(zhì)量和器件性能，對(duì)于新材料、新器件的開 發(fā)，對(duì)于半導(dǎo)體科
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